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電子發燒友網>電源/新能源>集成650V E-GaN開關電源芯片U8722X介紹

集成650V E-GaN開關電源芯片U8722X介紹

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友恩U6113是一款非隔離的開關電源芯片,除了這款型號,還有U6110、U6112、U6111都屬于非隔離開關電源芯片,這些芯片都是小功率芯片,可用于LED開關電源系統,節能低功耗。下面我們來介紹
2021-01-02 17:06:002523

簡述仿真看世界之650V混合SiC單管的開關特性

,配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5),進一步優化了系統效率、性能與成本之間的微妙平衡。 IGBT混搭SiC SBD續流二極管,在硬換流的場合,至少有兩個主要優勢: 沒有Si二極管的反向恢復
2021-03-26 16:40:202346

利用GaN設計PFC整流器

傳統的升壓PFC僅使用一個有源開關,通常是650V超結Si MOSFET。當今,大多數常規開關電源都采用升壓PFC,從而充分利用其簡單性、低成本和可靠性。用650V GaN FET代替650V Si MOSFET可以減少開關損耗,但是效率的提高并不明顯——通常只有0.1%至0.15%。
2021-04-14 11:22:412636

開關電源常用芯片介紹

開關電源常用芯片介紹
2021-11-26 09:17:22262

亞成微為客戶提供高品質的電源芯片解決方案

GaN功率集成方面,亞成微推出應用于大功率快充的 氮化鎵(GaN)功率集成開關電源RM6820NQ/RM6604ND系列,芯片采用了業界先進的3D封裝技術,內部集成開關電源控制器、650V GaN FET、氮化鎵驅動器以及驅動保護等,最大支持120W快充,具有小體積、高效率、高導熱率、高通流等特點。
2021-12-16 09:41:172887

650V混合SiC單管的開關特性

英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續流二極管,取代了傳統Si的Rapid1快速續流二極管,配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5),進一步優化了系統效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:29538

使用GaN設計PFC整流器

650V GaN FET 較低的寄生電容降低了開關損耗。此外,與 650-V Si MOSFET 相比,650-V GaN FET 在相同芯片尺寸內具有更低的導通電阻 (R on ),并且 GaN
2022-08-05 08:04:511048

采用 CCPAK1212封裝的 650V,33mOhm 氮化鎵(GaN) FET-GAN039-650NBA

采用 CCPAK1212 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NBA
2023-02-16 20:47:212

采用 CCPAK1212i 封裝的 650V,33mOhm 氮化鎵(GaN) FET-GAN039-650NTBA

采用 CCPAK1212i 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NTBA
2023-02-16 20:47:323

采用 CCPAK1212i 封裝的 650V,33mOhm 氮化鎵(GaN) FET-GAN039-650NTB

采用 CCPAK1212i 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NTB
2023-02-16 20:47:450

采用 CCPAK1212封裝的 650V,33mOhm 氮化鎵(GaN) FET-GAN039-650NBB

采用 CCPAK1212 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NBB
2023-02-16 20:48:020

采用 TO-247 封裝的 650V,35 mΩ 氮化鎵(GaN) FET-GAN041-650WSB

采用 TO-247 封裝的 650 V、35 mΩ 氮化鎵 (GaN) FET-GAN041-650WSB
2023-02-17 18:46:495

650V,50mOhm 氮化鎵(GaN) FET-GAN063-650WSA

650 V、50 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN063-650WSA
2023-02-17 19:47:245

開關電源設計優質選擇 Vishay威世科技第三代650V SiC二極管

開關電源設計能效和可靠性。 日前發布的新一代 SiC 二極管包括 4A 至 40A 器件,采用 TO-22OAC 2L 和 TO-247AD 3L 插件封裝和 D2PAK 2L(TO-263AB 2L)表面貼裝封
2023-05-26 03:05:02358

未來智能城市的動力引擎:潤新微電子的650V GaN功率晶體管(FET)

功率晶體管與標準門極驅動器兼容,方便集成到現有系統中。 優秀的性能:具備出色的功率損耗特性,顯著降低能量損失,提高系統效率。 無需自由輪二極管:由于650V GaN功率晶體管的特性,無需額外添加自由輪二極管,簡化了系統設計。 低開關損耗:采用先進的GaN技術,650V GaN功率晶體管具有較低
2023-06-12 16:38:34692

AMEYA360:羅姆 Semiconductor GNP1 EcoGaN? 650V E模式GaN FET

ROHMSemiconductor GNP1 EcoGaN?650V E模式氮化鎵(GaN)FET采用低導通電阻和高速開關來提高電源轉換效率和減小尺寸。該款高度可靠的GNP1 FET具有內置ESD
2023-06-19 15:09:18273

淺析24W開關電源芯片U6773D內置5A 650V MOS

開關電源芯片U6773D內置5A 650V 的MOS,支持準諧振降壓型LED恒流、恒壓輸出應用,僅需將SEL管腳短接到GND管腳即可。
2023-07-18 15:48:01612

DIP7芯朋微PN8034非隔離開關電源芯片12V300MA

PN8034內置650V高雪崩能力智能功率MOSFET,集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外圍元器件極精簡的小功率非隔離開關電源。
2023-07-21 15:55:072354

INN650DA260A增強功率晶體管GaN

650V硅上GaN增強型功率品體管,采用5mm雙扁平無引線封裝(DFN)X6毫米大小。增強型晶體管-正常關閉電源開關,符合JEDEC標準的工業應用。
2023-08-16 23:36:51686

INN650D150A增強功率晶體管GaN

650V硅上GaN增強模式功率晶體管,英諾賽科INN650D150A采用雙扁平無引線封裝(DFN),8mmx8mm尺寸,增強型晶體管-正常關閉電源開關
2023-08-07 17:22:17968

常用8腳開關電源芯片有哪些

。8腳開關電源芯片是一種常見的開關電源控制芯片,它通常有8根腳,包括輸入電壓腳、輸出電壓腳、反饋腳、校正腳、輸出使能腳、過流腳、短路保護腳和過熱保護腳。接下來,我們將詳細介紹一些常用的8腳開關電源芯片。 1. LM2575 LM2575 是
2023-08-18 11:14:2812662

開關電源芯片的comp作用

,它扮演著重要的角色。本文將詳細介紹開關電源芯片中COMP引腳的作用,并探討其詳細功能及其應用。 一、開關電源芯片簡介 開關電源芯片可以理解為一種集成了多種電源管理電路的半導體器件,主要由PWM控制器、電源開關管、電感、二極管、電容等組成。它可以將輸入的直
2023-08-18 11:39:118094

SP9683高頻準諧振、集成650V氮化鎵功率器件,30W高性能ACDC芯片

SP9683高頻準諧振、集成650V氮化鎵功率器件,30W高性能ACDC芯片
2023-10-21 15:43:271008

PD 30W快速充電器芯片U8722概述和主要特點

使用頻率的大幅度提升給智能手機的技術發展帶來了更高的要求,智能快充市場也隨之爆火。GaN給智能快充領域帶來了不少新機會,同時也進入了多個新的應用場景。深圳銀聯寶科技新推出集成 E-GaN 的高頻高性能準諧振模式PD 30W快速充電器芯片U8722,可以更好的提高充電效率!
2023-11-14 09:10:45430

650V高壓低功耗非隔離電源芯片eNJ8665

650V高壓低功耗非隔離電源芯片,默認輸出12V,最大電流2A,具有輸出可設置3-24V
2023-12-01 19:19:030

DK065G東科集成650V/260mΩ GaN HEMT準諧振反激控制AC-DC功率開關芯片

產品概述:DK065G是一款高度集成650V/260mΩGaNHEMT的準諧振反激控制AC-DC功率開關芯片。DK065G檢測功率管漏極和源極之間的電壓(VDS),當VDS達到其最低值時開啟功率管
2023-12-16 12:04:28337

具有集成驅動器的 650V 120m? GaN FET LMG3612數據表

電子發燒友網站提供《具有集成驅動器的 650V 120m? GaN FET LMG3612數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-21 10:20:580

具有集成驅動器的650V 270m? GaN FETLMG3616數據表

電子發燒友網站提供《具有集成驅動器的650V 270m? GaN FETLMG3616數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-21 10:19:400

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