北一半導體完成B+輪1.5億元融資，加快SiC MOSFET技術研發

5月8日，北一半導體科技（廣東）有限公司（以下簡稱“北一半導體”）宣布其成功完成了B+輪融資。本輪融資資金將主要用于SiC MOSFET技術的進一步研發，以及產線的升級與擴建。

據悉，本輪融資由上海吾同私募基金管理有限公司領投，預計本輪融資總額將達到1.5億元。其中，1億元資金已經到位，另有5000萬元投資金額在結尾工作中。

北一半導體表示，本輪融資主要用于sic mosfet技術的進一步研發，以及產線的升級與擴建。一方面，通過加大研發投入，加快技術創新的步伐，提升sic mosfet的性能指標和生產效率；另一方面，通過產線的升級與擴建，提高生產規模，滿足市場需求，推動sic mosfet的產業化進程。這些舉措不僅有助于提升北一半導體的核心競爭力，也將為整個半導體產業的發展注入新的動力。這一里程碑式的成就，不僅為北一半導體的持續健康發展注入了新的活力，更昭示著其在第三代半導體材料——碳化硅（sic）金屬氧化物半導體場效應晶體管（mosfet）研發和產業化道路上的堅定步伐。

據了解，去年5月，北一半導體完成了超1.5億元的B輪融資。本輪融資由基石資本領投，同時參與資本方包括聯通中金、青島玉頡。融資資金將用于以IGBT及SiC為代表的高端功率半導體芯片及模塊產品的開發。

產品進展方面，2023年11月，北一半導體雙面散熱模塊（DSC）試制成功。經過不斷的工藝和模具優化以及可靠性考核，今年3月，北一半導體750V等級IGBT模塊及1200V等級SiC模塊具備量產能力，封裝良率超過行業水平。

據悉，開發的SiC模塊采用單面散熱結構，封裝形式涵蓋HPSS1、HPSS2 及HPSS3，IGBT模塊采用雙面散熱結構，封裝形式涵蓋HPDS1、HPDS2 及HPDS3。功率端子位置及定義的差異滿足不同電機控制器客戶設計要求，實現了和國際一線廠商的直接替換。

應用測試表明，模塊在《GB-T18488 電動汽車用電機及其控制器》中要求的額定及極限工況測試中輸出特性及溫升表現良好，未出現失效現象。

基于既有的雙面散熱模塊產品設計及工藝平臺，北一半導體同時可提供定制化開發服務，可依據客戶電壓、電流、拓撲、端子位置及尺寸等要求進行定制化產品開發，滿足客戶新能源汽車電機控制器小型化、高效化及輕量化的發展需求。

產能項目方面，今年1月，北一半導體總投資20億元的晶圓工廠和總投資2億元分立器件生產加工兩個項目簽約落戶牡丹江穆棱經濟開發區。今年4月，總投資20億元的北一半導體晶圓工廠項目在穆棱功率半導體產業園正式開工。

據透露，項目一期占地2.7萬平方米、建筑面積3萬平方米，新上國際先進6英寸晶圓生產線，產值超10億元。據相關負責人介紹，到2025年年底，北一半導體晶圓工廠項目將實現竣工投產，項目達產后年可生產6英寸晶圓100萬片。產品應用于變頻器、UPS、工業控制、新能源汽車、充電樁等領域。

此外，功率半導體產業園分立器件生產加工項目新上分立器件生產線，引進塑封機、測試機、焊線機等進口設備，采用世界領先工藝，產品主要為北一半導體自身企業配套及國內市場銷售，應用領域為光伏、儲能、新能源汽車、充電樁等。

審核編輯：劉清