東芝發布全球首個QLC閃存：壽命將與TLC閃存旗鼓相當

　　東芝日前發布世界首個基于QLC（四比特單元） BiCS架構的3D NAND閃存芯片。對于閃存技術的未來發展而言，這可謂是相當重大的消息。

　　在曾經的一段時間里，從TLC升級到QLC看上去似乎難度頗高，因為精確區分電荷電平所需要的生產精度是會成倍增加的。但在自己最新的3D NAND閃存當中（使用了64層堆棧式QLC存儲單元），東芝就成功做到了這一點。

　　東芝的QLC技術實現了每閃存顆粒768Gb的容量，相比之前512Gb TLC顆粒顯然是巨大的提升。東芝指出，新的QLC顆粒能以16顆粒封裝，從而實現單設備1.5TB的容量——這被東芝稱為目前單獨一個單元的最大容量。

　　東芝宣稱，他們的QLC NAND擁有多達1000次左右的P/E編程擦寫循環，大大高于業界此前幾年預計的100-150次，幾乎已經和TLC閃存旗鼓相當。