資料介紹
在wafer基材加工階段,從第一代硅,第二代砷化鎵到第三代也是現階段熱門的碳化硅、氮化鎵襯底都是通過晶錠切片、研磨、拋光后獲得,每片襯底在各工藝后及出廠前,都要對厚度、翹曲度、彎曲度、粗糙度等幾何形貌參數進行系統量測,需要相應的幾何形貌量測設備。
下圖為國內某頭部碳化硅企業產品規范,無論是production wafer,research wafer,還是dummy wafer,出廠前均要對幾何形貌參數進行量測,以保證同批、不同批次產品的一致性、穩定性,也能防止后序工藝由于wafer warpage過大,產生碎片、裂片的情況。
中圖儀器針對晶圓幾何形貌量測需求,基于在精密光學測量多年的技術積累,歷經數載,自研了WD4000系列無圖晶圓幾何量測系統,適用于線切、研磨、拋光工藝后,進行wafer厚度(THK)、整體厚度變化(TTV)、翹曲度(Warp)、彎曲度(Bow)等相關幾何形貌數據測量,能夠提供Thickness map、LTV map、Top map、Bottom map等幾何形貌圖及系列參數,有效監測wafer形貌分布變化,從而及時管控與調整生產設備的工藝參數,確保wafer生產穩定且高效。
晶圓制造工藝環節復雜,前道制程所需要的量檢測設備種類多、技術難度高, 因此也是所有半導體設備賽道中壁壘最高的環節。伴隨半導體制程的演進,IC制造對于過程管控的要求越來越高,中圖儀器持續投入開發半導體量檢測設備,積極傾聽客戶需求,不斷迭代技術,WD4000系列在諸多頭部客戶端都獲得了良好反響!
重點參數
測量速度:最快15s
測量范圍:100μm~2000μm
測量精度:0.5um
重復性(σ):0.2um
探頭分辨率:23nm
掃描方式:Fullmap 面掃、米字、 自由多點
測量參數:厚度、TTV(總體厚度變化)、BOW、WARP、LTV、粗糙度等
可測材料:砷化鎵、氮化鎵、磷化鎵、鍺、磷化銦、 鈮酸鋰、藍寶石、硅、碳化硅、氮化鎵、玻璃、外延材料等
懇請注意:因市場發展和產品開發的需要,本產品資料中有關內容可能會根據實際情況隨時更新或修改,恕不另行通知,不便之處敬請諒解。
如有疑問或需要更多詳細信息,請隨時聯系中圖儀器咨詢。
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