半導體生產(chǎn)商ROHM株式會(huì )社（總部：京都市）開(kāi)發(fā)出了車(chē)載電動(dòng)動(dòng)力轉向等用途的長(cháng)邊電極類(lèi)型電流檢測用超低阻值貼片電阻器“PML100系列”，6432（2512）的尺寸可以實(shí)現3W的額定功率。該產(chǎn)品已經(jīng)以月產(chǎn)300萬(wàn)個(gè)的規模開(kāi)始量產(chǎn)（樣品價(jià)格：20日元）。生產(chǎn)地是ROHM
2011-01-28 09:11:12
909 瑞薩電子宣布開(kāi)發(fā)出了導通電阻僅為150mΩ（柵源間電壓為10V時(shí)的標稱(chēng)值）的600V耐壓超結（SJ：Super Junction）型功率MOSFET“RJL60S5系列”，將從2012年9月開(kāi)始樣品供貨。超結是可在不犧牲耐壓
2012-06-26 11:01:021252 IR近日推出配備IR最新功率MOSFET的300V器件系列，可為各種高效工業(yè)應用提供基準導通電阻 （Rds（on）） ，全新功率MOSFET系列具有極低的導通電阻，有助于提升系統效率，還可讓設計人員在多個(gè)MOSFET并聯(lián)使用時(shí)減少產(chǎn)品的組件數量。
2013-01-22 13:27:211206 瑞薩電子開(kāi)發(fā)第三代車(chē)載SJ-MOSFET，計劃1～2年內開(kāi)始量產(chǎn)。該器件降低了導通電阻和EMI（電磁噪聲）...
2013-05-31 09:22:201467 ? 1、超級結構 高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結構，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導通電阻隨電壓
2023-10-07 09:57:362774 
ROHM擁有豐碩市場(chǎng)業(yè)績(jì)的Pch MOSFET產(chǎn)品，采用了第五代新微米工藝，實(shí)現了業(yè)界超低的單位面積導通電阻*3。－40V耐壓產(chǎn)品的導通電阻較以往產(chǎn)品降低62%、－60V耐壓產(chǎn)的導
2020-12-26 10:31:421900 羅姆于2020年完成開(kāi)發(fā)的第4代SiC MOSFET，是在不犧牲短路耐受時(shí)間的情況下實(shí)現業(yè)內超低導通電阻的產(chǎn)品。
2022-03-09 09:33:582652 
、關(guān)斷延遲時(shí)間：：Td(off）、下降時(shí)間：tf。下面是從以低導通電阻和高速開(kāi)關(guān)為特征的Nch 600V 4A的MOSFET R6004KNX的技術(shù)規格中摘錄的內容。這些參數的名稱(chēng)和符號，各廠(chǎng)家間可能
2018-11-28 14:29:57
系列為例，介紹trr的高速化帶來(lái)的優(yōu)勢。高速trr SJ-MOSFET： PrestoMOS FN系列PrestoMOS是具備SJ-MOSFET的高耐壓、低導通電阻及低柵極總電荷量特征、且進(jìn)一步實(shí)現了
2018-11-28 14:27:08
VDS由流過(guò)的電流ID與導通電阻的乘積來(lái)確定。為什么這個(gè)區被定義為可變電阻區呢？功率MOSFET數據表中定義的導通電阻都有一定的條件，特別是VGS，當VGS不同時(shí)，溝道的飽和程度不同，因此不同的VGS
2016-12-21 11:39:07
(脈沖)：±2.5A(最大值)輸出MOSFET直流導通電阻：2.7Ω(Typ)工作箱溫度：-20°C~+100°C結溫：+150°C功耗：3.0W應用：空調；空氣濾清器；水泵;洗碗機；洗衣機；通用OA設備典型應用框圖：`
2019-12-28 09:47:29
有助于在應用程序中節省空間。 這些MOSFET具有出色的高速開(kāi)關(guān)和低導通電阻。查看詳情<<<特性：低RDS(on)降低功耗；低壓驅動(dòng)；提供大電流Vds-漏源極
2021-02-02 09:55:16
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向車(chē)載和工業(yè)設備中的大功率應用，開(kāi)發(fā)出12W級額定功率的業(yè)界超薄金屬板分流電阻器“PSR350”。另外，ROHM針對已在15W級額定功率產(chǎn)品中達到
2023-03-14 16:13:38
泛的需求，ROHM還開(kāi)發(fā)出+40V和+60V耐壓的“QH8Kxx / SH8Kxx系列（Nch+Nch）”，產(chǎn)品陣容已達12款。本系列產(chǎn)品采用ROHM新工藝，實(shí)現了業(yè)界超低的導通電阻，±40V耐壓產(chǎn)品的導
2021-07-14 15:17:34
NCP45521的典型（熱插拔）電路是一種負載開(kāi)關(guān)，可通過(guò)軟啟動(dòng)為浪涌電流限制提供高效電源域切換的元件和面積減少解決方案。除了具有超低導通電阻的集成控制功能外，這些器件還通過(guò)故障保護和電源良好信號提供系統保護和監控
2020-04-17 10:09:17
降低損耗”為目標開(kāi)發(fā)而成的。一般而言，導通電阻和Qg存在權衡關(guān)系，但利用ROHM獨有的工藝技術(shù)和優(yōu)化技術(shù)優(yōu)勢，實(shí)現了兩者的高度平衡?！鵓restoMOS是ROHM的商標。開(kāi)關(guān)損耗和傳導損耗更低
2018-12-04 10:23:36
MOSFET選型和評估作業(yè)顯著(zhù)減少，這一點(diǎn)對設計人員來(lái)說(shuō)是相當大的優(yōu)點(diǎn)。BD9G341AEFJ:實(shí)現業(yè)界頂級的80V高耐壓與高效率的DC/DC轉換器 重點(diǎn)必看內置高耐壓低導通電阻MOSFET的降壓型1ch DC/DC轉換器 重點(diǎn)必看80V耐壓DC/DC轉換器IC的定位與市場(chǎng)＜ 相關(guān)產(chǎn)品信息 ＞DC/DC轉換器
2018-12-04 10:12:34
超級結MOSFET是與平面MOSFET相比，導通電阻和柵極電荷（Qg）顯著(zhù)降低的MOSFET。ROHM的600V超級結MOSFET具有高速、低噪聲、高效率的特性，并已擴展為系列化產(chǎn)品，現已發(fā)展到
2018-12-05 10:00:15
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業(yè)界最低導通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關(guān)鍵詞】：功率損耗,導通電阻
2010-05-06 08:55:20
我在網(wǎng)上一些帖子上面看到，MOS管導通后如果工作在現行放大區的話(huà)就有可能燒壞管子，這是因為線(xiàn)性區的ID電流較大，同時(shí)RDS也較大，功耗較高所致。但我看了 一下MOS的應用手冊，上面提到的導通后RDS都是mΩ級別的，這個(gè)也算是電阻大嘛？這不是與上面的介紹想矛盾嗎？另外，MOS的功耗究竟應該怎么計算呢？
2018-10-25 11:14:39
忽略輸入開(kāi)關(guān)的導通電阻。AD7980的Rin典型值是400Ω，遠大于外部電阻Rext，輸入開(kāi)關(guān)導通電阻為何能忽略？如果考慮Rin，又該如何計算？另外Vstep為什么這樣計算？
2018-08-06 07:49:37
公司也有生產(chǎn)，但是ROHM在推進(jìn)獨自開(kāi)發(fā)。此次內置的SJ MOSFET不僅實(shí)現了650V的高耐壓，還實(shí)現了低導通電阻與低柵極電荷，開(kāi)關(guān)速度也非?？?。這將大大改善開(kāi)關(guān)即MOSFET的導通損耗與開(kāi)關(guān)損耗。這
2019-04-29 01:41:22
。另外，這里提供的數據是在ROHM試驗環(huán)境下的結果。驅動(dòng)電路等條件不同，結果也可能不同。關(guān)鍵要點(diǎn):?SiC-MOSFET在Vd-Id特性方面，導通電阻特性的變化呈直線(xiàn)型，因此在低電流范圍優(yōu)于IGBT。?SiC-MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗大大低于IGBT。
2018-12-03 14:29:26
與IGBT相比，SiC MOSFET具備更快的開(kāi)關(guān)速度、更高的電流密度以及更低的導通電阻，非常適用于電網(wǎng)轉換、電動(dòng)汽車(chē)、家用電器等高功率應用。但是，在實(shí)際應用中，工程師需要考慮SiC MOSFET
2019-07-09 04:20:19
電阻低，通道電阻高，因此具有驅動(dòng)電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導通電阻與Vgs的關(guān)系。導通電阻從Vgs為20V左右開(kāi)始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
說(shuō)明一下，DMOS是平面型的MOSFET，是常見(jiàn)的結構。Si的功率MOSFET，因其高耐壓且可降低導通電阻，近年來(lái)超級結（Super Junction）結構的MOSFET（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SJ-MOSFET
2018-11-30 11:35:30
通過(guò)電導率調制，向漂移層內注入作為少數載流子的空穴，因此導通電阻比MOSFET還要小，但是同時(shí)由于少數載流子的積聚，在Turn-off時(shí)會(huì )產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開(kāi)關(guān)損耗?！ iC器件漂移層的阻抗
2023-02-07 16:40:49
設計，且高溫下的導通電阻也很低?！摂祿?b class="flag-6" style="color: red">ROHM在相同條件下測試的結果，僅供參考。此處表示的特性本公司不做任何保證。4. 驅動(dòng)門(mén)極電壓和導通電阻SiC-MOSFET的漂移層阻抗比Si-MOSFET低，但是
2019-04-09 04:58:00
對體二極管進(jìn)行1000小時(shí)的直流8A通電測試，結果如下。試驗證明，所有特性如導通電阻，漏電流等都沒(méi)有變化。短路耐受能力由于SiC-MOSFET與Si-MOSFET相比具有更小的芯片面積和更高的電流密度
2018-11-30 11:30:41
設計，且高溫下的導通電阻也很低?！摂祿?b class="flag-6" style="color: red">ROHM在相同條件下測試的結果，僅供參考。此處表示的特性本公司不做任何保證。4. 驅動(dòng)門(mén)極電壓和導通電阻SiC-MOSFET的漂移層阻抗比Si-MOSFET低，但是
2019-05-07 06:21:55
Booster技術(shù)，面向車(chē)載的DC/DC轉換器04 24V輸入，內置MOSFET的降壓型開(kāi)關(guān)穩壓器BD9E100FJ-LB是內置低導通電阻的功率MOSFET的同步整流降壓型開(kāi)關(guān)穩壓器。輸入電壓范圍廣
2018-10-17 16:16:17
一種傳統平面式高壓MOSFET的簡(jiǎn)單結構。平面式MOSFET通常具有高單位芯片面積漏源導通電阻，并伴隨相對更高的漏源電阻。使用高單元密度和大管芯尺寸可實(shí)現較低的RDS(on)值。但大單元密度和管芯尺寸
2017-08-09 17:45:55
器件相比，具有更低的導通電阻和更高的電壓耐受能力。（圖片來(lái)源：ROHM Semiconductor）標準硅 MOSFET 在高至 150°C 的溫度條件下工作時(shí)，RDS(on) 導通電阻要高出 25
2017-12-18 13:58:36
電氣技師和電子制造工程師用接地導通電阻測試儀驗證電器和消費產(chǎn)品（由交流電壓供電）上的裸露金屬是否適當地連接到了其機殼底座。當電器內部發(fā)生故障電流時(shí)，如果電器沒(méi)有適當地連接到已接地的機殼底座，就存在
2017-09-30 09:38:49
、BD82054QVZ以及BD82055QVZ）。這幾款單通道高側開(kāi)關(guān)IC采用N溝道功率MOSFET，具備低導通電阻（典型值63m?，VIN=5V），輸入電壓范圍2.7V~5.5V，非常適用于通用串行總線(xiàn)（USB
2019-04-10 06:20:03
電源型產(chǎn)品，皆有提供。 BD9E100FJ-LB、BD9E101FJ-LB是ROHM推出的內置低導通電阻功率MOSFET的同步整流降壓型開(kāi)關(guān)穩壓器，具有非常寬的輸入電壓范圍。采用電流控制模式，具有高速
2019-04-01 22:19:17
需要具備非常先進(jìn)的技術(shù)能力才能實(shí)現。此外，內置MOSFET的導通電阻很低，僅為150mΩ，有利于提高效率?！ D9G341AEFJ的轉換方式是被稱(chēng)為“二極管整流”或“異步整流”的降壓方式。高邊
2018-10-19 16:47:06
非常先進(jìn)的技術(shù)能力才能實(shí)現。此外，內置MOSFET的導通電阻很低，僅為150mΩ，有利于提高效率。BD9G341AEFJ的轉換方式是被稱(chēng)為“二極管整流”或“異步整流”的降壓方式。高邊MOSFET為內置
2018-12-04 10:10:43
型區。在功率MOSFET的內部，由許多這樣的單元，也稱(chēng)“晶胞”，并聯(lián)而成。硅片的面積越大，所能加工的單元越多，器件的導通電阻越小，能夠通過(guò)的電流就越大；同樣，在單位的面積的硅片上，能夠加工的晶胞越多
2016-10-10 10:58:30
系列Hybrid MOS是同時(shí)具備超級結MOSFET（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SJ MOSFET”）的高速開(kāi)關(guān)和低電流時(shí)的低導通電阻、IGBT的高耐壓和大電流時(shí)的低導通電阻這些優(yōu)異特性的新結構MOSFET。下面為
2018-11-28 14:25:36
1700V高耐壓，還是充分發(fā)揮SiC的特性使導通電阻大幅降低的MOSFET。此外，與SiC-MOSFET用的反激式轉換器控制IC組合，還可大幅改善效率。ROHM不僅開(kāi)發(fā)最尖端的功率元器件，還促進(jìn)充分發(fā)揮
2018-12-05 10:01:25
用的電路板可以更加小型化，而且線(xiàn)路安裝設計也有了更大的靈活性。另外，由于采用了新開(kāi)發(fā)的低導通電阻芯片，在使封裝小型化的同時(shí)實(shí)現了與現有SOP8 Dual產(chǎn)品同樣低的導通電阻。ROHM將要逐步大量生產(chǎn)封裝
2018-08-24 16:56:26
”這個(gè)參數的影響。下面以“升降壓轉換器的傳遞函數導出示例 其2”的ton≠ton’ 的升降壓轉換器為基礎，按照同樣步驟來(lái)推導。右側電路圖在上次給出的升降壓轉換器簡(jiǎn)圖上標出了作為開(kāi)關(guān)的MOSFET的導通電阻
2018-11-30 11:48:22
自舉電路是在輸出開(kāi)關(guān)上側晶體管使用Nch MOSFET時(shí)所必要的電路。最近許多電源IC都搭載該電路，因此在評估電源電路時(shí)最好事先理解其工作。Nch MOSFET的導通電阻低，作為開(kāi)關(guān)使用的話(huà)可提升
2018-11-29 14:16:45
求推薦一款導通電阻毫歐級別的常閉型固態(tài)繼電器，或者其他的導通電阻很小的也行,不想用電磁繼電器，要求就是常態(tài)下是閉合，給電才導通
2021-01-09 09:50:06
結構SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽結構在Si-MOSFET中已被廣為采用，在SiC-MOSFET中由于溝槽結構有利于降低導通電阻也備受關(guān)注。然而，普通的單
2018-12-05 10:04:41
的電子通過(guò)導電溝道進(jìn)入被耗盡的垂直的N區中和正電荷，從而恢復被耗盡的N型特性，因此導電溝道形成。由于垂直N區具有較低的電阻率，因而導通電阻較常規MOS管將明顯降低?！ ⊥ㄟ^(guò)以上分析可以看到：阻斷電壓與導
2018-11-01 15:01:12
測量MOS管的導通電阻除了在選定開(kāi)關(guān)時(shí)有用，還在哪些方面有重要的意義？
2012-05-17 10:44:16
和突然，因為通常的觀(guān)點(diǎn)都認為，MOSFET的導通電阻具有正的溫度系數，因此可以并聯(lián)工作。當多個(gè)并聯(lián)工作的功率MOSFET其中的一個(gè)溫度上升時(shí)，由于其具有正的溫度系數，導通電阻也增加，因此流過(guò)的電流減小
2016-09-26 15:28:01
溝道MOSFET工作。這款N溝道MOSFET在VIN接近0V時(shí)支持超過(guò)2A的連續電流，并具有超低導通電阻，可最大限度地降低功耗
2020-04-21 10:02:39
Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導通電阻
2023-04-11 15:29:18
低功耗的、以極快的反向恢復時(shí)間（trr）為特點(diǎn)的ROHM獨創(chuàng )的功率MOSFET。＜提高設計靈活度的關(guān)鍵＞開(kāi)關(guān)速度的高速化與誤開(kāi)啟現象、噪聲干擾是相悖的，用戶(hù)在電路設計時(shí)需要通過(guò)調整柵極電阻來(lái)進(jìn)行優(yōu)化
2020-03-12 10:08:31
低功耗的、以極快的反向恢復時(shí)間（trr）為特點(diǎn)的ROHM獨創(chuàng )的功率MOSFET。＜提高設計靈活度的關(guān)鍵＞開(kāi)關(guān)速度的高速化與誤開(kāi)啟現象、噪聲干擾是相悖的，用戶(hù)在電路設計時(shí)需要通過(guò)調整柵極電阻來(lái)進(jìn)行優(yōu)化
2020-03-12 10:08:47
我有2個(gè)很快的問(wèn)題。1。AMUX和AMUX定序器的導通電阻和電容是多少？2。SAR和Delta DigMA ADC的采樣電阻和電容是多少？
2019-09-10 15:18:05
請問(wèn)有人知道MOS管作為開(kāi)關(guān)如何仿真在開(kāi)啟與中斷狀態(tài)下，不同頻率點(diǎn)的導通電阻嗎？我想仿真上圖的SW在Vsw不同狀態(tài)下MOS管的導通電阻，用了下面的testbench 使用sp仿真，結果查看ZM的實(shí)部，但是出來(lái)的結果如下所示：結果都很小并且打開(kāi)和關(guān)斷阻抗大小是相反的，請問(wèn)有人知道這個(gè)是出了什么問(wèn)題嗎
2021-06-25 07:59:24
MOSFET和超級結MOSFET。簡(jiǎn)而言之，就是在功率晶體管的范圍，為超越平面結構的極限而開(kāi)發(fā)的就是超級結結構。如下圖所示，平面結構是平面性地構成晶體管。這種結構當耐壓提高時(shí)，漂移層會(huì )增厚，存在導通電阻增加
2018-11-28 14:28:53
平面式高壓MOSFET的結構圖1顯示了一種傳統平面式高壓MOSFET的簡(jiǎn)單結構。平面式MOSFET通常具有高單位芯片面積漏源導通電阻，并伴隨相對更高的漏源電阻。使用高單元密度和大管芯尺寸可實(shí)現較低
2018-10-17 16:43:26
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說(shuō)明AP15N10是N通道邏輯增強型電源場(chǎng)效應晶體管是使用高單元密度的DMOS來(lái)生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導通電阻。這些
2021-07-08 09:35:56
。與此同時(shí)，SiC模塊也已開(kāi)發(fā)出采用第3代SiC-MOSFET的版本?！癇SM180D12P3C007”就是通過(guò)采用第3代SiC-MOSFET而促進(jìn)實(shí)現更低導通電阻和更大電流的、1200V/180A、Ron
2018-12-04 10:11:50
MOSFET漏源極之間有寄生二極管，漏源極間加反向電壓時(shí)器件導通。電力 MOSFET的通態(tài)電阻具有正溫度系數，對器件并聯(lián)時(shí)的均流有利?！ ?、動(dòng)態(tài)特性；其測試電路和開(kāi)關(guān)過(guò)程波形如圖3所示?！ ￠_(kāi)通
2023-02-27 11:52:38
%。特性方面的定位是標準特性。低噪聲SJ-MOSFET：EN系列SJ-MOSFET具有“導通電阻低，開(kāi)關(guān)速度快”的特征，但存在其高速性導致噪聲比平面型大的課題。為改善這個(gè)問(wèn)題開(kāi)發(fā)了EN系列。該系列產(chǎn)品融合了
2018-12-03 14:27:05
PS22920YZPR，具有受控接通功能的超低導通電阻，4A 集成負載開(kāi)關(guān) 特性 說(shuō)明 ? 輸入電壓范圍：0.75V 至 3.6V TPS22920L 是一款小型
2023-02-08 23:30:53
IR智能電源開(kāi)關(guān)為24V汽車(chē)應用提供超低導通電阻
國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR)推出 AUIPS7111S 高側智能電源開(kāi)關(guān)。該產(chǎn)品具有超低的導
2010-03-19 09:14:551003 導通電阻,導通電阻的結構和作用是什么?
傳統模擬開(kāi)關(guān)的結構如圖1所示，它由N溝道MOSFET與P溝道MOSFET并聯(lián)構成，可使正負信號傳輸，如果將不同VI
2010-03-23 09:27:474912 IR推出汽車(chē)專(zhuān)用MOSFET系列低導通電阻
全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠(chǎng)商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出首款汽車(chē)專(zhuān)用 MOSFET 系
2010-04-09 11:50:32746 全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠(chǎng)商國際整流器公司 (InternaTIonal Rectifier) 推出全新HEXFET功率MOSFET系列。該器件采用業(yè)界標準SOT-23封裝，具有超低導通電阻 (RDS(on)) ，適用于電池充電
2010-07-22 09:29:411162 半導體生產(chǎn)商ROHM株式會(huì )社開(kāi)發(fā)出了車(chē)載電動(dòng)動(dòng)力轉向等用途的長(cháng)邊電極類(lèi)型電流檢測用超低阻值貼片電阻器“PML100系列”，6432(2512)的尺寸可以實(shí)現3W的額定功率。該產(chǎn)品已經(jīng)
2010-09-14 09:22:26887 飛兆半導體推出了導通電阻RDS(ON)小于1mΩ的30V MOSFET，這款全新飛兆半導體器件FDMS7650是最大RDS(ON)值為0.99mΩ (VGS = 10 V, ID = 36A)的N溝道器件，它是業(yè)界采用5×6mm POWER56封裝且RDS(ON)
2010-12-29 09:09:391534 半導體制造商羅姆(ROHM)株式會(huì )社全新研發(fā)出超低阻值Jumper型電阻“PMR Jumper系列”，可將最大導通電阻值降低至0.5毫歐姆，同時(shí)并大幅提高額定電流
2011-11-28 09:23:131542 瑞薩電子宣布推出新款低導通電阻MOSFET產(chǎn)品，包括經(jīng)過(guò)最佳化的μPA2766T1A，做為網(wǎng)路伺服器與儲存系統之電源供應器內的ORing FET使用。
2013-03-06 09:50:10938 世界首家！ROHM開(kāi)始量產(chǎn)采用溝槽結構的SiC-MOSFET，導通電阻大大降低，有助于工業(yè)設備等大功率設備的小型化與低功耗化
2015-06-25 14:26:461974 SiC市場(chǎng)領(lǐng)導者Cree（科銳公司）近期推出了首款能夠突破業(yè)界SiC功率器件技術(shù)的900V MOSFET平臺。
2015-09-07 09:29:311923 一種超低比導通電阻的L型柵漏極LDMOS_石琴
2017-01-07 22:14:03
4 MOSFET的導通電阻
2018-08-14 00:12:0012629 關(guān)鍵詞：MOSFET , FemtoFET 小信號 MOSFET 晶體管為移動(dòng)設備節省電源，延長(cháng)電池使用壽命 德州儀器 (TI) 宣布面向智能手機與平板電腦等空間有限手持應用推出業(yè)界最小型低導通電阻
2018-10-13 11:03:01308 安森美半導體NTBG020N090SC1 SiC MOSFET是一款使用全新的技術(shù)碳化硅 （SiC） MOSFET，它具有出色的開(kāi)關(guān)性能和更高的可靠性。此外，該SiC MOSFET具有低導通電阻
2020-06-15 14:19:403728 Charger：OBC）等領(lǐng)域擁有很高的市場(chǎng)份額。此次，導通電阻和短路耐受時(shí)間之間取得更好權衡的第4代SiC MOSFET的推出，除現有市場(chǎng)之外，還將加速在以主機逆變器為主的市場(chǎng)中的應用。
2020-06-19 14:21:074198 
對于功率半導體來(lái)說(shuō)，當導通電阻降低時(shí)短路耐受時(shí)間※2就會(huì )縮短，兩者之間存在著(zhù)矛盾權衡關(guān)系，因此在降低SiC MOSFET的導通電阻時(shí)，如何兼顧短路耐受時(shí)間一直是一個(gè)挑戰。
2020-06-22 15:54:12771 ROHM于2015年世界上第一家成功地實(shí)現了溝槽結構SiC MOSFET的量產(chǎn)，并一直致力于提高SiC功率元器件的性能。
2021-01-07 11:48:121754 對于MOSFET，歐姆電阻不僅僅只考慮溝道電阻，對于阻斷電壓在50V以上的器件中低摻雜中間區域的電阻起到?jīng)Q定作用。
2021-05-01 17:26:0014829 
ROHM繼2020年年底發(fā)布的新一代Pch MOSFET*2之后，此次又開(kāi)發(fā)出在Nch中融入新微細工藝的第6代40V和60V耐壓的MOSFET。
2021-11-30 14:48:02748 
在功率半導體器件中，MOSFET以高速、低開(kāi)關(guān)損耗、低驅動(dòng)損耗在各種功率變換，特別是高頻功率變換中起著(zhù)重要作用。在低壓領(lǐng)域，MOSFET沒(méi)有競 爭對手，但隨著(zhù)MOS的耐壓提高，導通電阻隨之
2022-03-17 09:35:332872 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向需要對電子電路進(jìn)行電壓監控以確保安全的各種車(chē)載和工業(yè)設備應用（包括車(chē)輛引擎控制單元和FA設備），開(kāi)發(fā)出具有高精度和超低靜態(tài)電流的復位IC*1（電壓檢測器）“BD48HW0G-C”。
2022-07-06 12:38:142057 非常有助于提高無(wú)線(xiàn)耳機和可穿戴設備等小而薄設備的效率和運行安全性！ 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開(kāi)發(fā)出一款小型且高效的20V耐壓Nch MOSFET*1“RA1C030LD
2022-12-01 14:28:49563 
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開(kāi)發(fā)出一款小型且高效的20V耐壓Nch MOSFET *1 “ RA1C030LD ”，該產(chǎn)品非常適用于可穿戴設備、無(wú)線(xiàn)耳機等可聽(tīng)戴設備、智能手機
2022-12-14 15:10:06435 ROHM開(kāi)發(fā)出具有絕緣構造、小尺寸且超低功耗的MOSFET
2022-12-18 17:08:49626 
超級結MOSFET是與平面MOSFET相比，導通電阻和柵極電荷（Qg）顯著(zhù)降低的MOSFET。ROHM的600V超級結MOSFET具有高速、低噪聲、高效率的特性，并已擴展為系列化產(chǎn)品，現已發(fā)展到第二代。
2023-02-10 09:41:07578 
ROHM | 開(kāi)發(fā)出具有業(yè)界超低導通電阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:44372 
列產(chǎn)品的參考資料，助力您快速了解產(chǎn)品各項信息。 點(diǎn)擊下載產(chǎn)品參考資料 與Pch MOSFET相比，由于Nch MOSFET具有更低的導通電阻，并且在各種電路中具有更出色的易用性，因而目前在市場(chǎng)上更受歡迎
2023-05-17 13:35:02471 
兩者因為其柵極都是在外延表面生長(cháng)出來(lái)的平面結構所以都統稱(chēng)為平面柵MOSFET。還有另外一種結構是把柵極構建在結構內部，挖出來(lái)的溝槽里面，叫做溝槽型MOSFET。針對兩種不同的結構，對其導通電阻的構成進(jìn)行簡(jiǎn)單的分析介紹。
2023-06-25 17:19:021451 
同時(shí)實(shí)現業(yè)界超快反向恢復時(shí)間和業(yè)界超低導通電阻，可進(jìn)一步降低工業(yè)設備和白色家電的損耗 ROHM的600V耐壓Super Junction MOSFET PrestoMOS 產(chǎn)品陣容中又新增
2023-07-12 12:10:08437 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向通信基站和工業(yè)設備等的風(fēng)扇電機驅動(dòng)應 用，開(kāi)發(fā)出將兩枚100V耐壓MOSFET* 1一體化封裝的雙MOSFET新產(chǎn)品。新產(chǎn)品分“HP8KEx
2023-08-11 11:16:16539 
～非常適用于通信基站和工業(yè)設備等的風(fēng)扇電機，有助于設備進(jìn)一步降低功耗和節省空間～ 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向通信基站和工業(yè)設備等的風(fēng)扇電機驅動(dòng)應用，開(kāi)發(fā)出將兩枚100V
2023-08-23 12:05:05280 
波動(dòng)，起到開(kāi)關(guān)作用的MOSFET需要具備100V的耐壓能力。而另一方面，提高耐壓意味著(zhù)與其存在權衡關(guān)系的導通電阻也會(huì )提高，效率會(huì )變差，因此，如何同時(shí)兼顧更高耐壓和更低導通電阻，是一個(gè)很大的挑戰。風(fēng)扇電機通常會(huì )使用多個(gè)MOSFET進(jìn)行驅動(dòng)，為了節
2023-09-14 19:12:41305 
)和HP8MEx(Nch+Pch)系列中。 近年來(lái)，通信基站和工業(yè)設備已從傳統的12V/24V系統轉向48V系統，以通過(guò)降低電流值來(lái)提高效率。在這些情況下，開(kāi)關(guān)MOSFET需要具有100V的耐壓以應對電壓波動(dòng)
2023-10-23 15:44:02482 ROHM 推出“RS6xxxxBx/ RH6xxxxBx系列”共13款 Nch MOSFET*1產(chǎn)品(40V/60V/80V/100V/150V)， 這些產(chǎn)品非常適合驅動(dòng)以24V 、36V 、48V
2023-11-20 01:30:56189 近日，昕感科技在新能源領(lǐng)域取得重大突破，推出了一款具有業(yè)界領(lǐng)先超低導通電阻的SiC MOSFET器件新產(chǎn)品（N2M120007PP0）。該產(chǎn)品的導通電阻達到了驚人的7mΩ，電壓規格為1200V，將為新能源領(lǐng)域提供更為高效、可靠的功率半導體開(kāi)關(guān)解決方案。
2024-01-04 14:37:57316
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