在N型半導體中，自由電子為多數載流子，空穴為少數載流子;在P型半導體中，空穴為多數載流子，自由電子為少數載流子。
2020-05-05 08:15:00
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在N型半導體中自由電子是多數載流子，它主要由雜質原子提供； 空穴是少數載流子, 由熱激發形成。 提供自由電子的五價雜質原子因帶正電荷而成為正離子，因此五價雜質原子也稱為施主雜質。
2023-02-21 14:02:44810 
少數載流子電阻可定義為V/Jm，但由于電池電壓取決于接觸特性外很多其它電池特性，其不太適合作為分析接觸特性的參數。
2023-06-01 17:10:341723 
首先說明下，之前學校的教材講得很精辟，非常好，但實際應用中，如果再從這種很理論的基礎去分析，多數載流子怎么流，少數載流子怎么流，讓人很頭痛！拋開上學教程材對三極管原理的分析，我們把它當成公理，直接拿出來用，總結如下。
2023-09-15 11:51:18577 
PMOS是指N型襯底、P溝道，靠空穴的流動運送電流的MOS管，因為PMOS是N型硅襯底，多數載流子是電子，少數載流子是空穴，源漏區的摻雜類型是P型，所以PMOS的工作條件是在柵上相對于源極施加負電壓
2024-03-01 16:09:42723 
硅-硅直接鍵合技術主要應用于SOI、MEMS和大功率器件，按照結構又可以分為兩大類：一類是鍵合襯底材料，包括用于高頻、抗輻射和VSIL的SOI襯底和用于大功率高壓器件的類外延的疏水鍵合N+-N-或
2018-11-23 11:05:56
日前，在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術及設備材料最新趨勢專場中，晶能光電硅襯底LED研發副總裁孫錢博士向與會者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發及產業化”的報告，與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
，簡稱多子，空穴是少數載流子簡稱少子，對于空穴型半導體，空穴是多子，電子是少子。特殊的導電形式，使半導體得到了廣泛的應用，被制成各種各樣的元件。如pn結的形成。
2019-12-06 08:57:03
編輯-ZSBT30100VDC肖特基二極管：是一種低功耗、超高速的半導體器件。這種器件是由多數載流子傳導的，所以它的反向飽和電流比由少數載流子傳導的PN結大得多。SBT30100VDC最顯著的特點是
2021-11-24 16:49:42
從其他制造商和快速回收硅二極管(fred)。肖特基二極管，不像PIN整流器是多數載流子器件，因此沒有少數載流子在正向工作模式期間存儲在漂移層中，導致零反向恢復電流(歸因于儲存的電荷)。然而，更薄和更重
2023-06-16 11:42:39
出來，就產生發光現象。半導體發光二極管利用注入PN結的少數載流子與多數載流子復合，從而發出可見光，是一種直接把電能轉化為光能的發光器件。從半導體中得到電致發光。在20世紀60年代中期，首先出現了商用化的紅色
2012-01-04 17:10:42
一、LED顯示屏概述什么是LED？在某些半導體材料的 PN 結中，注入的少數載流子與多數載流子復合時會把多余的能量以光的形式釋放出來，從而把電能直接轉換為光能。 PN 結加反向電壓，少數載流子難以
2021-07-01 11:26:09
少數載流子傳導的PN結大得多。由于肖特基二極管中少數載流子的存儲效應很小，其頻率響應僅受 RC 時間常數的限制。因此，MBR10100FCT是一種理想的高頻快速開關器件。 MBR10100FCT參數描述
2021-09-11 16:42:45
中的自由電子是大多數載流子。在p材料中產生的少數自由電子和通過熱攪拌，光子和其他原因在N材料中產生的少數空穴（在圖1中用正方形內的符號表示）是少數載流子?！ -N結 手頭有N型和P型晶體，只需機械按壓即可
2023-02-23 16:46:46
正向切換到反向的瞬間會產生極大的瞬態電流，在此期間轉移為反向偏壓狀態，從而產生很大的損耗。這是因為正向通電時積聚在漂移層內的少數載流子不斷地進行電傳導直到消亡（該時間也稱為積聚時間）。正向電流越大
2019-03-14 06:20:14
正向切換到反向的瞬間會產生極大的瞬態電流，在此期間轉移為反向偏壓狀態，從而產生很大的損耗。這是因為正向通電時積聚在漂移層內的少數載流子不斷地進行電傳導直到消亡（該時間也稱為積聚時間）。正向電流越大
2019-04-22 06:20:22
勢壘接觸結構基本相同，電流通過多數載流子的移動而流動。之所以SiC-SBD的厚度看起來較薄，是因為如前所述，確保耐壓所需的膜厚較薄，因此可實現更低阻值。Si-PND由p型硅和n型硅的結結構組成，多數載流子
2018-12-03 15:12:02
(1)由于肖特基勢壘的高度低于PN結勢壘，肖特基二極管的正向傳導閾值電壓和正向壓降均低于PN結勢壘，約低0.2V。(2)由于肖特基二極管是一種大多數載流子導電器件，不存在少數載流子壽命和反向恢復問題。肖特基二極管規格書下載：
2022-01-18 10:35:14
的輸入電阻比三極管的輸入電阻高的多。4)．MOS管只有多數載流子參與導電；三極管有多數載流子和少數載流子兩種載流子參與導電，因少數載流子濃度受溫度、輻射等因素影響較大，所以MOS管比三極管的溫度穩定性
2023-02-20 15:30:11
`書上說：三級管工作在飽和區的條件是，發射結和集電結都正偏。從內部結構上看：當集電結正偏時，發射區擴散到基區的電子在基區是屬于少數載流子，而集電結正偏，應該是多數載流子運動，阻礙少數載流子運動，可為
2012-12-21 11:56:02
認為，畢竟，GaN比一般材料有高10倍的功率密度，而且有更高的工作電壓(減少了阻抗變換損耗)，更高的效率并且能夠在高頻高帶寬下大功率射頻輸出，這就是GaN，無論是在硅基、碳化硅襯底甚至是金剛石襯底的每個應用都表現出色！帥呆了！至少現在看是這樣，讓我們回顧下不同襯底風格的GaN之間有什么區別？
2019-07-31 07:54:41
n 型材料中，電子是多數帶電的載流子，空穴是少數帶電的載流子。在 p 型材料中，它是反過來的?？昭ㄊ菐Ф鄶惦姾傻?b class="flag-6" style="color: red">載流子，而電子是帶少數電荷的載流子。固態電子器件是由 p 型和 n 型材料構成的。就像
2022-04-04 10:48:17
，內電場被削弱，使空間電荷區變窄，多數載流子的擴散運動大大地超過了少數載流子的漂移運動，多數載流子很容易越過PN結，形成較大的正向電流，PN結呈現的電阻很小，因而處于導通狀態?！ ?. PN結 加上反向
2021-03-16 10:59:45
容易通過PN結， 形成反向飽和電流。但由于少數載流子的數目很少，所以，一般硅管的反向電流比鍺管小得多，其數量級為：硅管nA級，鍺管大mA級?！ 囟壬邥r，由于少數載流子增加，反向電流將隨之急劇
2015-11-27 18:01:44
VGS的增加，襯底中接近硅-二氧化硅界面的表面處的負電荷也越多。其變化過程如下：當VGS比較小時，柵上的正電荷還不能使硅-二氧化硅界面處積累可運動的電子電荷，這是因為襯底是P型的半導體材料，其中的多數載流子
2012-01-06 22:55:02
。MOS器件基于表面感應的原理，是利用垂直的柵壓VGS實現對水平IDS的控制。它是多子（多數載流子）器件。用跨導描述其放大能力。NMOS和PMOS在結構上完全相像，所不同的是襯底和源漏的摻雜類型。簡單
2012-12-10 21:37:15
光線作用下使物體產生一定方向電動勢的現象叫光生伏特效應。光電池、光 敏 二 極 管、光 敏 三 極 管 都 有 一 個 ＰＮ 結 （如圖４．２２所示）。當無光照時，ＰＮ 結形成的勢壘阻礙少數載流子
2017-12-22 16:29:23
，自由電子是少數載流子。此時， 雜質半導體仍然呈現電中性。(2) N型半導體在本征半導體中摻入微量的五價元素（如磷）就形成N型半導體，結構示意圖如圖1-4所示?？梢娒繐饺胍粋€五價原子，就能提供一個
2017-07-28 10:17:42
，自由電子是少數載流子。此時， 雜質半導體仍然呈現電中性。(2) N型半導體在本征半導體中摻入微量的五價元素（如磷）就形成N型半導體，結構示意圖如圖1-4所示?？梢娒繐饺胍粋€五價原子，就能提供一個
2018-02-11 09:49:21
，自由電子為多數載流子，空穴為少數載流子;在P型半導體中，空穴為多數載流子，自由電子為少數載流子。PN結的形成采用某種工藝，可以將P型半導體和N型半導體制作在同一塊硅片上。由于濃度差，會產生擴散運動
2020-06-27 08:54:06
柵極和P襯底之間的SiO2中產生指向P襯底的電場。該電場排斥P襯底中的多數載流子空穴，在柵極覆蓋的SiO2，絕緣薄層下面形成耗盡層。當柵源電壓超過某一電壓值VT時，P襯底中的少數載流子在強大電場作用下
2020-06-24 16:00:16
電流IC。因此場效應晶體管的輸入電阻比三極管的輸入電阻高的多。（4)．場效應晶體管只有多數載流子參與導電；三極管有多數載流子和少數載流子兩種載流子參與導電，因少數載流子濃度受溫度、輻射等因素影響較大
2019-03-28 11:37:20
場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數載流子和反極性的少數載流子參與導電,因此稱為雙極型晶體管,而FET
2021-05-24 06:27:18
導電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數載流子，也利用少數載流子導電。被稱之為雙極型器件。（3）有些場效應管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比晶體管好。（4）場效應管能在很小
2021-05-13 07:09:34
）場效應管是利用多數載流子導電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數載流子，也利用少數載流子導電。被稱之為雙極型器件。（3）有些場效應管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比晶體管
2009-04-25 15:43:51
）場效應管是利用多數載流子導電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數載流子，也利用少數載流子導電。被稱之為雙極型器件。（4）場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊硅片上，因此場效應管
2018-11-05 17:16:04
場效應晶體管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數載流子和反極性的少數載流子參與導電,因此稱為雙極型晶體管,而FET僅是由多數載流子參與導電,它與雙極型相反,也稱為單極型晶體管。FET應用范圍很廣
2009-04-02 09:34:11
SOI（Silicon-On-Insulator，絕緣襯底上的硅）技術是在頂層硅和背襯底之間引入了一層埋氧化層。通過在絕緣體上形成半導體薄膜，SOI材料具有了體硅所無法比擬的優點：可以實現集成電路
2012-01-12 10:47:00
——自由電子，而少數載流子是空穴。N型半導體主要靠自由電子導電。由于自由電子主要由所摻入的雜質提供，所以摻 入的五價雜質越多，自由電子的濃度就越高，導電性能就越強。而空穴由熱激發形成，環境溫度越高
2015-03-26 20:32:03
PN結：一方面阻礙多數載流子的擴散，另一方面加速少數載流子的漂移運動當擴散和漂移平衡時，流過PN結的電流為零；PN結的厚度一定；接觸電位一定PN結正偏：P電位高于N時，反偏，反之。齊納擊穿：電場將
2014-07-20 17:18:16
在某些半導體材料的PN結中，注入的少數載流子與多數載流子復合時會把多余的能量以光的形式釋放出來，從而把電能直接轉換為光能。PN結加反向電壓，少數載流子難以注入，故不發光。這種利用注入式電致發光
2020-08-18 07:21:12
正向切換到反向的瞬間會產生極大的瞬態電流，在此期間轉移為反向偏壓狀態，從而產生很大的損耗。這是因為正向通電時積聚在漂移層內的少數載流子不斷地進行電傳導直到消亡（該時間也稱為積聚時間）。正向電流越大
2019-05-07 06:21:51
，自由電子是多數載流子，而空穴是少數載流子。9、P型半導體是在硅或鍺晶體中摻入硼（或其他三價元素），半導體中形成了大量空穴，空穴導電成為主要的導電方式，也稱作空穴半導體。在P型半導體中，空穴是多數載流子
2016-10-07 22:07:14
LED襯底目前主要是藍寶石、碳化硅、硅襯底三種。大多數都采用藍寶石襯底技術。碳化硅是科銳的專利，只有科銳一家使用，成本等核心數據不得而知。硅襯底成本低，但目前技術還不完善?！ 腖ED成本上來看，用
2012-03-15 10:20:43
的關系可表示為 式中：n值為2~2．2；t0為常溫，通常定為25℃(298 K)?！ ?．2 少數載流子壽命 少數載流子壽命不僅受到體內復合的影響，更為重要的是，很大程度上受表面狀態的影響，τ是一個
2011-07-17 19:25:41
時間。它是有肖特基特性的“金屬半導體結”的二極管。其正向起始電壓較低。其金屬層除材料外，還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導體材料采用硅或砷化鎵，多為N型半導體。這種器件是由多數載流子導電的，所以，其反向
2015-11-27 18:02:58
【作者】：王衍;張晉敏;馬道京;朱培強;陳站;謝泉;【來源】：《納米科技》2010年01期【摘要】：采用直流磁控濺射方法,在Si(100)襯底上沉積厚約200nm純金屬Fe膜,隨后在真空退火爐中
2010-04-24 09:00:39
總是存在著反向關不斷的現象，PN結的單向導電性并不是百分之百。為什么會出現這種現象呢?這主要是因為P區除了因“摻雜”而產生的多數載流子“空穴”之外，還總是會有極少數的本征載流子“電子”出現。N區也是一樣
2019-04-22 08:00:00
、鉛黃銅、錫青銅、鈹青銅、硅青銅成分分析（Sn/Pb/Fe/Ni/Zn/Co/Mn/Al/Mg/Be/Cu）牌號鑒定、牌號推薦GB/T 5121.27-200GB/T 5121.1-2008
2019-08-31 09:46:29
大學。甚至百度百科上也這么說：于是我們必須知道一個問題：金屬中的主要載流子，并非自由電子，還有可能是空穴！不要以為只有半導體中才有空穴。實驗判斷依據是看霍爾系數，例如金屬銅Cu的霍爾系數是-0.55
2019-04-22 12:49:55
本征半導體、雜質半導體 施主雜質、受主雜質 N型半導體、P型半導體 自由電子、空穴 多數載流子、少數載流子
2008-07-14 14:07:38
0 場效應管基礎知識1. 什么叫場效應管？Field Effect Transistor的縮寫,即為場效應晶體管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數載流子和反極性的少數載流子參與導電,因此
2008-08-12 08:39:4236 LED 是一種固體光源，當它兩端加上正向電壓，半導體中的少數載流子和多數載流子發生復合，放出的過剩能量將引起光子發射。采用不同的材料，可制成不同顏色有發光二極管
2009-04-27 11:32:0963 Field Effect Transistor的縮寫,即為場效應晶體管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數載流子和反極性的少數載流子參與導電,因此稱為雙極型晶體管,而FET僅是由多數載流子參與
2009-08-10 09:23:2294 發光二極管的核心部分是由p型半導體和n型半導體組成的晶片，在p型半導體和n型半導體之間有一個過渡層，稱為p-n結。在某些半導體材料的PN結中，注入的少數載流子與多數載流子
2009-11-28 10:28:0529 場效應管工作原理及應用
場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數載流子和反極性的少數載流子
2010-01-13 16:08:08159 場效應管工作原理
1.什么叫場效應管？
Fffect Transistor的縮寫,即為場效應晶體管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數載流子和反極性的少數
2010-02-06 10:07:04123 LED是一種固體光源，當它兩端加上正向電壓，半導體中的少數載流子和多數載流子發生復合，放出的過剩能量將引起光子發射。采用不同的材料，可制成不同顏色有發光二極管。作
2010-07-29 14:20:0649 晶體管的基極電阻
晶體管的基區中有兩類載流子在流動，一類是從發射區
注入到基區的少數載流子(對n-p-n晶體管來說是電子)，另
一類是多數
2010-08-29 09:03:49112 場效應管知識場效應晶體管
1.什么叫場效應管？
Fffect Transistor的縮寫,即為場效應晶體管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數載流子和反極性的少數載流子參與導
2008-01-15 10:26:4716005 
硅單晶外延層的質量檢測與分析
表征外延層片質量的主要參數是外延層電阻率、厚度、層錯及位錯密度、少數載流子壽命
2009-03-09 13:55:402682 
1. 場效應管的工作原理
Fffect Transistor的縮寫,即為場效應晶體管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數載流子和反極性的少數載
2009-04-25 11:09:0151735 
場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數載流子和反極性的少數載流子參與導電,因此稱為雙極型晶體
2009-04-25 15:41:515521 
場效應管工作原理 場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數載流子和反極性的少數載流子參
2009-11-09 15:28:531070 LED定義 在某些半導體材料的PN結中,注入的少數載流子與多數載流子復合時會把多余的能量以光的形式釋放出來,從而把電能直接轉換
2010-08-26 09:55:46764 擁有30年發展史的硅功率MOSFET
功率MOSFET作為雙極晶體管的替代品最早出現于1976年。與那些少數載流子器件
2010-09-30 10:35:11853 
摘要：通過對硅片的少數載流子有效壽命、硅太陽電池的反射損失和光譜響應這三個方面的研究，比 較了目前主要的硅太陽電池表面鈍化技術，對這些鈍化技術的優缺點進行了分析和評價。從上述三個方面 的比較可以看出，R T O / S i N x 堆疊鈍化技術在提高硅太陽
2011-03-04 11:59:3352 總結了幾種熱載流子,并在此基礎上詳細討論了熱載流子注入(HCI) 引起的退化機制。對器件壽命預測模型進行了總結和討論。為MOSFET 熱載流子效應可靠性研究奠定了基礎。
2012-04-23 15:33:3629 MOSFET熱載流子退化壽命模型參數提取.
2012-04-23 15:38:2230 源極簡稱場效應管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子，即多數載流子和反極性的少數載流子參與導電.柵極由金屬細絲組成的篩網狀或螺旋狀電極。漏極在兩個高摻雜的P區中間，夾著一層低摻雜的N區（N區一般做得很?。?，形成了兩個PN結。
2017-11-23 16:20:52263331 
發光二極管的核心部分是由p型半導體和n型半導體組成的晶片，在p型半導體和n型半導體之間有一個過渡層，稱為p-n結。在某些半導體材料的PN結中，注 入的少數載流子與多數載流子復合時會把多余的能量以光的形式釋放出來，從而把電能直接轉換為光能。PN結加反向電壓，少數載流子難以注入，故不發光。
2018-07-11 08:00:000 LED是一種固體光源，當它兩端加上正向電壓，半導體中的少數載流子和多數載流子發生復合，放出的過剩能量將引起光子發射。采用不同的材料，可制成不同顏色有發光二極管
2018-09-27 08:00:0032 發光二極管內部是具有發光特性的PN結。當給這個PN加正向偏置電壓時，PN結導通，依靠少數載流子的注入以及隨后的復合而輻射發光，如下圖：
2019-02-04 13:35:008149 
一般的晶體管是由兩種極性的載流子，即多數載流子和反極性的少數載流子參與導電，因此稱為雙極型晶體管，而FET僅是由多數載流子參與導電，它與雙極型相反，也稱為單極型晶體管。
2019-06-19 15:13:5670871 
場效應管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應選用場效應管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應選用晶體管。場效應管是利用多數載流子導電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是既有多數載流子，也利用少數載流子導電，被稱之為雙極型器件。
2019-06-24 11:33:313715 場效應管：FET是Field-Effect-Transistor的縮寫，一般的晶體管是由兩種極性的載流子，即多數載流子和反極性的少數載流子參與導電，因此稱為雙極型晶體管，而FET僅是由多數載流子參與
2019-08-14 14:27:1520512 如果PN結加反向電壓，如右圖所示，此時，由于外加電場的方向與內電場一致，增強了內電場，多數載流子擴散運動減弱，沒有正向電流通過PN結，只有少數載流子的漂移運動形成了反向電流。由于少數載流子為數很少，故反向電流是很微弱的。
2019-09-04 09:25:2772376 
LED是一種固體光源，當它兩端加上正向電壓，半導體中的少數載流子和多數載流子發生復合，放出的過剩能量將引起光子發射。采用不同的材料，可制成不同顏色有發光二極管。
2019-09-30 16:57:322827 LED的核心發光部分是由p型和n型半導體構成的pn結管芯，當注入pn結的少數載流子與多數載流子復合時，就會發出可見光，紫外光或近紅外光。
2020-03-29 22:11:00552 LED是light-emitting diode的縮寫，在某些半導體材料的PN結中，注入的少數載流子與多數載流子復合時會把多余的能量以光的形式釋放出來，從而把電能直接轉換為光能。PN結加反向電壓，少數載流子難以注入，故不發光。這種利用注入式電致發光原理制作的二極管叫發光二極管，通稱LED。
2020-06-13 11:13:206079 1、P區的摻雜粒子通常為+3價態的硼，因此P區通常存在多數載流子空穴和少數載流子電子，空穴一旦跑出去，則會剩下不能移動的負離子2、N區的摻雜粒子通常為+5價態的磷，因此N區通常存在多數載流子電子和少數載流子空穴，電子一旦跑出去，則會剩下不能移動的正離子
2020-09-08 08:00:001 半導體三極管，也叫晶體三極管。由于工作時，多數載流子和少數載流子都參與運行，因此，還被稱為雙極結型晶體管（Bipolar Junction Transistor，簡稱BJT）。
2020-09-27 17:57:5616 在某些半導體材料的PN結中，注入的少數載流子與多數載流子復合時會把多余的能量以光的形式釋放出來，從而把電能直接轉換為光能。
2020-12-25 13:16:34238 對于某些材料和工藝順序，環形缺陷觀察到結構，而對于其他結構，發現與高溫處理之前的初始值相比，電荷載流子壽命增加了高達2.6倍。
2021-12-14 11:26:421114 
任務。采用表面光電壓(SPV)表征方 法，建立了兩者之間的定量關系。少數載流子擴散長度、加工過 程中添加的重金屬濃度和集成電路產量下降1.2)。由SPV直接測量的少數載流子擴散長度已經成為指導工藝工程師的標準參數。 實驗 特殊
2022-01-06 14:20:41280 
n溝道E-MOSFET，當柵電壓使得p型半導體表面能帶向下彎曲到表面勢ψs≥2ψB時，即可認為半導體表面強反型，因為這時反型層中的少數載流子（電子）濃度就等于體內的多數載流子濃度（～摻雜濃度）；...
2022-02-11 10:40:522 來表征，而電學表征通過準穩態光電導測量來完成，這揭示了所得表面狀態和少數載流子壽命之間的相關性。測量的表面粗糙度表明，23重量%的氫氧化鉀溶液具有高的少數載流子壽命。
2022-03-21 13:16:47573 
摘要 由于對消除水、土壤和空氣中的大量污染的需求越來越大，環境修復領域的新興技術正變得越來越重要。我們設計并合成了MoS2/fe2o3異質結納米復合材料(NCs)作為易于分離和重復利用的多功能材料
2022-03-25 17:04:06337 
表征通過準穩態光電導測量來完成，這揭示了所得表面狀態和少數載流子壽命之間的相關性。測量的表面粗糙度表明，23%重量的氫氧化鉀溶液具有高的少數載流子壽命。
2022-04-24 14:59:54441 
場效應管是利用多數載流子導電，而晶體管是既利用多數載流子，也利用少數載流子導電，由于少數載流子的濃度對溫度、輻射等外界條件很敏感，因此，對于環境變化較大的場合，采用場效應管比較合適。
2022-12-09 09:47:20877 MOSFET是電壓驅勱，雙極型晶體管（BJT）是電流驅勱。**
（1）只容許從信號源叏少量電流的情況下，選用MOS管；在信號電壓較低，有容許從信號源取較多電流的條件下，選用三極管。
（2）MOS管是單極性器件（靠一種多數載流子導電），三極管是雙極性器件（既有多數載流子，也要少數載流子導電）。
2023-02-02 14:31:411389 
純半導體的導電性能很差，但是可以通過加入一些特殊的雜質增強其導電能力。N型MOSFET會引入額外可移動的負電荷（電子），此時為N型（N溝道）參雜，在N型MOSFET中電子為多數載流子，空穴為少數載流子
2023-02-11 14:36:373303 
在某些半導體材料的PN結中，注入的少數載流子與多數載流子復合時會把多余的能量以光的形式釋放出來，從而把電能直接轉換為光能。PN結加反向電壓，少數載流子難以注入，故不發光。
2023-03-17 10:32:49674 紅、黃、藍、綠、青、橙、紫、白色的光。
發光二極管的核心部分是由P型半導體和N型半導體組成的晶片，在p型半導體和n型半導體之間有一個過渡層，稱為PN結。在某些半導體材料的PN結中，注入的少數載流子
2023-04-16 11:01:144858 是由許多光敏像元組成的。每一個像元就是一個MOS（金屬一氧化物一半導體）電容器，如圖1所示。在P型硅襯底上通過氧化形成一層S102，再在SiO2表面蒸鍍一層金屬層（多晶硅）作為電極。P型硅中的多數載流子是帶正電荷的空穴，少數載流子是帶負電荷的電子。
2023-09-08 15:31:22177 
半導體少數載流子產生的原因是？? 半導體材料是現代電子學的基礎，它的特殊之處在于，它的電導率介于導體和絕緣體之間。一個半導體中的電子會以一種特定的方式移動，這是由于半導體材料的晶體結構和原子構造
2023-09-19 15:57:021079 在n型半導體中什么是多數載流子？? 在半導體物理學領域中，多數載流子（Majority carrier）是指在半導體材料中數量最多的帶電粒子。在n型半導體中，多數載流子是負電子，在p型半導體中，多數載流子
2023-09-19 15:57:042486
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