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電子發燒友網>通信網絡>通信新聞>8月2日快訊:NAND閃存意外缺貨/USB 3.1公布

8月2日快訊:NAND閃存意外缺貨/USB 3.1公布

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Arasan推出NAND閃存全IP解決方案

NAND閃存控制器IP支持以前所未有的速度輕松可靠地訪問片外NAND閃存器件。更新后的控制器能以各種速度支持所有ONFI規范模式。
2021-08-05 15:30:561299

USB3.1typeC設計資料(英文版)

USB3.1typeC設計資料(英文版)(電源技術基礎上課個人總結)-USB3.1typeC設計資料(英文版),希望對大家有所幫助
2021-09-24 13:56:060

USB 3.0/3.1接口連接器沉板產品圖

USB 3.0/3.1接口連接器沉板產品圖
2021-10-21 18:07:1911

NAND閃存市場競爭愈發激烈

 在3D NAND技術賽跑中,三星長期處于領先地位,截至目前,其3D NAND閃存已經陸續演進至128層。
2022-06-14 15:21:152100

擴展塢USB3.1設計案例

電子發燒友網站提供《擴展塢USB3.1設計案例.zip》資料免費下載
2022-08-10 10:38:2216

存儲背后的大腦:NAND 閃存控制器實際上是做什么的?

但同樣重要的組件。但是為什么需要控制器呢?簡而言之,沒有它什么都行不通。 ? NAND 閃存控制器,或簡稱“控制器”,專為不同的接口(如 PCIe、eMMC、SD、SATA 和 USB)而設計,具有不同的質量和不同的用例。它們的共同點是管理 NAND 閃存上的數據。這種存儲技術在過
2022-09-05 14:42:551453

NAND閃存的應用中的磨損均衡

NAND閃存的應用中,程序/擦除周期存在一個限制,稱為“P/E周期”。在NAND閃存中,當每個塊的P/E周期達到最大值時,這些塊將變得不可工作,需要一個備用塊來替換它。當這些備用塊用完時,此NAND閃存將無法再使用。
2022-10-24 14:30:111231

NAND閃存控制器有什么優勢

圍繞基于NAND閃存的存儲系統的對話已經變得混亂。通常,當人們討論存儲時,他們只談論NAND閃存,而忽略了單獨的,但同樣重要的組件,即控制器。但是為什么需要控制器呢?簡單地說,沒有它,一切都不起作用。
2022-10-25 09:29:32864

NAND閃存應用中的磨損均衡介紹

NAND閃存的應用中,編程/擦除周期存在限制,稱為“P/E周期”。在NAND閃存中,當每個塊的P/E周期達到最大值時,這些塊變得不可工作,需要一個備用塊來替換它。當這些備用塊用完時,此NAND閃存將無法再使用。
2022-11-30 15:00:431519

開放式NAND閃存接口規范說明書

本規范定義了標準化NAND閃存設備接口,該接口提供了設計的系統支持一系列NAND閃存設備,無需直接設計預關聯。該解決方案還為系統提供了無縫利用在系統設計時可能不存在的新NAND器件。
2022-12-13 16:50:450

什么是3D NAND閃存?

我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 閃存,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高樓大廈,建筑面積一下子就多起來了,理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147

NAND閃存特點及決定因素

內存和NOR型閃存的基本存儲單元是bit,用戶可以隨機訪問任何一個bit的信息。而NAND閃存的基本存儲單元是頁(Page)(可以看到,NAND閃存的頁就類似硬盤的扇區,硬盤的一個扇區也為512
2023-06-10 17:21:001983

NAND芯片是用于哪些領域 NAND和SSD的區別

閃存存儲設備:NAND芯片作為主要的閃存存儲媒介,被廣泛用于固態硬盤(SSD)、USB閃存驅動器、內存卡(如SD卡、MicroSD卡)和閃存盤等。
2023-06-28 16:25:495233

USB 3.1與第一代與第二代 USB 3.1 之間的差異

USB Implementers Forum 已將 USB 3.0 更新為 USB 3.1。 FLIR 更新了其產品描述來反映此項更改。 ?本頁將介紹 USB 3.1 以及第一代與第二代 USB 3.1 之間的差異及兩者能給機器視覺開發人員帶來的實際益處。
2023-07-14 14:52:23670

三星計劃暫停平澤工廠部分NAND閃存生產

三星已經減少了主要nand閃存生產基地的晶圓投入額。這就是韓國的平澤、華城和中國的西安。業內人士認為,三星的nand閃存產量可能會減少10%左右。但在今年4月公布的2023年q1業績中,由于市場持續低迷,三星電子正式公布了存儲器減產計劃。
2023-08-16 10:23:58423

三星24年生產第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產三層堆棧架構321層NAND閃存

三星24年生產第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產三層堆棧架構321層NAND閃存 存儲領域的競爭愈加激烈,三星電子計劃在2023年正式生產第9代V-NAND閃存,三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53282

三星計劃NAND閃存價格談判 欲漲價15%—20%

三星計劃NAND閃存價格談判 欲漲價15%—20% 三星認為NAND Flash價格過低;在減產和獲利優先政策的促使下三星計劃與客戶就NAND閃存價格重新談判,目標價位是漲價15%—20%。
2024-03-14 15:35:22222

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