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電子發燒友網>模擬技術>安建半導體40V SGT MOSFET產品已經通過AEC-Q101車規全部測試

安建半導體40V SGT MOSFET產品已經通過AEC-Q101車規全部測試

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白皮書:GaN FET 技術和 AEC-Q101 認證所需的穩健性 – 中文(650 V GaN FET 技術可提供出色效率,以及 AEC-Q101 認證所需的耐久性)-nexperia_whitepaper_...

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2023-02-17 19:53:032

白皮書:GaN FET 技術和 AEC-Q101 認證所需的穩健性-nexperia_whitepaper_...

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2023-02-17 20:08:503

什么是AEC-Q101認證?——華碧實驗室

IN AUTOMOTIVE APPLICATIONS:車用分立半導體元器件的基于失效機理的應力測試驗證 本標準規定的分立半導體元器件的最小工作溫度范圍:-40℃~+125℃ LED的最小工作溫度范圍-40℃~+85
2023-05-16 15:17:01737

功率器件AEC-Q101如何選擇測試項目?認證準備及流程有哪些?

Semiconductors,基于分立半導體應力測試認證的失效機理,名字有點長,所以一般就叫“分立半導體的應力測試標準”?,F在的Rev E版本是2021.03.01剛發布的最新版。 AEC-Q101認證包含了分立半導體
2023-05-31 17:09:082684

CMS4070M 40V N-Channel SGT MOSFET:高速開關和改進的dv/it能力

摘要:CMS4070M是一款40V N-Channel SGT MOSFET,采用SGT IV MOSFET技術。它具有快速開關和改進的dv/it能力,適用于MB/VGA、POL應用和DC-DC轉換器等領域。本文將介紹CMS4070M的特點、應用領域以及關鍵性能參數。
2023-06-08 14:28:28663

符合AEC-Q101認證的車規級瞬態抑制二極管的特性及應用

Semiware推出符合AEC-Q101認證的車規級TVS管TPSMAJ/SMBJ/SMCJ/SMDJ/5.0SMDJ系列,防護產品系列齊全,以滿足高標準的客戶需求.
2021-12-08 11:41:13450

功率半導體器件(IGBT、MOSFET和SiC)設計企業:上海陸芯獲得第三代IGBT車規級AEC-Q101認證

級IGBT產品在2019年后再次獲得TV萊茵頒發的AEC-Q101認證證書。AEC-Q101認證是半導體分立器件的汽車級測試,包括各類環境應力,可靠性,耐久性,壽
2022-06-21 09:18:39887

AEC Q101中文版及內容解讀(正文部分)

是FAILUREMECHANISMBASEDSTRESSTESTQUALIFICATIONFORDISCRETESEMICONDUCTORSINAUTOMOTIVEAPPLICATIONS翻譯過來是基于失效機制對汽車領域應用中分立半導體器件的認證測試AEC-Q101最新的版本是Rev_E,發布于2021年3月
2023-01-13 10:00:291128

AEC-Q101的認證對象和測試項目

USAEC-Q101認證的概念AEC-Q101:車用分立半導體元器件的基于失效機理的應力測試驗證。半導體分立器件被廣泛應用到消費電子、計算機及外設、網絡通信、汽車電子、LED顯示屏等領域,而汽車領域
2023-01-13 10:02:03503

AEC-Q101 標準之TC解讀

AEC-Q101標準之TC解讀TC(TemperatureCycling)高溫循環測試意義在于證實極高溫度,極低溫度和高溫與低溫交替作用時,機械應力對于器件焊接性能的作用,標準AEC-Q101
2023-08-30 08:27:50567

AEC-Q101功率循環測試 簡介

功率循環測試-簡介功率循環測試是一種功率半導體器件的可靠性測試方法,被列為AEC-Q101與AQG-324等車規級測試標準內的必測項目。相對于溫度循環測試,功率循環通過在器件內運行的芯片發熱使器件
2023-09-10 08:27:59858

MOSFET符合AEC-Q101標準 采用小型有引腳和無引腳DFN的SMD封裝

電子發燒友網站提供《MOSFET符合AEC-Q101標準 采用小型有引腳和無引腳DFN的SMD封裝.pdf》資料免費下載
2023-09-26 15:36:081

國星光電SiC-MOSFET器件獲得AEC-Q101車規級認證

AEC-Q101車規級認證并通過高壓960V H3TRB (HV-H3TRB)可靠性考核,使公司成為國內少數SiC功率分立器件產品通過雙重考核的廠商之一。 ? 創新突破,無懼極限考驗 AEC-Q101
2023-10-24 15:52:32606

國星光電的1200V/80mΩSiC-MOSFET器件成功獲得AEC-Q101車規級認證

繼1200V/10A SiC-SBD(碳化硅-肖特基二極管)器件獲AEC-Q101車規級認證后
2023-10-25 18:28:10423

瞻芯電子推出1700V SiC MOSFET助力高效輔助電源

11月27日,瞻芯電子開發的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET產品(IV2Q171R0D7Z)通過了車規級可靠性認證(AEC-Q101), 導通電阻標稱1Ω,
2023-11-30 09:39:18756

武漢芯源半導體首款車規級MCU,CW32A030C8T7通過AEC-Q100測試考核

。 CW32A030C8T7通過 AEC-Q100 車規可靠性測試 作為武漢芯源半導體首款車規級MCU產品,CW32A030C8T7產品順利通過AEC-Q100(Grade2)車規級可靠性測試,符合
2023-11-30 16:46:07465

武漢芯源半導體首款車規級MCU,CW32A030C8T7通過AEC-Q100測試考核

。CW32A030C8T7通過AEC-Q100車規可靠性測試作為武漢芯源半導體首款車規級MCU產品,CW32A030C8T7產品順利通過AEC-Q100(Grade2
2023-11-30 15:48:35185

武漢芯源半導體首款車規級MCU通過AEC-Q100測試考核

近日,武漢芯源半導體正式發布基于Cortex?-M0+內核的CW32A030C8T7車規級MCU,這是武漢芯源半導體首款通過AEC-Q100 (Grade 2)車規標準的主流通用型車規MCU產品。
2023-12-08 14:29:50367

安建半導體推出全新150V SGT MOSFET產品平臺

安建半導體 (JSAB) 隆重推出全新的150V SGT MOSFET產品平臺,平臺采用先進的技術和設計,提供了卓越的開關特性和低導通電阻,從而實現了高效的能源轉換和低能耗操作,不僅可以顯著提高
2024-01-23 13:36:49293

瞻芯電子開發的3款第二代650V SiC MOSFET通過了車規級可靠性認證

3月8日,瞻芯電子開發的3款第二代650V SiC MOSFET產品通過了嚴格的車規級可靠性認證(AEC-Q101 Qualified)。
2024-03-11 09:24:38287

瞻芯電子第二代650V SiC MOSFET產品通過車規級可靠性認證

近日,瞻芯電子宣布其研發的三款第二代650V SiC MOSFET產品成功通過了嚴格的AEC-Q101車規級可靠性認證,這一里程碑式的成就標志著瞻芯電子在功率電子領域的持續創新與技術突破。
2024-03-12 11:04:24260

蓉矽半導體1200V SiC MOSFET通過車規級可靠性認證

蓉矽半導體近日宣布,其自主研發的1200V 40mΩ SiC MOSFET產品NC1M120C40HT已順利通過AEC-Q101車規級測試和HV-H3TRB加嚴可靠性考核。這一里程碑式的成就不僅彰顯了蓉矽半導體在功率半導體領域的技術實力,也進一步證明了其產品在新能源汽車、光伏逆變等高端應用領域的強大競爭力。
2024-03-12 11:06:30228

蓉矽半導體SiC MOSFET通過AEC-Q101車規級考核和HV-H3TRB加嚴可靠性驗證

蓉矽半導體自主研發的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT順利通過AEC-Q101車規級測試和HV-H3TRB加嚴可靠性考核,同時通過了新能源行業頭部廠商的導入測試并量產交付。
2024-03-12 17:18:21205

瞻芯電子推出三款第二代650V SiC MOSFET產品

瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產品,這些產品不僅通過了嚴格的車規級可靠性認證(AEC-Q101 Qualified),還具備業界領先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出,標志著瞻芯電子在半導體技術領域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279

SGS為安芯電子、安美半導體頒發了AEC-Q101認證證書

2024年3月22日, 國際公認的測試、檢測和認證機構SGS為安芯電子科技股份有限公司(以下簡稱“安芯電子”)及其子公司安徽安美半導體有限公司(以下簡稱“安美半導體”)頒發了AEC-Q101認證證書。
2024-03-22 18:21:55378

SGS為華微電子頒發AEC-Q101認證證書

近日,國際公認的測試、檢驗和認證機構SGS(以下簡稱為“SGS”)為吉林華微電子股份有限公司(以下簡稱為“華微電子”)頒發AEC-Q101認證證書。
2024-03-22 18:25:56363

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