新聞 | ROHM新增5款100V耐壓雙MOSFET以5.0mm×6.0mm和3.3mm×3.3mm尺寸實現業界超低導通電阻
～非常適用于通信基站和工業設備等的風扇電機，有助于設備進一步降低功耗和節省空間～
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向通信基站和工業設備等的風扇電機驅動應用，開發出將兩枚100V耐壓MOSFET*1一體化封裝的雙MOSFET新產品。新產品分為“HP8KEx/HT8KEx（Nch+Nch）系列”和“HP8MEx（Nch+Pch*2）系列”兩個系列，共5款新機型。
近年來，在通信基站和工業設備領域，為了降低電流值、提高效率，以往的12V和24V系統逐漸被轉換為48V系統，電源電壓呈提高趨勢。此外，用來冷卻這些設備的風扇電機也使用的是48V系統電源，考慮到電壓波動，起到開關作用的MOSFET需要具備100V的耐壓能力。而另一方面，提高耐壓意味著與其存在權衡關系的導通電阻也會提高，效率會變差，因此，如何同時兼顧更高耐壓和更低導通電阻，是一個很大的挑戰。風扇電機通常會使用多個MOSFET進行驅動，為了節省空間，對于將兩枚芯片一體化封裝的雙MOSFET的需求增加。
在這種背景下，ROHM采用新工藝開發出Nch和Pch的MOSFET芯片，并通過采用散熱性能出色的背面散熱封裝形式，開發出實現業界超低導通電阻的新系列產品。
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新產品通過采用ROHM新工藝和背面散熱封裝，實現了業界超低的導通電阻（Ron）*3（Nch+Nch產品為HSOP8:19.6mΩ、HSMT8:57.0mΩ）。與普通的雙MOSFET相比，導通電阻降低達56%，非常有助于進一步降低應用設備的功耗。另外，通過將兩枚芯片一體化封裝，可以減少安裝面積，有助于應用設備進一步節省空間。例如HSOP8封裝的產品，如果替換掉兩枚單MOSFET（僅內置1枚芯片的TO-252封裝），可以減少77%的安裝面積。
新產品已于2023年7月開始暫以月產100萬個（樣品價格550日元/個，不含稅）的規模投入量產。另外，新產品已經開始通過電商進行銷售，通過Ameya360電商平臺均可購買。
目前，ROHM正在面向工業設備領域擴大雙MOSFET的耐壓陣容，同時也在開發低噪聲產品。未來，將通過持續助力各種應用產品進一步降低功耗并節省空間，為解決環境保護等社會問題不斷貢獻力量。
產品陣容
Nch+Nch 雙MOSFET
點擊查看產品詳情
HP8KE6
HP8KE7
HT8KE5
HT8KE6
Nch+Pch 雙MOSFET
點擊查看產品詳情：HP8ME5
*預計產品陣容中將會逐步增加40V、60V、80V、150V產品。
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應用示例
通信基站用風扇電機
FA設備等工業設備用風扇電機
數據中心等服務器用風扇電機
為電機驅動提供更出色的解決方案
ROHM通過將新產品與已具有豐碩實際應用業績的單相和三相無刷電機用預驅動器IC相結合，使電機電路板的進一步小型化、低功耗和靜音驅動成為可能。通過為外圍電路設計提供雙MOSFET系列和預驅動器IC相結合的綜合支持，為客戶提供滿足其需求且更出色的電機驅動解決方案。
與100V耐壓雙MOSFET相結合的示例
-
HT8KE5（Nch+Nch 雙MOSFET）和
BM64070MUV（三相無刷電機用預驅動器IC）
-
HP8KE6（Nch+Nch 雙MOSFET）和
BM64300MUV（三相無刷電機用預驅動器IC）等
電商銷售信息
開始銷售時間：2023年8月起
網售平臺：Ameya360
新產品在其他電商平臺也將逐步發售。
一枚起售
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從ROHM官網可以下載包括新產品在內的低耐壓、中等耐壓和高耐壓MOSFET的規格書。
術語解說
*1）MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor的縮寫）
金屬－氧化物－半導體場效應晶體管，是FET中最常用的結構，被用作開關器件。
*2）Pch MOSFET和Nch MOSFET
Pch MOSFET：通過向柵極施加相對于源極為負的電壓而導通的MOSFET?？捎帽鹊陀谳斎腚妷旱偷碾妷候寗?，因此電路結構較為簡單。
Nch MOSFET：通過向柵極施加相對于源極為正的電壓而導通的MOSFET。相比Pch MOSFET，漏極與源極之間的導通電阻更小，因此可減少常規損耗。
*3）導通電阻（Ron）
使MOSFET啟動（ON）時漏極與源極之間的電阻值。該值越小，運行時的損耗（電力損耗）越少。
新產品參考資料"Featured Products"
非常適用于通信基站和工業設備等的風扇電機驅動
實現業界超低導通電阻的
100V耐壓雙MOSFET（PDF:1.2MB）
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原文標題：新聞 | ROHM新增5款100V耐壓雙MOSFET以5.0mm×6.0mm和3.3mm×3.3mm尺寸實現業界超低導通電阻
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