東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)宣布,推出兩款采用東芝新型S-TOGL(小型晶體管輪廓鷗翼式引腳)封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產品已于8月17日開始支持批量出貨。
自動駕駛系統等高安全級別的應用可通過冗余設計確??煽啃?,因此與標準系統相比,它們集成了更多的器件,需要更多的表貼空間。所以,要進一步縮小汽車設備的尺寸,需要能夠在高電流密度下表貼的功率MOSFET。
XPJR6604PB和XPJ1R004PB采用東芝的新型S-TOGL封裝(7.0mm×8.44mm[1]),其特點是采用無接線柱結構,將源極連接件和外部引腳一體化。源級引腳的多針結構降低了封裝電阻。
與具有相同熱阻特性的東芝TO-220SM(W)封裝產品[2]相比,S-TOGL封裝與東芝U-MOS IX-H工藝相結合,可實現導通電阻顯著降低11%。與TO-220SM(W)封裝相比,新型封裝還將所需的表貼面積減少了大約55%。此外,采用新型封裝的產品可提供200A漏極額定電流,高于東芝類似尺寸的DPAK+封裝(6.5mm×9.5mm[1])產品,從而實現了大電流??傮w而言,S-TOGL封裝可實現高密度和緊湊布局,縮小汽車設備的尺寸,并有助于實現高散熱。
由于汽車設備可能在極端溫度環境下工作,因此表面貼裝焊點的可靠性是一個關鍵考慮因素。S-TOGL封裝采用鷗翼式引腳,可降低表貼應力,提高焊點的可靠性。
當需要并聯多個器件為應用提供更大工作電流時,東芝支持這兩款新產品按柵極閾值電壓分組出貨[3]。這樣可以確保設計使用同一組別的產品,從而減小特性偏差。
東芝將繼續擴展其功率半導體產品線,并通過用戶友好型、高性能功率器件為實現碳中和做出貢獻。
應用
特性
新型S-TOGL封裝:7.0mm×8.44mm(典型值)
高額定漏極電流:
XPJR6604PB:ID=200A
XPJ1R004PB:ID=160A
AEC-Q101認證
提供IATF 16949/PPAP[4]
低導通電阻:
XPJR6604PB:RDS(ON)=0.53m?(典型值)(VGS=10V)
XPJ1R004PB:RDS(ON)=0.8m?(典型值)(VGS=10V)
主要規格
審核編輯:湯梓紅
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原文標題:【會員風采】東芝推出采用新型封裝的車載40V N溝道功率MOSFET,有助于汽車設備實現高散熱和小型化
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