關于高數值孔徑EUV和曲線光掩模等燈具的討論

半導體芯科技編譯

來源：Silicon Semiconductor

eBeam Initiative已完成第12屆年度eBeam Initiative杰出人物調查。

來自半導體生態系統（包括光掩模、電子設計自動化（EDA）、芯片設計、設備、材料、制造和研究）的47家公司的行業知名人士參與了今年的調查。

80%的受訪者認為，到2028年，將有多家公司在大批量制造（HVM）中廣泛采用高數值孔徑EUV光刻技術，與去年調查中報告的比例相同。此外，與去年的調查相比，對前沿掩模商能夠處理曲線掩模需求的信心增加了一倍，而87%的人預測前沿掩模至少可以處理有限數量的曲線掩模。

今年的杰出人物調查中增加了新問題，評估人們對EUV和非EUV前沿掩模和圖案的看法。70%的人表示曲線逆光刻技術（ILT）對于非EUV前沿節點非常有用，而75%的人同意2納米、0.33 NA EUV需要該技術。預計通過光化測試檢查EUV掩模的百分比將在三年內翻一番，從2023年的加權平均30%增加到2026年的63%。此外，95%的人同意需要多光束掩模寫入機來寫入EUV掩模 。

近日，專家小組在與加州蒙特雷SPIE光掩模技術 + EUV光刻會議聯合舉辦的eBeam Initiative活動中討論燈具調查的完整結果。

杰出人物調查（2023年7月進行）的其他亮點

? 83%的受訪者預測，2023年掩模收入將增加或保持不變，盡管SEMI預測掩模市場將收縮3%

? 82%的人預測，到2027年，高數值孔徑EUV將首先用于HVM

? 71%的人認為，高數值孔徑EUV的最小掩模尺寸將為20 nm或以下

? 大多數受訪者預測，未來三年用于多光束掩模寫入機（77%）和掩模檢測（63%）的僅193i設備采購量將會增加

? 83%的受訪者認為，“非EUV前沿”（193i光刻達到經濟可行性實際極限的節點）在>5 nm 至14 nm范圍內

eBeam Initiative的管理公司贊助商D2S首席執行官Aki Fujimura表示：“年度eBeam Initiative杰出人物調查的參與者是一群獨特的半導體內部人士，他們對塑造該行業的市場和技術趨勢有著敏銳的洞察力。在過去幾年中，調查指出曲線ILT的使用增加是EUV和193i的主要趨勢。今年的調查結果表明，人們對曲線掩模（包括非EUV 前沿節點）仍然充滿信心，并且存在在更關鍵層使用ILT的趨勢。得益于多光束掩模寫入和GPU加速，現在可以實現曲線掩模。曲線掩模展示了諸如工藝窗口增加高達100%等優勢，表明它們可以成為將當前光刻技術擴展到更先進節點的解決方案的一部分?！?/p>

審核編輯 黃宇