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電子發燒友網>電子資料下載>電子資料>SiC MOSFET與Si MOSFET的性能對比和應用對比說明

SiC MOSFET與Si MOSFET的性能對比和應用對比說明

2020-09-29 | pdf | 0.18 MB | 次下載 | 1積分

資料介紹

  Si MOSFET管因為其輸入阻抗高,隨著其反向耐壓的提高,通態電阻也急劇上升,從而限制了其在高壓場合的應用。SiC作為一種寬禁代半導體器件,具有飽和電子漂移速度高、電場擊穿強度高、介電常數低和熱導率高等特性。世強代理的的SiC MOSFET管具有阻斷電壓高、工作頻率高且耐高溫能力強,同時又具有通態電阻低和開關損耗小等特點,是高頻高壓場合功率密度提高和效率提高的應用趨勢。

  SiC與Si性能對比

  簡單來說,SiC主要在以下3個方面具有明顯的優勢為:擊穿電壓強度高(10倍于Si),更寬的能帶隙(3倍于Si),熱導率高(3倍于Si),這些特性使得SiC器件更適合應用在高功率密度、高開關頻率的場合。

  SiC MOSFET性能明顯優于Si MOSFET

  1. 極其低的導通電阻RDS(ON),導致了極其優越的正向壓降和導通損耗,更能適應高溫環境下工作。

  2. SiC MOSFET管具有Si MOSFET管的輸入特性,即相當低的柵極電荷,導致性能卓越的切換速率。

  3. 寬禁帶寬度材料,具有相當低的漏電流,更能適應高電壓的環境應用。

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