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電子發燒友網>汽車電子>ROHM新推基于AEC-Q101標準的四款車載用1200V耐壓IGBT“RGS系列”

ROHM新推基于AEC-Q101標準的四款車載用1200V耐壓IGBT“RGS系列”

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上海陸芯汽車級IGBT產品獲得AEC-Q101驗證報告

9月20日,廣州廣電計量檢測股份有限公司(簡稱:廣電計量)聯袂上海陸芯電子科技有限公司(簡稱:上海陸芯),于廣州順利舉行“廣電計量與上海陸芯合作交流會暨上海陸芯IGBT汽車級AEC-Q101驗證報告頒發儀式”。
2022-09-22 14:54:251102

瞻芯電子1200V大電流MOSFET獲車規級認證

值得一提的是,這款TO247-4封裝的產品通過AEC-Q101認證,同時表明1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET裸芯片,也滿足車規級可靠性標準。該晶圓正面還可以采用鎳鈀金,如下圖,支持雙面散熱封裝,可進一步突破傳統單面封裝的功率密度極限。
2022-11-08 14:45:16875

AEC Q102(一文讀懂車規級AEC-Q認證)

(Automotive Electronics Council,簡稱AEC)作為車規驗證標準,包括AEC-Q100(集成電路IC)、AEC-Q101(離散組件)、AEC-Q102(離散光電LED
2023-01-29 11:04:432414

RGS系列:支持AEC-Q101車載1200V耐壓IGBT

ROHM新開發的“RGS系列”是滿足汽車電子產品可靠性標準AEC-Q1011200V耐壓IGBT。此次推出的4款型號,傳導損耗非常低,非常有助于應用的小型化與高效化。
2023-02-09 10:19:23457

滿足AEC-Q101標準的SiC MOSFET又增10個型號,業界豐富的產品陣容!

ROHM面向xEV車載充電器和DC/DC轉換器,又推出10款SCT3xxxxxHR系列的SiC MOSFET,該系列產品“支持汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101”,而且共有13款型號,擁有業界豐富的產品陣容。
2023-02-09 10:19:24564

650V耐壓IGBT RGTV/RGW系列介紹

ROHM最近新推出650V耐壓IGBT“RGTV系列(短路耐受能力保持型)”和“RGW系列(高速開關型)”共21種機型,該系列產品同時實現了業界頂級的低傳導損耗和高速開關特性,并大大減少了開關時的過沖。
2023-02-09 10:19:25724

1200V耐壓、400A/600A的全SiC功率模塊BSM400D12P3G002和BSM600D12P3G001

ROHM面向工業設備用電源、太陽能發電功率調節器及UPS等的逆變器、轉換器,開發出1200V耐壓的400A/600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002”和“BSM600D12P3G001”。
2023-02-10 09:41:05595

白皮書:GaN FET 技術和 AEC-Q101 認證所需的穩健性 – 中文(650 V GaN FET 技術可提供出色效率,以及 AEC-Q101 認證所需的耐久性)-nexperia_whitepaper_...

白皮書:GaN FET 技術和 AEC-Q101 認證所需的穩健性 – 中文(650 V GaN FET 技術可提供出色效率,以及 AEC-Q101 認證所需的耐久性)-nexperia_whitepaper_...
2023-02-17 19:53:032

白皮書:GaN FET 技術和 AEC-Q101 認證所需的穩健性-nexperia_whitepaper_...

白皮書:GaN FET 技術和 AEC-Q101 認證所需的穩健性-nexperia_whitepaper_...
2023-02-17 20:08:503

國產SIC MOSFET功率器件推出1200V大電流MOSFET獲得車規認證

2022年11月,上海瞻芯電子開發的1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET通過了車規級可靠性認證(AEC-Q101),該產品為TO247-4封裝,最大電流(Ids)可達111A。
2023-03-22 16:47:332073

配備羅姆 1200V IGBT的功率模塊

。此次,賽米控丹佛斯向低功率領域推出的功率模塊中,采用了羅姆的新產品——1200V IGBT “RGA系列”。今后,雙方將繼續保持緊密合作,全力響應全球電機驅動用戶的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事 常務執行官?CFO 伊野和英 (左) ? 賽米控丹佛斯?
2023-04-26 09:17:51608

賽米控丹佛斯推出配備羅姆 1200V IGBT的功率模塊

中,采用了羅姆的新產品—— 1200V IGBT “RGA系列”。今后,雙方將繼續保持緊密合作,全力響應全球電機驅動用戶的需求。 ROHM Co., Ltd.董事 常務執行官 CFO 伊野和英(左)賽米控丹佛斯 CEO Claus A. Petersen(右) 隨著全球電動化技術的快速發展,對功
2023-04-26 15:27:11517

什么是AEC-Q101認證?——華碧實驗室

AEC-Q101認證對象: 晶體管:BJT、MOSFET、IGBT、二極管、Diodes、Rectifier、Zeners、PIN、Varactors 光器件:LEDs、Optocoupler
2023-05-16 15:17:01737

賽米控丹佛斯推出配備羅姆1200V IGBT的功率模塊

合作關系。此次,賽米控丹佛斯向低功率領域推出的功率模塊中,采用了羅姆的新產品——1200V IGBT “RGA系列”。今后,雙方將繼續保持緊密合作,全力響應全球電機驅動用戶的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事 常務執行官 CFO 伊野和英 (左) 賽米控丹佛斯
2023-05-17 13:35:02938

功率器件AEC-Q101如何選擇測試項目?認證準備及流程有哪些?

AEC-Q101標準是用于分立半導體器件的,標準全稱:Failure Mechanism Based Stress Test Qualification For Discrete
2023-05-31 17:09:082684

AEC - Q200 - Rev E,2023年3月20日,AEC發布了最新的無源元件AEC-Q200車規認證標準

器件的標準為 [AEC-Q101],針對于LED的標準為 [AEC-Q102],針對于被動元件設計為[AEC-Q200],AEC-Q104(多芯
2023-06-16 14:32:531249

符合AEC-Q101認證的車規級瞬態抑制二極管的特性及應用

Semiware推出符合AEC-Q101認證的車規級TVS管TPSMAJ/SMBJ/SMCJ/SMDJ/5.0SMDJ系列,防護產品系列齊全,以滿足高標準的客戶需求.
2021-12-08 11:41:13450

功率半導體器件(IGBT、MOSFET和SiC)設計企業:上海陸芯獲得第三代IGBT車規級AEC-Q101認證

3月11日,國際獨立第三方檢測檢驗和認證機構德國萊茵TV(以下簡稱“TV萊茵”)向上海陸芯電子科技有限公司(以下簡稱“上海陸芯”)的第三代IGBT產品頒發了AEC-Q101認證證書。這是上海陸芯汽車
2022-06-21 09:18:39887

車規級AEC-Q認證技術的發展及標準的進化

AEC-Q100、AEC-Q101AEC-Q200這三個標準是最早制訂的、也最常被引用的AEC-Q標準。在AEC網站上的“文檔”頁面列出了37個標準和子標準,其中七個被列為“新New”或“初始版本Initial release”
2022-07-01 09:27:551391

AEC Q101中文版及內容解讀(正文部分)

是FAILUREMECHANISMBASEDSTRESSTESTQUALIFICATIONFORDISCRETESEMICONDUCTORSINAUTOMOTIVEAPPLICATIONS翻譯過來是基于失效機制對汽車領域應用中分立半導體器件的認證測試AEC-Q101最新的版本是Rev_E,發布于2021年3月
2023-01-13 10:00:291128

AEC-Q101的認證對象和測試項目

USAEC-Q101認證的概念AEC-Q101:車用分立半導體元器件的基于失效機理的應力測試驗證。半導體分立器件被廣泛應用到消費電子、計算機及外設、網絡通信、汽車電子、LED顯示屏等領域,而汽車領域
2023-01-13 10:02:03503

車規芯片的AEC-Q100測試標準

AEC其實是Automotive Electronics Council汽車電子協會的簡稱,并且AECQ標準包括以下幾個領域,對于不同領域的電子器件,適用于不同的標準。目前見到的比較多的是AEC-Q100、AEC-Q101、AEC-Q200。
2023-07-05 11:30:166236

AEC-Q101 標準之TC解讀

AEC-Q101標準之TC解讀TC(TemperatureCycling)高溫循環測試意義在于證實極高溫度,極低溫度和高溫與低溫交替作用時,機械應力對于器件焊接性能的作用,標準AEC-Q101
2023-08-30 08:27:50568

安建半導體40V SGT MOSFET產品已經通過AEC-Q101車規全部測試

安建半導體40V SGT MOSFET產品已經通過AEC-Q101車規認證的全部測試。
2023-09-06 17:48:45474

AEC-Q101功率循環測試 簡介

功率循環測試-簡介功率循環測試是一種功率半導體器件的可靠性測試方法,被列為AEC-Q101與AQG-324等車規級測試標準內的必測項目。相對于溫度循環測試,功率循環通過在器件內運行的芯片發熱使器件
2023-09-10 08:27:59858

MOSFET符合AEC-Q101標準 采用小型有引腳和無引腳DFN的SMD封裝

電子發燒友網站提供《MOSFET符合AEC-Q101標準 采用小型有引腳和無引腳DFN的SMD封裝.pdf》資料免費下載
2023-09-26 15:36:081

國星光電SiC-MOSFET器件獲得AEC-Q101車規級認證

是車規元器件重要的認證標準之一。對于1200V耐壓器件,AEC-Q101在H3TRB(高溫高濕反偏試驗)考核標準耐壓通常為100V。而在HV-H3TRB(高壓高溫高
2023-10-24 15:52:32607

國星光電的1200V/80mΩSiC-MOSFET器件成功獲得AEC-Q101車規級認證

1200V/10A SiC-SBD(碳化硅-肖特基二極管)器件獲AEC-Q101車規級認證后
2023-10-25 18:28:10424

汽車級直插TVS管LDP系列,符合AEC-Q101標準

汽車級直插TVS管LDP系列特性:Glasspassivatedchip6000Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μswaveform
2022-01-18 11:32:450

蓉矽半導體1200V SiC MOSFET通過車規級可靠性認證

蓉矽半導體近日宣布,其自主研發的1200V 40mΩ SiC MOSFET產品NC1M120C40HT已順利通過AEC-Q101車規級測試和HV-H3TRB加嚴可靠性考核。這一里程碑式的成就不僅彰顯了蓉矽半導體在功率半導體領域的技術實力,也進一步證明了其產品在新能源汽車、光伏逆變等高端應用領域的強大競爭力。
2024-03-12 11:06:30228

蓉矽半導體SiC MOSFET通過AEC-Q101車規級考核和HV-H3TRB加嚴可靠性驗證

蓉矽半導體自主研發的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT順利通過AEC-Q101車規級測試和HV-H3TRB加嚴可靠性考核,同時通過了新能源行業頭部廠商的導入測試并量產交付。
2024-03-12 17:18:21207

SGS為華微電子頒發AEC-Q101認證證書

近日,國際公認的測試、檢驗和認證機構SGS(以下簡稱為“SGS”)為吉林華微電子股份有限公司(以下簡稱為“華微電子”)頒發AEC-Q101認證證書。
2024-03-22 18:25:56566

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