6.3.2 氧化硅的介電性能∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
6.3.2 氧化硅的介電性能
6.3 氧化及氧化硅/SiC 界面特性
第６章碳化硅器件工藝
《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
SiC
+關注
關注
29文章
2514瀏覽量
61675
發布評論請先 登錄
相關推薦
碳化硅器件的類型及應用
碳化硅是一種廣泛用于制造半導體器件的材料，具有比傳統硅更高的電子漂移率和熱導率。這意味著碳化硅器件能夠在更高的溫度和電壓下工作，同時保持穩定性和效率。
發表于 04-16 11:54
?285次閱讀
碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV
碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 （ZnO） 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關于EAK
發表于 03-08 08:37
碳化硅功率器件的基本原理、性能優勢、應用領域
碳化硅功率器件主要包括碳化硅二極管（SiC Diode）、碳化硅晶體管（SiC Transistor）等。這些器件通過利用
發表于 02-29 14:23
?623次閱讀
簡單認識碳化硅功率器件
隨著能源危機和環境污染日益加劇，電力電子技術在能源轉換、電機驅動、智能電網等領域的應用日益廣泛。碳化硅（SiC）功率器件作為第三代半導體材料的代表，具有高溫、高速、高效、高可靠性等優點，被譽為“未來電力電子的新星”。本文將詳細介
碳化硅產業鏈圖譜
共讀好書 碳化硅產業鏈主要由襯底、外延、器件、應用等環節組成。碳化硅晶片作為半導體襯底材料，根據電阻率不同可分為導電型、半絕緣型。導電型襯底可用于生長
碳化硅功率器件簡介、優勢和應用
碳化硅二極管和碳化硅晶體管。由于其出色的性能，碳化硅功率器件在電動汽車、可再生能源系統、智能電網、軌道交通等領域具有廣泛的應用前景。
碳化硅器件領域，中外的現況如何？
導電型碳化硅功率器件主要是通過在導電型襯底上生長碳化硅外延層，得到碳化硅外延片后進一步加工制成，品種包括SBD（肖特基二極管）、MOSFET
發表于 12-27 10:08
?368次閱讀
碳化硅功率器件的基本原理、應用領域及發展前景
隨著電力電子技術的不斷發展，碳化硅（SiC）功率器件作為一種新型的半導體材料，逐漸在電力電子領域嶄露頭角。與傳統的硅功率器件相比，碳化硅功率
三種碳化硅外延生長爐的差異
碳化硅襯底有諸多缺陷無法直接加工，需要在其上經過外延工藝生長出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓，這層薄膜便是外延層。幾乎所有的碳化硅器件均在外延材料上實現，高質量的
碳化硅功率器件的基本原理及優勢
汽車領域中得到了廣泛的應用。本文將從AD820ARZ碳化硅功率器件的基本原理、優勢及應用等方面進行分析。 一、碳化硅功率器件的
工商網監
評論