基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia(安世半導體)近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET,并發布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件,RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。
NSF040120L3A0 和 NSF080120L3A0 是 Nexperia SiC MOSFET 產品組合中首批發布的產品,隨后 Nexperia 將持續擴大產品陣容,推出多款具有不同 RDS(on)的器件,并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。這次推出的兩款器件可用性高,可滿足電動汽車(EV)充電樁、不間斷電源(UPS)以及太陽能和儲能系統(ESS)逆變器等汽車和工業應用對高性能 SiC MOSFET 的需求。
Nexperia高級總監兼 SiC 產品部主管 Katrin Feurle 表示:
Nexperia 和三菱電機希望通過這兩款首發產品為市場帶來真正的創新,這個市場一直渴望更多的寬禁帶器件供應商。Nexperia 現可提供 SiC MOSFET 器件,這些器件在多個參數上都具有一流的性能,例如超高的 RDS(on) 溫度穩定性、較低的體二極管壓降、嚴格的閾值電壓規格以及極其均衡的柵極電荷比,能夠安全可靠地防止寄生導通。這是我們與三菱電機承諾合作生產高質量 SiC MOSFET 的開篇之作。毫無疑問,在未來幾年里,我們將共同推動 SiC 器件性能的發展。
三菱電機半導體與器件部功率器件業務高級總經理 Toru Iwagami 表示:
我們很高興與Nexperia攜手推出這些新型SiC MOSFET,這也是我們合作推出的首批產品。三菱電機在SiC功率半導體方面積累了豐富的專業知識,我們的器件實現了多方面特性的出色平衡。
RDS(on)會影響傳導功率損耗,是 SiC MOSFET 的關鍵性能參數。Nexperia 認為這是目前市場上許多 SiC 器件性能的限制因素。但是通過創新工藝技術,Nexperia 的首款 SiC MOSFET 實現了業界領先的溫度穩定性,在 25℃ 至 175℃ 的工作溫度范圍內,RDS(on)的標稱值僅增加 38%。這與市場上其他許多目前可用的 SiC 器件不同。
Nexperia SiC MOSFET的總柵極電荷(QG)非常低,由此可實現更低的柵極驅動損耗。此外,Nexperia 通過平衡柵極電荷,使QGD與QGS比率非常低,這一特性又進一步提高了器件對寄生導通的抗擾度。
除了正溫度系數外,Nexperia SiC MOSFET 的 VGS(th)閾值電壓器件間分布差異極低,這使得器件并聯工作時,在靜態和動態條件下都能實現非常均衡的載流性能。此外,較低的體二極管正向電壓(VSD)有助于提高器件穩健性和效率,同時還能放寬對異步整流和續流操作的死區時間要求。
Nexperia 未來還計劃推出車規級 MOSFET。NSF040120L3A0 和 NSF080120L3A0 現已投入大批量生產。請聯系 Nexperia 銷售代表獲取全套 SiC MOSFET 樣品。
Nexperia (安世半導體)
Nexperia(安世半導體)總部位于荷蘭,是一家在歐洲擁有豐富悠久發展歷史的全球性半導體公司,目前在歐洲、亞洲和美國共有15,000多名員工。作為基礎半導體器件開發和生產的領跑者,Nexperia(安世半導體)的器件被廣泛應用于汽車、工業、移動和消費等多個應用領域,幾乎為世界上所有電子設計的基本功能提供支持。
Nexperia(安世半導體)為全球客戶提供服務,每年的產品出貨量超過1,000億件。這些產品在效率(如工藝、尺寸、功率及性能)方面成為行業基準,獲得廣泛認可。Nexperia(安世半導體)擁有豐富的IP產品組合和持續擴充的產品范圍,并獲得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001標準認證,充分體現了公司對于創新、高效、可持續發展和滿足行業嚴苛要求的堅定承諾。
Nexperia:效率致勝。
審核編輯:湯梓紅
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原文標題:新品快訊 | Nexperia 首款 SiC MOSFET 提高了工業電源開關應用的安全性、穩健性和可靠性標準
文章出處:【微信號:Nexperia_China,微信公眾號:安世半導體】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。
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