據悉,上海華虹宏力半導體制造有限公司近期成功獲得了“一種嵌入式存儲器參數測試分類篩選方法”的專利權,該專利公開號為CN112820340B,生效日期為2024年4月16日,申請時間為2021年2月5日。
這項專利技術主要包括四個步驟:首先,確定存儲器電參數的調整范圍;其次,進行晶圓測試獲取實際測量的電參數;接著,將這些數據記錄在日志文件中;最后,對日志文件中的數據進行分析,生成測試晶圓圖譜。此方法通過記錄每顆晶圓的電參數調整值,能夠有效地排除異常芯片,提供可靠的風險預警機制,從而提升芯片的可靠性水平。
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