小型化一直是電子行業的一個熱點，對電源尤其重要。電源的質量通常以單位體積的功率來衡量，本文討論了一些有助于實現小型化電源設計的注意事項。
2022-07-27 09:33:20
320 小型化一直是電子行業的一個熱點，對電源尤其重要。電源的質量通常以單位體積的功率來衡量，本文討論了一些有助于實現小型化電源設計的注意事項。
2022-08-01 11:31:14444 中國上海， 2023 年 6 月 13 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1，進一步擴充了N溝道功率MOSFET系列產品
2023-06-13 16:38:50712 
`深圳市三佛科技有限公司 供應03N10 100V 3A SOT-89 MOS管 HN03N10D，原裝，庫存現貨熱銷HN03N10D參數：100V 3ASOT-89 N溝道 MOS管/場效應管品牌
2021-03-24 10:44:05
型號： 05N10VDS：100VIDS：5A封裝：SOT-23/SOT-89溝道：N溝道05N10原裝正品,05N10現貨熱銷供應100V MOS管05N10產品質量穩定，廣泛運用于LED電源
2020-08-13 11:37:37
`深圳市三佛科技有限公司 供應 10N10 100V 10A 香薰機MOS管 ,原裝，庫存現貨熱銷10N10參數： TO-252/SOT-89100V10AN溝道 MOS場效應管
2020-07-31 14:50:51
進一步實現小型化。開關損耗大幅降低，可進一步提升大功率應用的效率ROHM利用獨有的內部結構并優化散熱設計開發出新型封裝，從而開發并推出了600A額定電流的全SiC功率模塊產品。由此，全SiC功率模塊在工業
2018-12-04 10:20:43
深圳市三佛科技有限公司 供應 40N10 霧化器用MOS管 HN40N10KA 100V 40A MOS，原裝，庫存現貨熱銷HN40N10KA 參數 100V40A TO-252低開啟電壓N溝道
2020-08-13 11:20:37
惠海半導體 供應 4N10 100V MOS，替代型號HN0501，mos原廠，庫存現貨熱銷 4N10 ：100V 4A SOT-23 N溝道MOS管/場效應管 HC0551010參數：100V
2020-11-20 14:48:03
`深圳市三佛科技有限公司 供應 100V 15A 汽車LED燈MOS管 HN15N10DA，原裝，庫存現貨熱銷HN15N10DA參數：100V 15A TO-252 N溝道 MOS管/場效應管品牌
2021-05-08 15:39:38
型號：HC160N1038VDS：100VIDS：3A封裝：SOT-23溝道：N溝道100V MOS管HC160N1038 原廠mos，庫存現貨熱銷可以替代SI2328DS售后服務：公司免費提供樣品，并提供產品運用的技術上
2020-11-20 13:54:17
溝道100V MOS管HC160N10LS原裝, HC160N10LS現貨熱銷供應100V MOS管HC160N10LS產品質量穩定，廣泛運用于LED電源，充電器，小家電，電源，混色LED燈等電子產品我
2020-10-09 15:36:45
低內阻小節電容發熱小中低壓MOS大全TO-252 SOT23-3封裝100V MOS管100V 30A 35A 50A 23 23L SOP8 TO-252 N溝道MOS管【低電壓開啟低內阻】主營
2021-03-13 09:34:36
：型號：HC160N10L N溝道場效應管100V10A(10N10)TO-252封裝，可用于霧化器、車燈電源等型號：HC080N10L N溝道場效應管 100V17A(17N10)TO-252封裝
2020-09-25 15:55:42
100V MOS管100V 貼片MOS 100V常用MOS推薦：HC160N10L，HC080N10L，HC240N10LS，原裝現貨，價格優惠！100V 3A/5A/8A霧化器MOS管,3A/5A
2020-11-02 15:15:36
SOT-89 N溝道MOS管/場效應管HN03N10D參數：100V MOS管100V 3A SOT-89 N溝道 MOS管/場效應管HN0801產品應用于：小家電，霧化器，加濕器，電源，LED。品牌
2021-05-08 15:10:13
這種方案嗎？我這邊將100V音頻輸入經過一個整流電路，用7805電源芯片降壓輸出個5V去控制繼電器切換輸出，但是當100V音頻輸入音量小的時候，就控制不了，我測了一下，當100V音頻輸入音量小的時候，電壓只要1V多（PS:交流電壓1V多），所以7805電源芯片無法輸出5V電壓去控制
2019-11-15 18:29:38
、大功率 MOSFET 開關管，外圍元器件簡單，系統應用靈活，轉換效率最高可達 98%以上，輸入電壓可兼容到 100V以上，系統體積小，內置過溫保護，開路保護，過流保護，短路保護，輸入過壓保護等全套可靠性
2015-12-18 11:48:51
`<p><font face="Verdana">N溝道MOSFET概述<br/&
2010-08-17 09:21:57
到地面 （-） 來激活它。如果將N溝道MOSFET連接到負載的VCC側，源極值也將非常接近VCC。要激活 MOSFET，必須向柵極施加大于 VCC的電壓。由于這種更高的電壓并不總是容易獲得，因此將電源連接
2023-02-02 16:26:45
`N溝道增強型MOSFET TDM31066[/td][/td][td=499]一般描述一般特征該TDM31066采用先進的溝槽技術RDS（ON）<18.2mΩ@ VGS = 4.5V
2019-01-24 11:00:12
:100V，N溝道，大電流，小封裝MOS，實際電壓可以達到100V，可以滿足LED電源，充電器，小家電等需要低壓，大電流，小封裝的要求。HC510參數：100V 5A SOT-23 N溝道MOS管
2020-07-24 17:25:11
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統設計的過程中，選擇N管還是P管，要針對實際的應用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
摻雜的N-的外延層即epi層來控制。圖2：N溝道垂直導電的平面結構及Rdson組成 在低壓器件中，由于N-外延層比較薄，N+層和漏極的金屬襯底對通態的電阻影響大；大于100V的器件，N-外延層是通態電阻
2016-10-10 10:58:30
電源，這樣就可以將N溝道同步整流功率MOSFET管放在高端。圖6：次級同步整流管放高端（左）、低端（4）通訊系統48V輸入系統的熱插撥如果是-48V的系統，熱插撥的功率MOSFET使用N溝道類型，放在
2016-12-07 11:36:11
的新型電容器，要求電容量大、等效串聯電阻（ESR）小、體積小等?！ 《?、高頻化。為了實現LED開關電源高功率密度，必須提高PWM變換器的工作頻率、從而減小電路中儲能元件的體積重量?！ ∪?、應用壓電變壓器
2014-11-05 18:00:03
如題，最近準備做一個DC 15V，AC 100V，功率約在250W的小型UPS電源，以前玩過反激電路可以搞出來AC-DC的過程，但是DC-AC的過程我就黑了~~有哪位大神以前搞過類似的產品或者方案，或者整個AC/DC的方案，求教一下，或者企鵝271650901，求指教，謝謝謝謝?。?！
2015-07-24 16:48:51
的基礎上還降低了電路成本?！ PS目前有5~15W的一系列的原邊反饋控制芯片方案，MP020是集成700V MOSFET的恒壓恒流(CV/CC) 開關芯片，能輕松實現高精度的穩壓和恒流輸出?！ ∪?、小型化
2018-10-10 16:49:11
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強型電源場效應晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產的溝槽技術。這種高密度工藝特別適合于最小化導通電阻。這些
2021-07-01 09:54:05
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強型電源場效應晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產的溝槽技術。這種高密度工藝特別適合于最小化導通電阻。這些
2021-07-09 09:09:18
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強型電源場效應晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產的溝槽技術。這種高密度工藝特別適合于最小化導通電阻。這些
2021-07-12 09:12:51
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強型電源場效應晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產的溝槽技術。這種高密度工藝特別適合于最小化導通電阻。這些
2021-07-13 09:16:34
BSS123 - 晶體管, MOSFET, N溝道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 VBSS123 N溝道MOSFET 100V 170mA/0.17A
2019-11-13 11:00:58
LT1160的典型應用 - 半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅動器。 LT 1160 / LT1162是經濟高效的半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅動器
2019-05-14 09:23:01
DC2417A-A，用于LTC4367IMS8的演示板，具有32ms故障恢復的UV，OV和反向電源保護。演示電路旨在演示LTC4367 100V過壓（OV），欠壓（UV）和反向電源保護控制器的性能
2019-02-21 09:48:51
的100V，N溝道，大電流MOS，NCE0106R實際電流可以達到6A，可以滿足充電器，移動電源，小家電等需要大電流的要求，NCE0106R產品質量穩定，廣泛運用于充電器，小家電，游戲機，電源,LED
2020-10-28 16:28:24
廣泛運用于LED電源，充電器，小家電，電源，混色LED燈等電子產品。NCE0140KA為新潔能推出的100V，N溝道，大電流MOS，NCE0140KA實際電流可以達到40A，可以滿足充電器，移動電源
2019-11-20 11:02:40
是主開關晶體管且兼具提高效率的作用。為選擇最適合電源應用的開關，本設計實例對P溝道和N溝道增強型MOSFET進行了比較。對市場營銷人員，MOSFET可能代表能源傳遞最佳方案（Most Optimal
2018-03-03 13:58:23
，有高達10MHz的高速開關IC，結構極其精小，被作為小型便攜設備的電源使用。－ 那么，如果BM2Pxxx系列也能實現兆赫茲級別的開關是不是更好。確實該系列產品實現了小型化，但如果提高開關速度，效率
2019-04-29 01:41:22
及方案解決，提供原裝正品芯片、提供技術支持、提供優先貨源，保障客戶利益，為客戶提供全方面服務。我司還提供MOS管，支持樣品測試供應【100V MOS管 N溝道】SL05N10100V
2020-07-27 17:15:08
溝道 MOS管HN50N06DA：60V50A TO-252N溝道 MOS管HN9940L 60V20ATO-251N溝道 MOS管【100V MOS 】 HN0501:100V 5A SOT-23
2021-04-07 15:06:41
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅動，從而也可以實現無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優勢在于芯片面積?。?b class="flag-6" style="color: red">實現小型封裝），而且體
2019-05-07 06:21:55
溝道 MOS管HN50N06DA：60V50A TO-252N溝道 MOS管HN9940L 60V20ATO-251N溝道 MOS管【100V MOS 】 HN0501:100V 5A SOT-23
2021-03-24 10:35:56
圖1為二個P溝道的功率MOSFET組成的充電電路，P溝道的功率MOSFET的型號為：AO4459。Q3和R1實現恒流或限流充電功能，Q4控制電路的工作。圖1：P溝道MOSFET組成充電電路電路工作
2017-04-06 14:57:20
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標準并經 100% Rg 和 UIS 測試。SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護典型值達
2019-07-09 17:30:39
WLP-BAW濾波器的熱建模功率容量與小型化，不看肯定后悔
2021-06-08 06:07:13
MOSFET作為開關使用串聯在電池負極和開關電源負極之間，但總是燒壞MOSFET，MOSFET選用的是IXFN420N10T，Ids可達420A，Vds最大100V，而開關電源是適配48V，電池是鉛酸電池
2016-09-06 12:51:58
````低壓100V貼片MOS管100V4A 4N10 SOT23-3封裝MOS管型號：HC510中壓MOS:100V，N溝道，大電流，小封裝MOS，實際電壓可以達到100V，可以滿足LED電源
2020-07-25 14:36:55
、車燈電源等型號：HC080N10LN溝道場效應管100V17A(17N10)TO-252封裝， 內阻68mR,可用于加濕器、車燈電源等型號：HC021N10LN溝道場效應管100V35A (35N
2020-09-23 11:38:52
、車燈電源等型號：HC080N10LN溝道場效應管100V17A(17N10)TO-252封裝， 內阻68mR,可用于加濕器、車燈電源等型號：HC021N10LN溝道場效應管100V35A (35N
2020-10-14 15:18:58
溝道 MOS管60V 50A TO-252 N溝道 MOS管【100V MOS N溝道 】 100V 5A SOT-23 N溝道 MOS管100V 8A SOT-89 N溝道MOS管100V 3A
2020-11-02 16:02:10
電壓，從而成為可通過以往的分立結構很難實現的高精度來控制DC風扇電機旋轉速度的業界首款＊電源IC。集成為IC后使控制進一步優化，不僅效率大幅提升，還可減少部件數量、提高開關速度，實現外圍元器件的小型化
2018-12-04 10:18:22
N溝道和P溝道MOSFET哪個常用?增強型和耗盡型的哪個常用?
2019-05-13 09:00:00
LT1336的典型應用是具有成本效益的半橋N溝道功率MOSFET驅動器。浮動驅動器可以驅動頂部N溝道功率MOSFET工作在高達60V（絕對最大值）的高壓（HV）軌道上工作
2019-05-10 06:46:05
裝MOS，實際電壓可以達到100V，可以滿足LED電源，充電器，小家電等需要低壓，大電流，小封裝的要求。HC510參數：100V 5A SOT-23 N溝道MOS管/場效應管：100V5A封裝
2020-09-23 09:42:17
溝道MOSFET也可用作降壓穩壓器高側開關。這些應用需要自舉電路或其它形式的高側驅動器。圖1：具有電平移位器的高側驅動IC。圖2：用自舉電路對高側N溝道MOSFET進行柵控。極性決定了MOSFET的圖形
2021-04-09 09:20:10
多芯片驅動器加FET技術是如何解決小型化DC/DC應用設計問題的？
2021-04-21 06:50:18
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應用于工業機器的電源或光伏發電的功率調節器等。2. 電路構成現在量產中的SiC功率模塊是一種以一個模塊構成半橋電路的2in1類型
2019-03-12 03:43:18
機載計算機電源的小型化設計1概述隨著微電子技術的發展，采用大規模和超大規模集成電路的機載計算機主機已越來越小型化，因而對其電源部件的體積和重量提出了進一步小型化的要求，然而現有的機載計算機電源，已經
2021-11-12 07:05:16
12V電源浪涌的要求是什么？求一個12V電源口的浪涌保護雷卯電子推出小型化的方案
2022-01-14 07:35:40
DC2417A-B，用于LTC4367IMS8-1的演示板，具有0.5ms故障恢復的UV，OV和反向電源保護。演示電路旨在演示LTC4367 100V過壓（OV），欠壓（UV）和反向電源保護控制器
2019-02-19 09:30:42
比較羅姆在功率元器件及電源IC小型化上的推進很多整機產品的設計人員感嘆配套基板一般都是電源。另外，時常耳聞印制電路板的單位面積成本逐日攀升。的確，從有些智能手機和平板電腦等的拆解圖片上看，基板被電池
2019-04-07 22:57:55
AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強型電源場效應晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產的溝槽技術。這種高密度工藝特別適合于最小化導通電阻。這些
2021-08-05 11:48:56
[中國，深圳，2020年12月15日]高質量無源器件廠商起浪光纖宣布針對100Gbps和200Gbps CFP2-DCO（數字相干光學）光模塊應用推出系列小型化EDFA（摻鉺光纖放大器）產品及一站式
2020-12-15 09:47:26
變壓器銅損較低，同時，正激式電路副邊紋波電壓電流衰減比反激式明顯，因此，一般認為正激式變換器適用在低壓，大電流，功率較大的場合?！ ?系統總體框圖 一種高效小型化的開關電源設計的系統總體框圖如圖1所示
2018-11-21 11:18:15
摘要：介紹了一種以功率MOSFET管為主開關管的RCC電路，分析了電路工作原理。試驗結果表明，該電路對于提高電源的電網適應性，實現電源的小型化具有實用價值。關鍵詞：功率M
2010-05-13 09:10:46
85
一種小型化高壓小功率電源
摘要：論述了一種小型化的高壓電源，它一改傳統的高、低壓組合式為一體化式，從而使
2009-07-11 10:44:23491 
安森美半導體推出12款新N溝道功率MOSFET系列
經過100%雪崩測試的MOSFET提供業界領先的雪崩額定值，能承受電源和電機控制應用中的大電壓尖峰
2010年2月2日 – 應用
2010-02-03 10:13:151095 安森美新增100V N溝道MOSFET系列：NTP641x/NTB641x/NTD641x
安森美半導體(ON Semiconductor)擴充N溝道功率MOSFET系列，新增12款100伏(V)器件。安森美半導體經過完備測試的N溝道功率MOSF
2010-02-05 08:37:091769 東京—東芝公司（TOKYO：6502）旗下半導體&存儲產品公司今天宣布，推出單通道高邊N溝道功率金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）柵極驅動器“TPD7104F”。
2014-11-05 18:54:361787 新產品是東芝首款采用緊湊型SOP Advance（WF）封裝的車用100V N溝道功率MOSFET。封裝采用可焊錫側翼端子結構，安裝在電路板上時能夠進行自動目視檢查，從而有助于提高可靠性。
2019-12-26 09:26:463093 電源系統中的恒定電流源，固態繼電器，電信開關和高壓直流線路等應用需要N溝道耗盡型功率MOSFET，當柵極至源極電壓為零時，該MOSFET用作常開的開關。本文將介紹IXYS最新的N溝道耗盡型功率
2021-05-27 12:18:587444 
100V 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅動器在 -40°C 至 150°C 的溫度范圍內工作
2021-03-19 06:51:081 的能力主要通過實踐培養起來的。 近日，東芝針對汽車應用推出了XPW4R10ANB、XPW6R30ANB、XPN1300ANC三款100V N溝道功率MOSFET產品，進一步擴充了產品線。這些產品符合AEC-Q101標準，應用于汽車設計中，有助于縮小汽車設備體積，滿足當前市
2021-10-25 14:16:291657 
的能力主要通過實踐培養起來的。 新品 近日，東芝針對汽車應用推出了XPW4R10ANB、XPW6R30ANB、XPN1300ANC三款100V N溝道功率MOSFET產品，進一步擴充了產品線。這些產品符合AEC-Q101標準，應用于汽車設計中，有助于縮小汽車設備體積，滿足當
2021-11-26 15:22:501827 
東芝拓展650V超結結構N溝道功率MOSFET新品 景嘉微發布JH920 東芝拓展新一代超級結結構N溝道功率MOSFET“DTMOSVI系列”的產品線 東芝電子元件及存儲裝置株式會社 （“東芝
2022-03-18 17:35:264581 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。
2022-04-01 16:42:3610906 NP16P10G(100V P溝道增強模式MOSFET)
2022-07-18 09:06:001412 
NP2P10MR(100V P溝道增強模式MOSFET)
2022-07-18 09:14:57946 
采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100V、10.9mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN011-100YSF
2023-02-20 19:50:190 100 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D385-100E
2023-02-20 19:57:310 D2PAK 中的 N 溝道 100V 6.8 mOhm 標準電平 MOSFET。-PSMN7R0-100BS
2023-03-03 18:53:300 D2PAK 中的 N 溝道 100V 26.8 mOhm 標準電平 MOSFET。-PSMN027-100BS
2023-03-03 19:00:210 D2PAK 中的 N 溝道 100V 16 mOhm 標準電平 MOSFET-PSMN016-100BS
2023-03-03 19:01:500 N 溝道 100V 8.5 mΩ 標準電平 MOSFET，采用 TO220F (SOT186A)-PSMN8R5-100XS
2023-03-03 20:12:570 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET——“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代[1]U-MOSX-H工藝，可用于工業設備開關電源，涵蓋數據中心和通信基站等電源應用。該產品于今日開始支持批量出貨。
2023-03-31 10:05:32727 小型化一直是電子行業的一個熱點，對電源尤其重要。電源的質量通常以單位體積的功率來衡量。本文討論了一些有助于實現小型化電源設計的注意事項。
2023-06-14 15:19:32401 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1，進一步擴充了N溝道功率MOSFET系列產品線。
2023-06-16 09:03:30228 
小型化一直是電子行業的一個熱點，對電源尤其重要。電源的質量通常以單位體積的功率來衡量，本文討論了一些有助于實現小型化電源設計的注意事項。盡量減少外部元件數量電源通常由至少一個半導體和若干無源外部元件
2022-07-28 09:41:451901 
點擊“東芝半導體”，馬上加入我們哦！ 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布， 推出采用東芝最新一代U-MOS X-H工藝制造而成的100V N溝道功率MOSFET“TPH3R10AQM
2023-06-29 17:40:01368 
小型化一直是電子行業的一個熱點，對電源尤其重要。電源的質量通常以單位體積的功率來衡量。ADI在本文討論了一些有助于實現小型化電源設計的注意事項。
2023-07-08 15:08:31339 
隨著現代電子設備對小型化和高效率的要求不斷提高,對電源管理芯片的技術也提出了更高要求。針對此趨勢,安森德半導體公司推出了新一代異步整流MOSFET—ASDM100R090NKQ。這款100V N溝道功率MOSFET憑借其卓越的靜態和動態性能參數,將助您的設計實現更高功率密度和轉換效率。
2023-08-14 15:04:45367 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGLTM（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產品于今日開始支持批量出貨。
2023-08-22 11:03:21557 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGL（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產品已于8月17日開始支持批量出貨。
2023-08-24 11:19:10600 
實現小型化電源設計的4個小技巧
2023-10-17 17:59:06292 
電子發燒友網站提供《小型化高壓小功率電源的設計.doc》資料免費下載
2023-11-13 10:58:461
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