據最新消息透露,英偉達即將從今年9月開始大規模采購12層HBM3E內存,而這次供貨的重任將完全由三星電子承擔。這一消息無疑為業內帶來了不小的震動。
早在GTC 2024大會上,英偉達創始人兼CEO黃仁勛就曾在三星電子展示的12層HBM3E實物產品上留下“黃仁勛認證(JENSEN APPROVED)”的簽名,這無疑是對該產品技術實力的極大認可。
與此同時,SK海力士雖在研發12層HBM3E產品方面有所努力,但由于部分工程問題,他們未能如期推出相關產品。不過,該公司并未因此氣餒,反而決定從本月末開始批量生產8層HBM3E產品,以期在市場中占據一席之地。
這一事件再次證明了三星電子在內存技術研發方面的領先地位,也顯示了英偉達對于高性能計算領域持續投入的決心。未來,隨著雙方合作的深入,我們有理由相信,高性能計算領域將迎來更多令人矚目的技術突破。
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
-
三星電子
+關注
關注
34文章
15657瀏覽量
180274 -
內存
+關注
關注
8文章
2790瀏覽量
72966 -
英偉達
+關注
關注
22文章
3464瀏覽量
88761 -
HBM3E
+關注
關注
0文章
62瀏覽量
20
發布評論請先 登錄
相關推薦
三星HBM研發受挫,英偉達測試未達預期,如何滿足AI應用GPU的市場需求?
據DigiTimes報道,三星HBM3E未能通過英偉達測試可能源于臺積電審批環節出現問題。三星與臺積電在晶圓代工領域長期競爭,但在英偉達主導
三星HBM芯片遇阻英偉達測試
近日,三星電子最新的高帶寬內存(HBM)芯片在英偉達測試中遭遇挫折。據知情人士透露,芯片因發熱和功耗問題未能達標,影響到了其HBM3及下一代
傳三星HBM3E尚無法通過英偉達認證
三星電子近期正積極投入驗證工作,以確保其HBM3E產品能夠順利供應給英偉達。然而,業界傳出消息,因臺積電在采用標準上存在的某些問題,導致8層HBM3E產品目前仍需要進一步的檢驗。
三星HBM3E芯片驗證仍在進行,英偉達訂單分配備受關注
業內評論指出,三星HBM之所以出現問題,主要原因在于負責英偉達GPU制造的臺積電在驗證過程中采用了SK海力士的標準。由于SK海力士8層HBM3E的生產方式與
三星與AMD達成HBM3E采購大單,總金額達4萬億韓元
三星方面表示,預計今年上半年將正式生產出HBM3E 12H內存,而AMD則計劃于下半年開始生產相應的AI加速卡。值得注意的是,三星
三星電子HBM存儲技術進展:12層HBM3E芯片,2TB/s帶寬HBM4即將上市
據業內透露,三星在HBM3E芯片研發方面遙遙領先其他公司,有能力在2024年9月實現對英偉達的替代,這意味著它將成為英偉達12層
NVIDIA預定購三星獨家供應的大量12層HBM3E內存
據悉,HBM3E 12H內存具備高達1280GB/s的寬帶速率以及36GB的超大存儲容量,較8層堆疊的HBM3 8H,分別提升了50%以上的帶寬及容量。
什么是HBM3E內存?Rambus HBM3E/3內存控制器內核
Rambus HBM3E/3 內存控制器內核針對高帶寬和低延遲進行了優化,以緊湊的外形和高能效的封裝為人工智能訓練提供了最大的性能和靈活性。
發表于 03-20 14:12
?1007次閱讀
三星電子成功發布其首款12層堆疊HBM3E DRAM—HBM3E 12H
2024年2月27日 - 三星電子今日宣布,公司成功發布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H,這是
英偉達斥資預購HBM3內存,為H200及超級芯片儲備產能
據最新傳聞,英偉達正在籌劃發布兩款搭載HBM3E內存的新品——包括141GB HBM3E的H200 GPU及GH200超級芯片,這也進一步說明了對于
英偉達大量訂購HBM3E內存,搶占市場先機
英偉達(NVIDIA)近日宣布,已向SK海力士、美光等公司訂購大量HBM3E內存,為其AI領域的下一代產品做準備。也預示著內存市場將新一輪競爭。
追趕SK海力士,三星、美光搶進HBM3E
共五代產品。對于HBM3E,SK海力士預計2023年底前供應HBM3E樣品,2024年開始量產。8層堆疊,容量達24GB,帶寬為1.15TB/s。 ? 近日,三星電子也更新了HBM3E
評論