三星3nm GAA正式商業量產
2021年6月，三星率先宣布成功流片其基于GAA技術的3nm制程芯片。2022年6月30日，三星正式宣布開始大規模生產基于3nm GAA工藝技術的芯片，成為全球首家量產3nm晶圓代工企業，超過臺積電。
最近，知名半導體研究機構TechInsights發布了一篇拆解報告，稱比特微電子的Whatsminer M56S++礦機所用的AISC芯片采用的是三星3nm GAA制程工藝。這一發現證實了三星3nm GAA技術的商業化應用。
據報道，三星的3nm制程良率已經超過了臺積電。三星在財務報表中表示，他們正在批量生產第一代3納米工藝，產量穩定。同時，他們還在開發第二代工藝，以進一步提高批量生產能力。
三星取得這一成就對于半導體行業來說非常重要，尤其是在加密貨幣礦機制造領域。比特微電子的Whatsminer M56S++礦機搭載著三星3nm GAA芯片，具有240-256 Th/s算力和22J/T能效。
三星的成功推出3nm制程芯片，不僅對其自身發展具有重大意義，也對全球半導體產業帶來了積極影響。這一里程碑事件進一步展示了三星在半導體領域的技術實力和競爭優勢。
編輯：黃飛
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
半導體行業
+關注
關注
9文章
401瀏覽量
40233 -
3nm
+關注
關注
2文章
222瀏覽量
13747 -
三星
+關注
關注
0文章
1259瀏覽量
30354
發布評論請先 登錄
相關推薦
AMD計劃采用三星3nm GAA制程量產下一代芯片
在近日于比利時微電子研究中心（imec）舉辦的2024年全球技術論壇（ITF World 2024）上，AMD首席執行官蘇姿豐透露了公司的最新技術動向。她表示，AMD將采用先進的3nm GAA（Gate-All-Around）制程技術來
三星電子開始量產其首款3nm Gate All Around工藝的片上系統
據外媒報道，三星電子已開始量產其首款3nm Gate All Around（GAA）工藝的片上系統（SoC），預計該芯片預計將用于Galaxy S25系列。
三星電子澄清：3nm芯片并非更名2nm，下半年將量產
李時榮聲稱，“客戶對代工企業的產品競爭力與穩定供應有嚴格要求，而4nm工藝已步入成熟良率階段。我們正積極籌備后半年第二代3nm工藝及明年2nm工藝的量產，并積極與潛在客戶協商?！?/div>
![的頭像]()
發表于 03-21 15:51
?248次閱讀
三星與Arm攜手，運用GAA工藝技術提升下一代Cortex-X CPU性能
三星繼續推進工藝技術的進步，近年來首次量產了基于2022年GAA技術的3nm MBCFET ? 。GAA技術不僅能夠大幅減小設備尺寸，降低供
三星3nm良率 0%！
來源：EETOP，謝謝 編輯：感知芯視界 Link 近期韓媒DealSite+報道，表示三星的3nm GAA生產工藝存在問題，在嘗試生產適用于Galaxy S25 /S25+手機的Exynos
高通3nm訂單改由臺積電獨家代工
三星去年6月底開始量產第一代3納米GAA（SF3E）制程，這是三星首次采用全新的GAA架構晶體管技術。第二代3納米制程3GAP（SF3）將采
今日看點丨三星透露：已和大客戶接洽2nm、1.4nm代工服務；廣汽埃安 AION S Max 純電轎車正式上市
1. 三星透露：已和大客戶接洽2nm 、1.4nm 代工服務 ? 三星旗下晶圓代工部門Samsung Foundry首席技術官Jeong Ki-tae 近日透露，
發表于 10-27 11:14
?805次閱讀
臺積電有望2025年量產2nm芯片
? ? ? ?在臺積電的法人說明會上據臺積電總裁魏哲家透露臺積電有望2025年量產2nm芯片。 目前，臺積電已經開始量產3nm工藝; 臺灣新竹寶山、高雄兩座工廠的2
三星為新客戶代工3nm服務器芯片：GAA結構，SiP封裝
半導體設計公司ad technology于10月10日宣布，與海外客戶簽訂了利用gaa（全環繞柵極）結構的3nm基礎2.5d服務器芯片設計合同，并委托三星進行設計。使用sip封裝工藝整合hbm高帶寬內存。
三星3nm GAA完整晶圓遭遇難產，良率僅50%
三星向中國客戶提供了第一個3nm gaa，但新的報告顯示，這些芯片的實際形態并不完整，缺乏邏輯芯片的sram。據悉，由于很難生產出完整的3納米gaa晶片，因此
臺積電3nm月產能明年將增至10萬片
據悉，臺積電第一個3nm制程節點N3于去年下半年開始量產，強化版3nm（N3E）制程預計今年下半年量產，之后還會有3nm的延伸制程，共計將有
三星3nm GAA正式商業量產 首家客戶及芯片型號被曝光
大約一年前，三星正式開始采用其 SF3E（3nm 級、早期全柵）工藝技術大批量生產芯片，但沒有無晶圓廠芯片設計商證實其產品使用了該節點。
三星3nm良率已經超過臺積電？
目前三星在4nm工藝方面的良率為75%，稍低于臺積電的80%。然而，通過加強對3nm技術的發展，三星有望在未來趕超臺積電。
- 設計技術
- 可編程邏輯
- 電源/新能源
- MEMS/傳感技術
- 測量儀表
- 嵌入式技術
- 制造/封裝
- 模擬技術
- RF/無線
- 接口/總線/驅動
- 處理器/DSP
- EDA/IC設計
- 存儲技術
- 光電顯示
- EMC/EMI設計
- 連接器
- 行業應用
- LEDs
- 汽車電子
- 音視頻及家電
- 通信網絡
- 醫療電子
- 人工智能
- 虛擬現實
- 可穿戴設備
- 機器人
- 安全設備/系統
- 軍用/航空電子
- 移動通信
- 工業控制
- 便攜設備
- 觸控感測
- 物聯網
- 智能電網
- 區塊鏈
- 新科技
- 聯系我們
- 廣告合作
- 王婉珠：wangwanzhu@elecfans.com
- 內容合作
- 黃晶晶：huangjingjing@elecfans.com
- 內容合作（海外）
- 張迎輝：mikezhang@elecfans.com
- 供應鏈服務 PCB/IC/PCBA
- 江良華：lanhu@huaqiu.com
- 投資合作
- 曾海銀：zenghaiyin@huaqiu.com
- 社區合作
- 劉勇：liuyong@huaqiu.com
-
關注我們的微信
-
下載發燒友APP
-
電子發燒友觀察
版權所有 ? 湖南華秋數字科技有限公司
電子發燒友 （電路圖） 湘公網安備43011202000918 電信與信息服務業務經營許可證：合字B2-20210191
工商網監
湘ICP備 2023018690 號
評論