電子發燒友App
碳化硅功率器件市場領先者科銳公司 (Nasdaq: CREE) 繼續其在碳化硅功率器件向主流功率應用的推廣。與硅功率器件相比，科銳先進的碳化硅技術可降低系統成本、提高可靠性，并為能源效率建立新的標準?？其J公司最新推出的1200V Z-Rec? 碳化硅肖特基二極管產品均采用行業標準的TO-252 D-Pak表面貼裝封裝，提供額定電流分別為2A，5A，8A 和 10A的表面貼裝器件?？其J公司是目前世界上首家提供使用D-Pak表面貼裝封裝的可應用于全范圍額定電流的商用1200V碳化硅肖特基二極管制造商。如太陽能微型逆變器等系統設計人員現在能擁有更多的選擇來研發出更小、更輕以及成本更低的電源轉換電路。新型表面貼裝器件以更小的 PCB 尺寸和面積，并具備與科銳 TO-220 肖特基二極管相同的性能。
?
科銳副總裁兼功率和射頻 (RF) 產品研發部門總經理 Cengiz Balkas 指出：“這些新型碳化硅肖特基二極管表面貼裝器件能夠以更小的尺寸和更低的板載實現包括零反向恢復損耗、不受溫度影響的開關、在更高頻率下工作并能夠支持低電磁干擾(EMI)信號、以及更高的浪涌額定值和電子雪崩性能等優點。額定電流為2A的新型器件充分發揮碳化硅材料本身的優勢，非常適合于較低功率的應用，能夠提供最佳的性能及成本選擇。此外，具有相同尺寸和節約成本的8A 和 10A 器件則適用于更高功率的應用中?！?br />
?
Balkas 進一步指出：“在高效功率電子系統中使用碳化硅功率器件，能夠具有以更少的器件數量實現更高的額定電流和額定電壓等顯著設計優勢。通過減少器件數量，設計人員能夠降低整體系統成本的同時，提高整體系統可靠性和實現最高效率。在全碳化硅設計中配合科銳最新系列1200V碳化硅MOSFET使用時，這些肖特基二極管使得高功率電子系統成為可能，其開關頻率較傳統以硅為材料的解決方案可高出5倍至8倍。在更高的開關頻率下可使用較小磁性和電容性的元件，從而可以縮減系統體積、降低重量和成本?！?br />
?
科銳C4D02120E系列肖特基二極管的額定電流/電壓為2A/1200V；C4D05120E系列肖特基二極管的額定電流/ 電壓為5A/1200V；C4D08120E系列肖特基二極管的額定電流/電壓為8A/1200V；C4D10120E系列肖特基二極管的額定電流為10A/1200V。所有C4DXX120E器件的工作結溫為-55°C 至 +175°C。
?
科銳C4DXX120E表面貼裝肖特基二極管已經發布并完全具備生產使用資格。欲了解器件的供貨情況，敬請與科銳聯系。
科銳推出新型碳化硅肖特基二極管
- 二極管(160828)
- 科銳(23529)
相關推薦
碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV
碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 （ZnO） 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關于EAK碳化硅壓敏電阻我們
2024-03-08 08:37:49
深圳薩科微slkor
二極管種類有很多，按照所用的半導體材料，可分為鍺?極管（Ge管）和硅?極管（Si管），現在也有用碳化硅做材料的二極管，美國的cree和深圳薩科微slkor（www.slkoric.com)半導體推出
2024-03-05 14:23:46
【二極管篇】二極管特性丨直流、交流、電流、轉換時間
在本教程中，我們將學習一些重要的二極管特性。通過研究這些二極管特性，您將對二極管的一般工作原理有更好的了解。
常用二極管特性
概述
⊙電流公式
⊙直流電阻
⊙交流電阻
⊙過度電容
⊙擴散電容
⊙存儲
2024-01-25 18:01:01
碳化硅功率器件簡介、優勢和應用
碳化硅二極管和碳化硅晶體管。由于其出色的性能，碳化硅功率器件在電動汽車、可再生能源系統、智能電網、軌道交通等領域具有廣泛的應用前景。
2024-01-09 09:26:49
379
379碳化硅肖特基二極管的優勢和應用領域
在當今快速發展的電力電子領域，碳化硅（SiC）材料因其出色的物理性能而備受關注。作為一種寬禁帶半導體材料，碳化硅在制造高效、高溫和高速的電子器件方面具有巨大潛力。其中，碳化硅肖特基二極管作為一種重要
2023-12-29 09:54:29186
186碳化硅器件領域，中外的現況如何？
導電型碳化硅功率器件主要是通過在導電型襯底上生長碳化硅外延層，得到碳化硅外延片后進一步加工制成，品種包括SBD（肖特基二極管）、MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）、IGBT（絕緣柵雙極性晶體管）等，主要用于電動汽車、光伏、軌道交通、數據中心、充電等基礎建設。
2023-12-27 10:08:56305
305
碳化硅二極管的優點和局限性分析
碳化硅二極管的優點和局限性分析 碳化硅（SiC）二極管是一種新型半導體材料，在高頻電源電子裝置中得到了廣泛應用。與傳統的硅（Si）材料相比，碳化硅二極管具有許多優點和局限性。下面是對碳化硅二極管
2023-12-21 11:31:27408
408
碳化硅和igbt的區別
和IGBT的區別。 1. 結構差異： 碳化硅是一種化合物半導體材料，由碳原子和硅原子組成。它具有非常高的熔點和熱導性，使其在高溫和高功率應用中具有出色的性能。碳化硅晶體管的結構通常更復雜，由多個寄生二極管組成，因此其電子流動路徑更復
2023-12-08 11:35:531782
1782TOLL Schottky SKY 肖特基二極管，大電流應用時的應用注意事項
TOLL Schottky SKY 肖特基二極管，大電流應用時的應用注意事項!
48V PD3.1選用肖特基做240W,480W PD電源，48V 10A的注意事項Motive TMBS TOLL封裝肖特基紹 V1.2_頁面_3.jpg
2023-11-22 10:39:26
GeneSiC的起源和碳化硅的未來
公司之一， GeneSiC 為政府機構開發了尖端的碳化硅技術?， 重點關注性能和穩健性， 并發布了幾代碳化硅二極管和 MOSFET 技術，額定值高達 6.5 kV 在各種封裝中以及裸片. 2022年， 納微半導體收購了GeneSiC半導體， 創建了業界唯一一家專注于SiC和GaN的純下一代功率半導體公司
2023-10-25 16:32:01603
603
碳化硅二極管器件在電子領域中有何優勢
碳化硅材料的半導體，雖然隨著技術的發展，目前碳化硅的成本已經下降了不少，但按市場性價比來看，同類型的硅材料與碳化硅半導體器件的價格相差十倍以上。碳化硅單晶可用于制造晶體管（二極管和晶體管）。由于
2023-10-09 17:00:45275
275【轉帖】華潤微碳化硅/SiC SBD的優勢及其在Boost PFC中的應用
，有助于滿足現代電子技術對高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的新要求。
二、 SiC的性能優勢
1、SiC SBD可將耐壓提高到3.3kV，極大擴展了SBD的應用范圍
肖特基二極管
2023-10-07 10:12:26
碳化硅新型功率器件的優缺點
碳化硅（SiC）MOS管作為一種新型功率器件，與傳統的硅基功率器件相比，在某些特定條件下具有獨特的優勢，但也存在一定的不足。KeepTops告訴你碳化硅MOS管的優點和缺點。
2023-09-26 16:59:07474
474
混合碳化硅分立器件的特性與優點
IGBT分立器件一般由IGBT和續流二極管(FWD)構成，續流二極管按材料可分為硅材料和碳化硅材料，按照器件結構可分為PIN二極管和肖特基勢壘二極管(SBD)。材料與結構兩兩組合就形成了4種結果
2023-09-22 10:26:25205
205
針對要求嚴苛的電源轉換應用推出先進的 650 V 碳化硅二極管
基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布推出 650 V 碳化硅（SiC）肖特基二極管，主要面向需要超高性能、低損耗和高效功率的電源應用。10 A、650
2023-09-22 09:25:32260
260碳化硅SiC功率器件，全球市場總體規模，前三十大廠商排名及市場份額
本文研究SiC碳化硅功率模塊及分立器件，功率模塊主要包括碳化硅MOSFET模塊（SiC MOSFET Module），分立器件包括碳化硅MOSFET分立器件和碳化硅二極管（主要是碳化硅肖特二極管）。
2023-09-08 11:30:451805
1805
二極管電流方向
二極管的電流方向是從正極流向負極。
就是從二極管PN結的P區流向N區，在電路圖中，二極管“三角形”所指示的方向就是它的正向電流方向。發光二極管的電流方向與電路的電流方向是一致的。并不矛盾
2023-09-06 17:37:23
功率器件在工業應用中的解決方案
功率器件在工業應用中的解決方案，議程分為：功率分立器件概覽 、 IGBT產品3、高壓MOSFET 、 碳化硅Mosfet、碳化硅二極管和整流器、氮化鎵PowerGaN、工業電源中的應用和總結八個部分。
2023-09-05 06:13:28
不同類型的碳化硅功率器件
目前市場上出現的碳化硅半導體包括的類型相對較多，常見的主要有二極管、金屬氧化物、半導體場效應、晶體管、晶閘管、結算場、效應晶體管等等這些不同類型的碳化硅器件，單元結構和漂移區參雜以及厚度之間存在較為明顯的差異。那么下文主要針對不同類型的碳化硅功率器件的相關內容進行分析。
2023-08-31 14:14:22285
285安世半導體熱插拔MOSFET與碳化硅二極管入圍年度功率半導體
和管理者。今年，Nexperia（安世半導體）的熱插拔MOSFET與碳化硅肖特基二極管兩款明星產品現已雙雙入圍年度功率半導體！ 采用SMD銅夾片LFPAK88封裝的熱插拔專用MOSFET(ASFET) 同時
2023-08-28 15:45:311140
1140
碳化硅二極管與硅相比的八大優勢
寬帶隙半導體使許多以前使用硅（Si）無法實現的高功率應用成為可能。本博客比較了兩種材料的特性，并說明了為什么碳化硅二極管（SiC）在多個指標上具有明顯的優勢。
2023-08-04 11:04:17480
480CPW6-1200-Z050A是一款二極管
1200 V、50 A、第 6 代裸片 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 Gen 6 系列高電壓、高性能 Z-Rec ?碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用無封裝裸芯片格式，可
2023-07-31 10:15:57
C6D25170H是一款二極管
??1700V,25A,至247-2包件,第六代離散的斯-肖特基二極管沃爾夫斯派特的1700V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的效率標準高于標準硅溶液,同時達到更高的頻率和功率密度。碳化硅肖特基
2023-07-27 10:22:00
C6D10170H是一款二極管
1700V,10A,至247-2包件,第六代離散的斯-肖特基二極管沃爾夫斯派特的1700V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的效率標準高于標準硅溶液,同時達到更高的頻率和功率密度。碳化硅肖特基二極管
2023-07-27 10:19:54
C6D05170H是一款二極管
1700V,5A,至247-2包件,第6代離散的斯肖特基二極管沃爾夫斯派特的1700V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的效率標準高于標準硅溶液,同時達到更高的頻率和功率密度。碳化硅肖特基二極管可以很
2023-07-27 10:17:56
C4D40120D是一款二極管
1200V型,40A型,至247-3型包件,第4代分離式肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設計,這是更強大和可靠的標準肖特基屏障
2023-07-27 10:16:08
C4D40120H是一款二極管
1200V,40A,至247-2包件,第4代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特的C4D40120H是一個1200V離散碳化硅肖特基二極管(40A),其特點是MPS(合并PIN肖特基)設計,是更強大和可靠
2023-07-27 10:14:00
C4D30120D是一款二極管
1200V型,30A型,至247-3型包件,第4代離散性肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設計,這是更強大和可靠的標準肖特基屏障
2023-07-27 09:58:50
C4D30120H是一款二極管
1200V型,30A型,至247-2型包,第4代離散性肖特基二極管沃爾夫斯派特的C4D30120H是一個1200V離散碳化硅肖特基二極管(30A),其特點是MPS(合并PIN肖特基)設計,是更強
2023-07-27 09:46:22
E4D20120G是一款二極管
1200V型,20A型,-263-2型包件,第4代分離式肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設計,這是更強大和可靠的標準肖特基屏障
2023-07-27 09:44:25
C4D20120A是一款二極管
1200V,20A,到220-2包件,第4代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設計,這是更強大和可靠的標準肖特基屏障二極管
2023-07-27 09:40:47
C4D20120D是一款二極管
1200V型,20A型,至247-3型包件,第4代分離式肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設計,這是更強大和可靠的標準肖特基屏障
2023-07-27 09:34:59
C4D20120H是一款二極管
1200V型,20A型,至247-2型包件,第4代離散性肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設計,這是更強大和可靠的標準肖特基屏障
2023-07-27 09:32:48
E4D20120D是一款二極管
1200V型,20A型,至247-3型包件,第4代分離式肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設計,這是更強大和可靠的標準肖特基屏障
2023-07-27 09:30:31
C4D15120A是一款二極管
1200V型,15A型,到220-2型包件,第4代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設計,這是更強大和可靠的標準肖特基屏障
2023-07-27 09:14:59
C4D15120D是一款二極管
1200V型,15A型,至247-3型包件,第4代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設計,這是更強大和可靠的標準肖特基屏障
2023-07-27 09:11:43
C4D15120H是一款二極管
1200V型,15A型,至247-2型包,第4代離散的SCHHOSTKY二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設計,這是更強大和可靠的標準
2023-07-27 09:09:11
C4D10120A是一款二極管
1200V型,10A型,到220-2型包件,第4代離散性肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設計,這是更強大和可靠的標準肖特基屏障二極管。將高速碳化硅二極管與碳化硅 建立一個強大的組合,提高效率和降低組件價格
2023-07-26 17:49:42
C4D10120D是一款二極管
1200V型,10A型,至247-3型包件,第4代分離式肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設計,這是更強大和可靠的標準肖特基屏障
2023-07-26 17:46:42
C4D10120E是一款二極管
1200V型,10A型,到252-2型包件,第4代分離式肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設計,這是更強大和可靠的標準肖特基屏障二極管。將高速碳化硅二極管與碳化硅 建立一個強大的組合,提高效率和降低組件價格
2023-07-26 17:43:35
C4D10120H是一款二極管
1200V型,10A型,至247-2型包件,第4代離散性肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設計,這是更強大和可靠的標準肖特基屏障二極管。將高速碳化硅二極管與碳化硅建立一個強大的組合,提高效率和降低組件價格
2023-07-26 17:41:29
C4D08120A是一款二極管
1200V,8A,到220-2包件,第4代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設計,這是更強大和可靠的標準肖特基屏障二極管。將高速碳化硅二極管與碳化硅 建立一個強大的組合,提高效率和降低組件價格
2023-07-26 17:30:11
C4D08120E是一款二極管
1200V,8A,到252-2包件,第4代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設計,這是更強大和可靠的標準肖特基屏障二極管。將高速碳化硅二極管與碳化硅 建立一個強大的組合,提高效率和降低組件價格
2023-07-26 17:27:50
C4D05120A是一款二極管
1200V,5A,到220-2包件,第4代離散的斯肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設計,這是更強大和可靠的標準肖特基屏障二極管。將高速碳化硅二極管與碳化硅建立一個強大的組合,提高效率和降低組件價格,
2023-07-26 17:25:50
C4D05120E是一款二極管
1200V型,5A型,至252-2型包件,第4代分離式肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設計,這是更強大和可靠的標準肖特基屏障二極管。將高速碳化硅二極管與碳化硅建立一個強大的組合,提高效率和降低組件價格.
2023-07-26 17:23:39
C4D02120A是一款二極管
1200V,2A-220-2包件,第4代離散S肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設計,這是更強大和可靠的標準肖特基屏障二極管。將
2023-07-26 17:19:54
C4D02120E是一款二極管
1200V,2A,至252-2包,第4代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設計,這是更強大和可靠的標準肖特基屏障二極管。將
2023-07-26 17:17:31
E4D02120E是一款二極管
1200V,2A,至252-2包,第4代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設計,這是更強大和可靠的標準肖特基屏障二極管。將
2023-07-26 17:15:10
C3D20060D是一款二極管
600 V、20 A、TO-247-3 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比
2023-07-25 10:50:38
C3D16060D是一款二極管
600 V、16 A、TO-247-3 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比
2023-07-25 10:46:45
C3D10060A是一款二極管
600 V、10 A、TO-220-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比
2023-07-25 10:39:12
C3D10060G是一款二極管
600 V、10 A、TO-263-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比
2023-07-25 10:29:01
C3D08060A是一款二極管
600 V、8 A、TO-220-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比
2023-07-25 10:24:29
C3D08060G是一款二極管
600 V、8 A、TO-263-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比
2023-07-25 10:21:52
C3D06060A是一款二極管
600 V、6 A、TO-220-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比
2023-07-25 10:17:04
C3D06060F是一款二極管
600 V、6 A、TO-220-F2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比
2023-07-25 10:14:55
C3D06060G是一款二極管
600 V、6 A、TO-263-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比
2023-07-25 10:12:16
C3D04060A是一款二極管
600 V、4 A、TO-220-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比
2023-07-25 10:09:36
C3D04060F是一款二極管
600 V、4 A、TO-220-F2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比
2023-07-25 10:07:08
C3D04060E是一款二極管
600 V、4 A、TO-252-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比
2023-07-25 09:51:09
C3D03060A是一款二極管
600 V、3 A、TO-220-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比
2023-07-25 09:21:52
C3D03060F是一款二極管
600 V、3 A、TO-220-F2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比
2023-07-25 09:18:50
C3D03060E是一款二極管
600 V、3 A、TO-252-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比
2023-07-24 17:45:09
C3D02060A是一款二極管
600 V、2 A、TO-220-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比
2023-07-24 17:42:41
C3D02060F是一款二極管
600 V、2 A、TO-220-F2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比
2023-07-24 17:37:00
C3D02060E是一款二極管
600 V、2 A、TO-252-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比
2023-07-24 17:32:22
CSD01060A是一款二極管
600 V、1 A、TO-220-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基
2023-07-24 17:29:42
CSD01060E是一款二極管
600 V、1 A、TO-252-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比
2023-07-24 17:23:06
MSM06065G1碳化硅二極管，耐壓650V 6A DFN5*6封裝
深圳市三佛科技有限公司供應MSM06065G1碳化硅二極管，耐壓650V 6A DFN5*6封裝，原裝，庫存現貨熱銷 美浦森推出的碳化硅二極管具有更高的過電壓安全裕量，可提升全負載條件下
2023-07-05 16:00:20
MSM06065G1美浦森DFN5*6封裝650V6A碳化硅二極管
深圳市三佛科技有限公司供應MSM06065G1美浦森DFN5*6封裝650V6A碳化硅二極管，原裝，庫存現貨熱銷MSM06065G1 品牌：美浦森 封裝：DFN5*6
2023-07-05 15:54:11
MSM06065G1美浦森 650V6A碳化硅二極管DFN5*6
深圳市三佛科技有限公司供應MSM06065G1美浦森 650V6A碳化硅二極管DFN5*6，原裝，庫存現貨熱銷 MSM06065G1 品牌：美浦森 封裝：DFN5
2023-07-05 15:50:06
GeneSiC的1200V SiC肖特基二極管可實現更快的開關瞬變
SiC JBS二極管提供卓越的功能，包括但不限于高溫操作，高阻斷電壓和快速開關能力。本文檔介紹高級交換與SiC肖特基二極管相比，GeneSiC的1200 V/12 A SiC JBS二極管提供的性能
2023-06-16 11:42:39
具有溫度不變勢壘高度和理想因數的GeneSiC 1200V SiC肖特基二極管
本產品說明展示了接近理論的理想因素和勢壘高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二極管，設計用于工作溫度> 225°C主要應用于井下石油鉆井、航空航天和電動汽車。溫度理想因子
2023-06-16 06:15:24
碳化硅肖特基二極管的原理及應用
碳化硅肖特基二極管是一種基于碳化硅材料的半導體器件，具有高速、高溫、高功率特性。其原理基于肖特基效應，即在金屬與半導體接觸處形成一個肖特基勢壘，使得半導體中的載流子向金屬一側偏移，形成整流效應。
2023-06-07 17:10:34800
800碳化硅肖特基二極管的原理及應用
碳化硅肖特基二極管（Silicon Carbide Schottky Diode）是一種高性能半導體器件，具有低開啟電壓、高速開關、高溫性能等優點，廣泛應用于電源、驅動、逆變器、電動汽車等領域。
2023-06-04 16:09:002089
2089碳化硅MOSFET什么意思
碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導體器件，其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導體場效應晶體管，"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:151180
1180碳化硅二極管是什么
碳化硅二極管是什么 碳化硅二極管是一種半導體器件，它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐壓能力和高的溫度耐受性，因此碳化硅二極管具有較低的反向漏電流、高溫下穩定性良好、響應速度快等特點，廣泛用于高功率、高頻率、高溫、高壓等領域，如電源、變頻器、太陽能、電動汽車等。
2023-06-02 14:10:32747
747碳化硅功率模組有哪些
碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報深受眾多專業讀者喜愛，本期為番外篇，前五期主要介紹了碳化硅功率器件產業鏈的上中下游，本篇將深入了解碳化硅功率器件的應用市場，以及未來的發展趨勢，感謝各位
2023-05-31 09:43:20390
390瀚薪科技完成B輪融資，已出貨碳化硅二極管、MOSFET超3000萬顆
根據公司披露：上海瀚薪具備多年的車規級SiC肖特基二極管與SiC MOSFET研發及量產經驗。量產產品均在各市場龍頭企業得到認可并大批量出貨。碳化硅二極管涵蓋650V、1200V和1700V電壓范圍
2023-05-25 10:34:27903
903
碳化硅肖特基二極管的基本原理
在典型的二極管中，p-n結由p型和n型半導體組合而成。然而，肖特基二極管是不同的：使用金屬代替p型半導體。然后，你有一個被稱為肖特基勢壘的m-s結，而不是p-n結（這是這些二極管得名的地方）。
2023-05-24 11:19:54506
506麗智芯片肖特基二極管-阻容1號
本帖最后由 jf_31420921 于 2023-5-23 14:51 編輯
肖特基二極管（Schottky Diode）是一種電子器件，因其具有低電壓降和快速開關速度而廣泛應用于電源電路
2023-05-23 14:47:57
使用SpeedFit 2.0設計模擬器快速啟動基于碳化硅的設計
了解電源中碳化硅 （SiC） MOSFET 和肖特基二極管的在線行為是設計過程中的關鍵組件。與硅基技術相比，作為一項相對較新的技術，可視化這些碳化硅組件的性能可以幫助設計人員更輕松地利用這項技術。
2023-05-20 17:02:261014
1014
碳化硅肖特基二極管B2D60120H1性能優勢
碳化硅的RDS（ON）較低，因而開關損耗也較低，通常比硅低100倍?；?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅的肖特基二極管具有更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性，可以在電力電子技術領域打破硅的極限，成為新能源及電力電子的首選器件。
2023-05-18 12:46:40277
277
Nexperia(安世半導體)針對要求嚴苛的電源轉換應用推出先進的650 V碳化硅二極管
基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布推出 650 V 碳化硅（SiC）肖特基二極管，主要面向需要超高性能、低損耗和高效功率的電源應用。10 A、650
2023-04-20 15:55:361319
1319Nexperia針對要求嚴苛的電源轉換應用推出先進的650 V碳化硅二極管
合并PIN肖特基結構可帶來更高的穩健性和效率 ? 奈梅亨， 2023 年 4 月 20 日： 基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今日宣布推出650?V碳化硅(SiC)肖特基二極管
2023-04-20 09:39:30796
796
碳化硅肖特基二極管B1D06065KS在PFC電路中的應用
能力是硅的2～3倍。用碳化硅制成的肖特基二極管具有正溫度系數及反向恢復時間接近零的特點，使得在PFC電路（功率因數校正）上的MOSFET開通損耗減少，效率得到進一步的提升。
2023-04-17 16:36:42384
384
碳化硅SiC MOSFET:低導通電阻和高可靠性的肖特基勢壘二極管
Toshiba研發出一種SiC金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導通電
2023-04-11 15:29:18
工商網監
評論