在本文中，我們詳細研究了AlGaN的濕法刻蝕特性。特別地，我們研究了m面刻面形成和AlN摩爾分數對蝕刻速率的依賴關系。我們還研究了氮化鋁摩爾分數差異較大的紫外發光二極管結構的濕法刻蝕特性。
2021-12-13 14:58:12
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摘要 我們華林科納研究了正磷酸、聚磷酸、和鐵(III)氯化物蝕刻劑對工藝條件變化的敏感性，以確定該蝕刻劑系統在純鋁電路光刻制造中的潛在生產應用。溫度變化、正磷酸濃度、多磷酸濃度的影響。檢測了酸濃度
2022-01-07 15:40:121194 
摘要 我們華林科納對h2so4-h202-h20體系中（100）砷化鎵的蝕刻情況進行了詳細的研究。研究了特定蝕刻劑成分的濃度對蝕刻速率和晶體表面形狀的影響。從這些結果中，蝕刻浴組成的吉布斯三角形
2022-01-25 10:32:242215 
硅的各向異性蝕刻是指定向依賴的蝕刻，通常通過堿性蝕刻劑如水溶液氫氧化鉀，TMAH和其他羥化物如氫氧化鈉。由于蝕刻速率對晶體取向、蝕刻劑濃度和溫度的強烈依賴性，可以以高度可控和可重復的方式制備多種
2022-03-08 14:07:251769 
硅片在大口徑化的同時，要求規格的嚴格化迅速發展。特別是由于平坦度要求變得極其嚴格，因此超精密磨削技術得以開發，實現了無蝕刻化，無拋光化。雖然在單晶SiC晶片上晶片磨削技術的開發也在進行，但在包括成本
2022-04-15 14:54:491392 
本文提出了一種利用原子力顯微鏡(AFM)測量硅蝕刻速率的簡單方法，應用硅表面的天然氧化物層作為掩膜，通過無損摩擦化學去除部分天然氧化物，暴露底下新鮮硅。因此，可以實現在氫氧化鉀溶液中對硅的選擇性蝕刻，通過原子精密的AFM可以檢測到硅的蝕刻深度，從而獲得了氫氧化鉀溶液中精確的硅蝕刻速率。
2022-04-22 14:06:011266 
的電子和光電子器件的制造中對高選擇性濕法化學蝕刻劑的額外需求，還進行了廣泛的研究以檢驗多種蝕刻溶液。列出了這些蝕刻劑的蝕刻速率、選擇性和表面粗糙度，以驗證它們對預期應用的適用性。盡管頻繁使用GaSb
2022-05-11 14:00:421025 
引言 正在開發化學下游蝕刻(CDE)工具，作為用于半導體晶片處理的含水酸浴蝕刻的替代物。對CDE的要求包括在接近電中性的環境中獲得高蝕刻速率的能力。高蝕刻率是由含NF”和0的混合物的等離子體放電分解
2022-06-29 17:21:423346 
本文描述了我們華林科納用于III族氮化物半導體的選擇性側壁外延的具有平面側壁刻面的硅微米和納米鰭的形成。通過濕法蝕刻取向的硅晶片生產鰭片。使用等離子體增強化學氣相沉積來沉積二氧化硅，以產生硬掩模
2022-07-08 15:46:161095 
本文主要闡述我們華林科納在補救InGaP/GaAs NPN HBT的噴霧濕法化學腐蝕過程中光刻膠粘附失效的幾個實驗的結果。確定了可能影響粘附力的幾個因素，并使用實驗設計(DOE)方法來研究所選因素
2022-07-12 14:01:131365 
包括GaN和SiC在內的寬帶隙半導體已被證明適用于高功率微波電子器件。AlGaN/GaN基本的研究結果令人印象深刻。雙極性器件由于其固有的更高功率密度和潛在的更高速度，對高功率電子器件也很有吸引力
2022-07-12 17:04:381103 
引言 氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術的堿金屬氫氧化物，是用于硅晶片微加工的最常用的硅蝕刻化學物質之一。各向異性蝕刻優先侵蝕襯底。也就是說，它們在某些方向上的蝕刻速度比在其
2022-07-14 16:06:062775 
濕法蝕刻工藝的原理是利用化學溶液將固體材料轉化為liquid化合物。由于采用了高選擇性化學物質可以非常精確地適用于每一部電影。對于大多數解決方案選擇性大于100:1。
2022-07-27 15:50:252109 
濕法蝕刻工藝的原理是使用化學溶液將固體材料轉化為液體化合物。選擇性非常高，因為所用化學藥品可以非常精確地適應各個薄膜。對于大多數解決方案，選擇性大于100：1。
2021-01-08 10:12:57
我司是做濕法蝕刻藥水的，所以在濕法這塊有很多年的研究。所以有遇到濕法蝕刻問題歡迎提問，很愿意為大家解答。謝謝！QQ：278116740
2017-05-08 09:58:09
`華林科納濕法設備分類全自動設備：全自動RCA清洗機全自動硅片刻蝕機全自動片盒清洗機全自動石英管清洗機半自動設備：半自動RCA清洗機半自動硅片刻蝕機半自動石英管清洗機半自動有機清洗機`
2021-02-07 10:14:51
為了在基板上形成功能性的MEMS結構，必須蝕刻先前沉積的薄膜和/或基板本身。通常，蝕刻過程分為兩類：浸入化學溶液后材料溶解的濕法蝕刻干蝕刻，其中使用反應性離子或氣相蝕刻劑濺射或溶解材料在下文中，我們將簡要討論最流行的濕法和干法蝕刻技術。
2021-01-09 10:17:20
、CMP、ICP 干蝕刻、亞表面損傷、等離子體誘導損傷 直接比較了 GaN 襯底的表面處理方法，即使用膠體二氧化硅漿料的化學機械拋光 (CMP) 和使用 SiCl4 氣體的電感耦合等離子體 (ICP) 干
2021-07-07 10:26:01
方面存在局限性，因此需要探索自上而下、依賴蝕刻的 GaN NW 制造工藝。這項工作的重點是改進自上而下的 GaN 納米線的制造方法，并為 SPE 的制造奠定了潛在的工藝。使用干法和濕法蝕刻的組合，現有
2021-07-08 13:11:24
和碳化硅，在室溫下電化學刻蝕在某些情況下是成功的。此外，光輔助濕法蝕刻產生類似的速率，與晶體極性無關。 介紹 寬帶隙半導體氮化鎵、碳化硅和氧化鋅對許多新興應用具有吸引力。例如，AlGaN/GaN高電子
2021-10-14 11:48:31
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：GaN晶體蝕刻的幾何方面和光子應用編號：JFSJ-21-044作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要：濕法
2021-07-08 13:09:52
已經報道了具有低至 4±6 nm 的 rms 粗糙度的表面。濕法蝕刻也已被證明用于蝕刻氮化鎵，蝕刻具有設備成本相對較低、表面損傷小等優點，但目前還沒有找到生產光滑垂直側壁的方法。還報道了 GaN 的解理
2021-07-07 10:24:07
黃金。以上只是基于實驗的基礎，實驗設備也比較簡陋，如果再結合濕法清洗設備進行蝕刻工藝，效果會有明顯的提高，南通華林科納半導體設備有限公司生產的濕法清洗設備能在各方面滿足要求，使清洗達到事半功倍的效果。 如有侵權，請聯系作者刪除
2021-07-09 10:23:37
的陰極極化下，酸性介質中的Fe31、Ce41、HIO3和堿性介質中的Fe(CN)632以擴散有限的速率電化學還原。在1M氫氧化鉀中，觀察到o2/h2o還原的高反應性，這解釋了為什么n-GaN可以在該溶液
2021-10-13 14:43:35
測試，并且在錯誤的情況下可能導致工藝失敗，因此，基于研究的重要性，不管從藥液還是設備都需選擇穩定可靠的，而華林科納半導體設備有限公司在濕法刻蝕領域已有十幾年的經驗，其生產的設備功能完善，并能針對客戶的需求給出一系列的解決辦法跟方案。 如有侵權，請聯系作者刪除
2021-07-06 09:39:22
：MacEtch 是一種濕法蝕刻工藝，可提供對取向、長度、形態等結構參數的可控性，此外，它是一種制造極高縱橫比半導體納米結構的簡單且低成本的方法。 3 該工藝利用了在氧化劑（例如過氧化氫 (H2O2)）和酸（例如
2021-07-06 09:33:58
我是南通華林科納半導體的，主要做半導體，太陽能，液晶LED，電子器件濕法工藝，各種清洗，濕制程設備。我們3月14日—16日去上海新國際博覽中心參加2017慕尼黑上海半導體展，有其他去的公司嗎，應該
2017-03-04 11:50:42
典型GaN晶體管的核心是一個導電通道，它由AlGaN阻擋層和GaN緩沖層間界面上產生的二維電子氣形成（見圖1）。這種器件傾向在一個異質基板上生產，典型的是硅或碳化硅，并具備三個電極：源極、漏極、柵極。為
2020-11-27 16:30:52
蘇州華林科納半導體設備技術有限公司成立于2008年3月，投資4500萬元。主要從事半導體、太陽能、FPD領域濕制程設備的設計、研發、生產及銷售；同時代理半導體、太陽能、FPD領域其它國外設備，負責
2015-04-02 17:21:04
射流的理論獲得了底部的各個部位的蝕刻液離子的擴散速率，并搞清楚了側壁上出現的主要原因。針對酸性氯化銅溶液，擴散速度與蝕刻反應速度是成比例關系的。所以，凹槽內底部各個部位蝕刻的速度相對中央最大速率區也是
2018-09-10 15:56:56
招聘蘇州華林科納半導體設備技術有限公司職位月薪：面議工作地點：蘇州工作性質：全職工作經驗：1年以上最低學歷：大專招聘人數：5人 職位類別：銷售經理職位描述要求：工作經驗：1年以上崗位職責：1、負責
2015-07-28 11:38:16
晶片全面曝光的方法，使單一晶片上可以獲得更多的芯片(chip)。如此一來，雖然產率得以提高，但同時也制造一些工藝處理問題。特別在對硅晶片蝕刻深凹槽(deeptrench)工藝方面?！ ∮捎?b class="flag-6" style="color: red">采用全面曝光
2018-03-16 11:53:10
濕蝕刻是光刻之后的微細加工過程，該過程中使用化學物質去除晶圓層。晶圓，也稱為基板，通常是平面表面，其中添加了薄薄的材料層，以用作電子和微流體設備的基礎；最常見的晶圓是由硅或玻璃制成的。濕法刻蝕
2021-01-08 10:15:01
蘇州華林科納半導體設備技術有限公司成立于2008年3月，投資4500萬元。主要從事半導體、太陽能、FPD領域濕制程設備的設計、研發、生產及銷售；同時代理半導體、太陽能、FPD領域其它國外設備，負責
2015-04-02 17:23:36
蘇州華林科納半導體設備技術有限公司成立于2008年3月，投資4500萬元。主要從事半導體、太陽能、FPD領域濕制程設備的設計、研發、生產及銷售；同時代理半導體、太陽能、FPD領域其它國外設備，負責
2015-04-02 17:26:21
公司名稱：蘇州華林科納半導體設備技術有限公司公司地址：蘇州工業園區啟月街288號公司電話：0512-62872541蘇州華林科納半導體設備技術有限公司主要從事半導體、太陽能、FPD領域濕制程設備
2016-10-26 17:05:04
蘇州華林科納半導體設備技術有限公司成立于2008年3月，投資4500萬元。主要從事半導體、太陽能、FPD領域濕制程設備的設計、研發、生產及銷售；同時代理半導體、太陽能、FPD領域其它國外設備，負責
2015-04-02 17:22:46
功率AlGaN_GaN肖特基二極管結構優化設計_徐儒
2017-01-08 10:30:29
1 本文報道了algan/gan高電子遷移率晶體管（hemt）在反向柵偏壓作用下閾值電壓的負漂移。該器件在強pinch-off和低漏源電壓條件下偏置一定時間（反向柵極偏置應力），然后測量傳輸特性。施加
2019-10-09 08:00:0010 在噴淋蝕刻過程中，蝕刻液是通過蝕刻機上的噴頭，在一定壓力下均勻地噴淋到印制電路板上的。蝕刻液到達印制板之后進入干鏌之間的凹槽內并與凹槽內露出的銅發生化學反應。
2020-04-08 14:53:253295 
基于溫度步進應力實驗，研究了 AlGaN /GaN HEMT 器件在不同溫度應力下的退化規律及退化機理。實驗發現： 在結溫為 139 ～ 200 ℃ 時，AlGaN /GaN HEMT 器件
2020-06-23 08:00:002 書籍：《炬豐科技-半導體工藝》 文章：單晶的濕法蝕刻和紅外吸收 編號：JFKJ-21-206 作者：炬豐科技 摘要 采用濕法腐蝕、x射線衍射和紅外吸收等方法研究了物理氣相色譜法生長AlN單晶的缺陷
2023-04-23 11:15:00118 低損耗硅波導和有效的光柵耦合器來將光耦合到其中。通過使用各向異性濕法蝕刻技術，我們將側壁粗糙度降低到1.2納米。波導沿[112]方向在絕緣體上硅襯底上形成圖案。
2021-12-22 10:17:21712 電感耦合等離子體反應離子蝕刻獲得的高蝕刻速率和高度各向異性的輪廓。光增強濕法蝕刻提供了一種獲得高蝕刻速率而沒有離子誘導損傷的替代途徑。該方法適用于器件制造以及n-氮化鎵中位錯密度的估算。這有可能發展成為一種快
2021-12-30 10:36:17989 
我們華林科納開發了一種可控、平滑的氫氧化鉀基濕法刻蝕技術，AlN和AlxGa1xN之間的高選擇性被發現對于基于AlGaN的深紫外發光二極管實現有效的襯底減薄或去除至關重要，從而提高光提取效率
2022-01-05 16:10:51564 
摘要 本文對本克斯使用的鋁蝕刻劑進行調查，以長期提高蝕刻部件的質量。非常薄的鋁箔圖案在磷酸、氯化鐵和水銹溶液中精確蝕刻的鋁箔圖案符合尺寸和一致性標準。蝕刻劑的主要問題是，由蒸發和耗盡引起的成分變化
2022-01-07 16:47:46840 
氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術的堿金屬氫氧化物，是用于微加工硅片的最常用的硅蝕刻化學物質之一。各向異性蝕刻優先侵蝕基底。也就是說，它們在某些方向上的蝕刻速率比在其他方向上的蝕刻速率
2022-01-11 11:50:332152 
(HFETs) 和AlGaN/GaN異質結雙極晶體管(HBT)。 在本研究中，我們描述了對高質量氮化鋁和氮化鎵單晶襯底之間的蝕刻選擇性以及兩種塊體材料的兩種極性之間的選擇性的研究。確定了每次蝕刻過程后的蝕刻
2022-01-14 11:16:262494 
引言 我們華林科納研究了KOH基溶液中AIN的濕式化學蝕刻與蝕刻溫度和材料質量的關系。這兩種材料的蝕刻速率都隨著蝕刻溫度的增加而增加，從20~80°C不等。通過在1100°C下快速熱退火，提高了反應
2022-01-17 16:21:48324 
蝕刻的濕法蝕刻技術的方法。本文分析了玻璃濕法刻蝕工藝的基本要素，如:玻璃成分的影響、刻蝕速率、掩膜層殘余應力的影響、主要掩膜材料的表征、濕法刻蝕工藝產生的表面質量。通過分析的結果，提出了一種改進的玻璃深度濕
2022-01-19 16:13:401873 
濕法蝕刻工藝已經廣泛用于生產各種應用的微元件。這些過程簡單易操作。選擇合適的化學溶液(即蝕刻劑)是濕法蝕刻工藝中最重要的因素。它影響蝕刻速率和表面光潔度。銅及其合金是各種工業，特別是電子工業的重要
2022-01-20 16:02:241863 
本文探討了紫外輻照對生長在藍寶石襯底上的非有意摻雜n型氮化鎵(GaN)層的濕法化學刻蝕的影響。實驗過程中，我們發現氮化鎵的蝕刻發生在pH值分別為2-1和11-15的磷酸水溶液和氫氧化鉀溶液中。在稀釋
2022-01-24 16:30:31948 
摘要 FeCl3·6h2o用于單晶氧化鋅薄膜的濕法蝕刻。該方法對抑制用酸蝕刻氧化鋅薄膜時通常觀察到的“W”形蝕刻輪廓有很大的影響。通過觸控筆輪廓儀和掃描電子顯微鏡證實，在廣泛的蝕刻速率下獲得了
2022-01-26 14:46:48307 
索引術語:氮化鎵，蝕刻 摘要 本文介紹了我們華林科納的一種利用氫氧化鉀溶液和大面積汞燈照明對氮化鎵進行光增強濕法化學刻蝕的工藝。討論了n+氮化鎵、非有意摻雜氮化鎵和p-氮化鎵樣品的結果。 介紹 光電
2022-02-07 14:35:421479 
我們華林科納使用K2S2O8作為氧化劑來表征基于KOH的紫外(UV)光輔助濕法蝕刻技術。該解決方案提供了良好控制的蝕刻速率，并產生了光滑的高質量蝕刻表面，同時通過原子力顯微鏡測量的表面粗糙度降低最小
2022-02-14 16:14:55716 
電感耦合等離子體反應離子蝕刻獲得的高蝕刻速率和高度各向異性的輪廓。光增強濕法蝕刻提供了一種獲得高蝕刻速率而沒有離子誘導損傷的替代途徑。該方法適用于器件制造以及n-氮化鎵中位錯密度的估算。這有可能發展成為一種快速評估材料的方法。
2022-02-23 16:20:242208 
性，單片濕法刻蝕法是一種有用的技術。其進一步推進應得到理論計算的支持。 因此，在我們之前的研究中開發了使用單晶片濕法蝕刻機進行二氧化硅膜蝕刻的數值計算模型。首先，通過水流可視化獲得旋轉晶片上的整個水運動，并進行評估
2022-03-02 13:58:36751 
在 KOH 水溶液中進行濕法化學蝕刻期間，硅 (1 1 1) 的絕對蝕刻速率已通過光學干涉測量法使用掩膜樣品進行了研究。蝕刻速率恒定為0.62 ± 0.07 μm/h 且與 60
2022-03-04 15:07:09845 
HF對基片進行了研究，主要分為隨機蝕刻和周期性蝕刻。 我們討論了蝕刻的問題機理、蝕刻速率、硬掩膜材料、周期性光俘獲結構。
2022-03-08 11:52:411214 
我們開發了一種改進的各向異性濕法蝕刻工藝，通過在晶片上使用單個蝕刻掩模來制造各種硅微結構，這些微結構具有圓形凹角和尖銳凸角、用于芯片隔離的凹槽、蜿蜒的微流體通道、具有彎曲V形凹槽的臺面結構以及具有
2022-03-14 10:51:42581 
材料，其用于許多蝕刻步驟中以抵抗蝕刻。該掩模材料可以是光致抗蝕劑，并且使用光刻法將其圖案化。蝕刻也可以稱為制作空腔，這些空腔應該根據用途具有特定的深度。產生的這種空腔的深度可以通過蝕刻時間和蝕刻速率
2022-03-16 16:31:581136 
本文我們華林科納半導體有限公司研究了類似的現象是否發生在氫氧化鉀溶液中添加的其他醇，詳細研究了丁基醇濃度對（100）和（110）Si平面表面形貌和蝕刻速率的影響，并給出了異丙醇對氫氧化鉀溶液的蝕刻結果，為了研究醇分子在蝕刻溶液中的行為機理，我們還對溶液的表面張力進行了測量。
2022-03-18 13:53:01288 
本文提出了一種利用原子力顯微鏡(AFM)測量硅蝕刻速率的簡單方法，應用硅表面的天然氧化物層作為掩膜，通過無損摩擦化學去除去除部分天然氧化物，暴露地下新鮮硅。因此，可以實現在氫氧化鉀溶液中對硅的選擇性蝕刻，通過原子精密的AFM可以檢測到硅的蝕刻深度，從而獲得了氫氧化鉀溶液中精確的硅的蝕刻速率。
2022-03-18 15:39:18401 
本文介紹了我們華林科納采用氮化硅膜作為掩膜，采用濕蝕刻技術制備黑硅，樣品在250~1000nm波長下的吸收率接近90%。實驗結果表明，氮化硅膜作為掩模濕蝕刻技術制備黑硅是可行的，比飛秒激光、RIE
2022-03-29 16:02:59819 
本文研究了通過光敏抗蝕劑的濕蝕刻劑滲透。后者能夠非?？焖俚仨憫x擇濕蝕刻劑/聚合物的兼容性，以保護下面的膜不被降解。如今，大多數材料圖案化是用等離子蝕刻而不是濕法蝕刻來進行的。事實上，與通常
2022-04-06 13:29:19666 
，并添加化學物質來調整粘度和單晶圓旋轉加工的表面潤濕性。 當硅被蝕刻并并入蝕刻溶液時，蝕刻速率將隨時間而降低。 這種變化已經建模。 這些模型可以延長時間，補充化學物質，或者兩者兼而有之。
2022-04-07 14:46:33751 
本研究的目的是開發和應用一個數值模型來幫助設計和操作CDE工具，為此，我們編制了第一個已知的NF3/02氣體的等離子體動力學模型，通過與實驗蝕刻速率數據的比較，實現了模型驗證。此外，該模型通過改變
2022-04-08 16:44:54894 
本文研究了通過光敏抗蝕劑的濕蝕刻劑滲透。后者能夠非?？焖俚仨憫x擇濕蝕刻劑/聚合物的兼容性，以保護下面的膜不被降解。如今，大多數材料圖案化是用等離子蝕刻而不是濕法蝕刻來進行的。事實上，與通常
2022-04-22 14:04:19591 
本文提出了一種將垂直氮化鎵鰭式場效應晶體管中的鰭式溝道設計成直而光滑的溝道側壁的新技術。因此，詳細描述了在TMAH溶液中的氮化鎵濕法蝕刻；我們發現m-GaN平面比包括a-GaN平面在內的其他取向
2022-05-05 16:38:031394 
在使用低溫卡盤的低壓高密度等離子體反應器中研究了硅結構的深且窄的各向異性蝕刻。我們華林科納以前已經證明了這種技術在這種結構上的可行性。已經研究了蝕刻速率和輪廓的改進，并且新的結果顯示
2022-05-11 15:46:19730 
我們華林科納研究探索了一種新的濕法腐蝕方法和減薄厚度在100 μm以下玻璃的解決方案，為了用低氫氟酸制備蝕刻溶液，使用NH4F或nh4hf 2作為主要成分并加入硫酸或硝酸是有效的，研究了混合酸溶液
2022-05-20 16:20:243162 本文講述了我們華林科納研究了M111N蝕刻速率最小值的高度，以及決定它的蝕刻機制，在涉及掩模的情況下，M111N最小值的高度可以受到硅/掩模結處的成核的影響，以這種方式影響蝕刻或生長速率的結可以
2022-05-20 17:12:59853 
通常在蝕刻過程之后通過將總厚度變化除以蝕刻時間或者通過對不同的蝕刻時間進行幾次厚度測量并使用斜率的“最佳擬合”來測量，當懷疑蝕刻速率可能不隨時間呈線性或蝕刻開始可能有延遲時，這樣做有時可以實時測量蝕刻速率。
2022-05-27 15:12:133473 本文介紹了我們華林科納采用混合酸溶液(H3PO4 : H2SO4 = 1 : 3)和熔融KOH作為濕法腐蝕介質，鹽酸作為陽極腐蝕介質，用掃描電鏡和透射電鏡分別觀察了蝕坑和T-Ds。
2022-05-27 16:56:03537 
本文提出了基于濺射Ti/Pt/Cr和Cr/Pt/Cr金屬多層膜在熱王水中濕法腐蝕Pt薄膜的簡單制備方案，鉻(Cr)或鈦(Ti)用作鉑的粘附層，Cr在Pt蝕刻過程中被用作硬掩模層，因為它可以容易
2022-05-30 15:29:152171 
引用 本文介紹了我們華林科納半導體研究了取向硅在氫氧化鉀水溶液中的各向異性腐蝕特性和凸角底切機理。首先，確定控制底切的蝕刻前沿的晶面，并測量它們的蝕刻速率。然后，基于測量數據，檢驗了凸角補償技術
2022-06-10 17:03:481114 
引言 我們華林科納討論了一種高速率各向異性蝕刻工藝，適用于等離子體一次蝕刻一個晶片。結果表明，蝕刻速率主要取決于Cl濃度，而與用于驅動放電的rf功率無關。幾種添加劑用于控制蝕刻過程。加入BCl以開始
2022-06-13 14:33:14904 
引言 我們華林科納描述了一種與去離子水中銅的蝕刻相關的新的成品率損失機制。在預金屬化濕法清洗過程中，含有高濃度溶解氧的水會蝕刻通孔底部的銅。蝕刻在金屬化后殘留的Cu中產生空隙，導致受影響的陣列電路
2022-06-16 16:51:101809 
的逐層秘密。隨著制造工藝的變化和半導體結構的變化，這些技術需要在時間和程序上不斷調整。雖然有許多工具有助于這些分析，如RIE(反應離子蝕刻-一種干法蝕刻技術)、離子銑削和微切割，但鎢的濕法化學蝕刻有時比RIE技術更具重現性。
2022-06-20 16:38:205220 
本文報道了InGaP/GaAsNPNHBTs在噴霧濕化學蝕刻過程中修復光刻膠粘附失敗的實驗結果。我們確定了幾個可能影響粘附性的因素，并采用實驗設計(DOE)方法研究了所選因素的影響和相互作用。最顯著
2022-06-29 11:34:590 本文描述了我們華林科納一種新的和簡單的方法，通過監測腐蝕過程中薄膜的電阻來研究濕法腐蝕ITO薄膜的動力學，該方法能夠研究0.1至150納米/分鐘之間的蝕刻速率。通?？梢詤^分三種不同的狀態：(1)緩慢
2022-07-01 14:39:132242 
在本研究中，我們華林科納研究了在液晶顯示(LCD)技術中常用的蝕刻劑中相同的ITO薄膜的蝕刻速率，保持浴液溫度恒定，并比較了含有相同濃度的酸的溶液，對ITO在最有趣的解決方案中的行為進行了更詳細的研究，試圖闡明這些浴液中的溶解機制。
2022-07-04 15:59:581436 
中以及在非酸性乙酰丙酮中容易被蝕刻，但是III族氮化物和SiC非常難以濕法蝕刻，并且通常使用干法蝕刻。已經研究了用于GaN和SiC的各種蝕刻劑，包括含水無機酸和堿溶液，以及熔融鹽。濕法蝕刻對寬帶隙半導體技術具有多種應用，包括缺陷裝飾、通過產生特征凹坑或小丘來識
2022-07-06 16:00:211643 
本文介紹了我們華林科納在半導體制造過程中進行的濕法蝕刻過程和使用的藥液，在晶圓表面，為了形成LSI布線，現在幾乎所有的半導體器件都使用干蝕刻方式，這是因為干法蝕刻與濕法蝕刻相比，各向異性較好，對于形成細微的布線是有利的。
2022-07-06 16:50:321539 
50納米，4，5，盡管最近有報道稱rms粗糙度低至4–6納米的表面。6光增強電化學(PEC)濕法蝕刻也已被證明適用于氮化鎵(GaN)的蝕刻。7–10 PEC蝕刻具有設備成本相對較低和表面損傷較低的優勢
2022-07-12 17:19:243454 
薄晶片已成為各種新型微電子產品的基本需求。更薄的模具需要裝進更薄的包裝中。與標準的機械背磨相比，在背面使用最終的濕法蝕刻工藝而變薄的晶片的應力更小。
2022-08-26 09:21:362363 
在半導體濕法蝕刻中， 熱磷酸廣泛地用于對氮化硅的去除工藝， 實踐中發現溫下磷酸對氮化硅蝕刻率很難控制。 從熱磷酸在氮化硅濕法蝕刻中的蝕刻原理出發， 我們華林科納分析了影響蝕刻率的各個因素， 并通過
2022-08-30 16:41:592998 
蝕刻不是像沉積或鍵合那樣的“加”過程，而是“減”過程。另外，根據刮削方式的不同，分為兩大類，分別稱為“濕法蝕刻”和“干法蝕刻”。簡單來說，前者是熔法，后者是挖法。
2023-01-29 09:39:003850 最近，AlGaN/GaN肖特基二極管（SBD）受到了越來越多的關注。該器件具有關斷速度快、擊穿電壓高導通電阻小等特點，因而被業界廣泛地認為是下一代功率器件的候選者。但是，目前對AlGaN/GaN
2023-02-13 09:33:19560 
干法蝕刻與濕法蝕刻之間的爭論是微電子制造商在項目開始時必須解決的首要問題之一。必須考慮許多因素來決定應在晶圓上使用哪種類型的蝕刻劑來制作電子芯片，是液體（濕法蝕刻）還是氣體（干法蝕刻）
2023-04-12 14:54:331005 蝕刻是微結構制造中采用的主要工藝之一。它分為兩類：濕法蝕刻和干法蝕刻，濕法蝕刻進一步細分為兩部分，即各向異性和各向同性蝕刻。硅濕法各向異性蝕刻廣泛用于制造微機電系統(MEMS)的硅體微加工和太陽能電池應用的表面紋理化。
2023-05-18 09:13:12701 
等離子體蝕刻是氮化鎵器件制造的一個必要步驟，然而，載體材料的選擇可能會實質上改變蝕刻特性。在小型單個芯片上制造氮化鎵（GaN）設備，通常會導致晶圓的成本上升。在本研究中，英思特通過鋁基和硅基載流子來研究蝕刻過程中蝕刻速率、選擇性、形貌和表面鈍化的影響。
2023-05-30 15:19:54452 
國內半導體產業的行業盛會將在上海如期舉行，華林科納將為您帶來超全面且領先的濕法解決方案，并攜泛半導體濕法裝備服務平臺亮相SEMICON China，與上下游企業進行一對一交流，為企業發展瓶頸找到
2023-07-04 17:01:30251 
GaN及相關合金可用于制造藍色/綠色/紫外線發射器以及高溫、高功率電子器件。由于 III 族氮化物的濕法化學蝕刻結果有限，因此人們投入了大量精力來開發干法蝕刻工藝。干法蝕刻開發一開始集中于臺面結構，其中需要高蝕刻速率、各向異性輪廓、光滑側壁和不同材料的同等蝕刻。
2023-10-07 15:43:56319 
寬帶隙GaN基高電子遷移率晶體管(HEMTs)和場效應晶體管(fet)能夠提供比傳統Si基高功率器件更高的擊穿電壓和電子遷移率。常關GaN非常需要HEMT來降低功率并簡化電路和系統架構，這是GaN HEMT技術的主要挑戰之一。凹進的AlGaN/GaN結構是實現常關操作的有用選擇之一。
2023-10-10 16:21:11292 
氮化鎵(GaN)具有六方纖鋅礦結構，直接帶隙約為3.4eV，目前已成為實現藍光發光二極管(led)的主導材料。由于GaN的高化學穩定性，在室溫下用濕法化學蝕刻來蝕刻或圖案化GaN是非常困難的。與濕法
2023-10-12 14:11:32244 
GaN基高電子遷移率晶體管（HEMT）由于其高頻和低導通電阻的特性，近來在功率開關應用中引起了廣泛關注。二維電子氣（2DEG）是由AlGaN/GaN異質結中強烈的自發和壓電極化效應引起的，這導致傳統器件通常處于導通狀態，即耗盡模式。
2023-11-27 10:37:47293 
由于其獨特的材料特性，III族氮化物半導體廣泛應用于電力、高頻電子和固態照明等領域。加熱的四甲基氫氧化銨(TMAH)和KOH3處理的取向相關蝕刻已經被用于去除III族氮化物材料中干法蝕刻引起的損傷，并縮小垂直結構。
2023-11-30 09:01:58166 
基于GaN的高電子遷移率，晶體管，憑借其高擊穿電壓、大帶隙和高電子載流子速度，應用于高頻放大器和高壓功率開關中。就器件制造而言，GaN的相關材料，如AlGaN，憑借其物理和化學穩定性，為等離子體蝕刻
2023-12-13 09:51:24294 
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