通訊應用使用基于半橋、全橋或同步降壓功率拓撲的電源模塊。這些拓撲使用高性能半橋驅動器實現高頻操作和高效率。半橋柵極驅動器采用的技術已在業界成功應用了數十年，UCC27282 120-V 2.5A
2019-08-01 07:20:54
(PFC)級。該 PFC 級 具有 配備集成式驅動器的 TI LMG341xGaN FET，可在寬負載范圍內實現高效率，并且符合80 Plus Titanium 要求。該設計還支持半橋 LLC 隔離式
2020-06-22 18:22:03
實施了同步整流，可實現快速瞬態響應和高環路帶寬。該系統在無負載且待機功耗小于 100mW 的情況下可提供 12V 穩定電壓。通過變壓器可實現偽隔離，以防 48V 電池發生次級側短路。半橋柵極驅動器可
2018-09-30 09:43:10
=oxh_wx3、【周啟全老師】開關電源全集http://t.elecfans.com/topic/130.html?elecfans_trackid=oxh_wx大功率IGBT 在使用中驅動器至關重要，本文給出了不同功率等級IGBT 驅動器的設計計算方法，經驗公式及有關CONCEPT 驅動板的選型標準。
2019-02-03 21:00:00
；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。IGBT一般半橋式電路中的IGBT尤其多用于電機控制應用。圖騰柱式布局創造出
2015-12-30 09:27:49
MOSFET 和 IGBT 柵極驅動器電路的基本原理
2019-08-29 13:30:22
MOSFET驅動器的主要用途有哪些？MOSFET或IGBT哪一種驅動器最適合您的應用呢？
2021-11-08 06:11:40
電路（Rectifier）相對應，把直流電變成交流電稱為逆變。逆變電路可用于構成各種交流電源，在工業中得到廣泛應用。為了提高所設計的激勵電源輸出功率和工作頻率， **逆變電路采用全橋逆的方式，相對于單管和半橋逆變電路，全橋逆變的輸出功率更高、開關損耗更小、可接納的控制方式更多。**全橋逆變電路如下圖所示
2021-11-16 06:14:11
，隔離式柵極驅動器的輸出端主要從供電軌獲取電流。一旦IGBT或MOSFET的柵極電壓到達供電軌，功耗便降為最低，因為柵極本質上是一個電容。對于高端驅動器而言，高端MOSFET導通時，該吸電流與半橋電壓拉
2018-10-16 13:52:11
半橋和全橋式的開關電源有什么優缺點
2021-03-11 07:39:42
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其它系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
ADuM4121柵極驅動器的典型設置，其結合功率MOSFET使用，采用半橋配置，適合電源和電機驅動應用。在這種設置中，如果Q1 和 Q2同時導通，有可能因為電源和接地引腳短路而發生直通。這可能會永久損壞
2021-07-09 07:00:00
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關來研究柵極驅動器隔離柵的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
結構 引言 功率MOSFET以其開關速度快、驅動功率小和功耗低等優點在中小容量的變流器中得到了廣泛的應用。當采用功率MOSFET橋式拓撲結構時，同一橋臂上的兩個功率器件在轉換過程中，柵極驅動信號
2018-08-27 16:00:08
描述DC-DC 轉換器 33-42 Vin/12V, 5A 輸出該項目最初旨在為驅動 BLDC 電機的半橋開啟高端和低端 MOSFET。最好將此設計與柵極驅動器連接。PCB+展示
2022-08-09 06:31:26
A4989SLDTR-T代替A3986 大功率工業用雙極二相步進電機雙全橋柵極驅動器 30-500W其電動機的功率是由外部N溝提供，功率MOSFET的電源電壓為12-50V.還包含生成兩個正弦DAC
2019-10-28 14:00:50
CK5G14 在同一顆芯片中同時集成了三個 250V 半橋柵極驅動器，特別適合于三相電機應用中高速功率 MOSFET 和 IGBT 的柵極驅動。芯片內置了死區時間和上下管直通保護，非常有效地阻止半橋
2022-01-04 14:16:57
，盡管它也可以用來驅動螺線管或其他負載。每個輸出驅動通道由N通道功率MOSFET組成，配置在1/2 H橋配置中。每個1/2 H橋驅動器都有一個專用的接地端子，允許獨立的外部電流感應?！ ≡贒RV8313
2020-07-10 14:23:52
FAN73832 是一款半橋、柵極驅動 IC，帶關斷和可編程死區時間控制功能，能驅動 MOSFET 和 IGBT，工作電壓高達 +600 V。飛兆的高壓工藝和共模噪聲消除技術可使高側驅動器在高 dv
2022-03-08 08:36:21
FAN73912MX是一款單片半橋柵極驅動 IC，設計用于高壓、高速驅動 MOSFET 和 IGBT，工作電壓高達 +1200 V。 HIN 的先進輸入濾波器針對噪聲產生的短脈沖輸入信號提供保護功能
2021-12-20 09:19:25
框內的左下臂驅動電路． 集電極開路器件U14是將TTL電平轉換成CMOS電平的緩沖/驅動器，當U14輸出低電平時，功率MOSFET管VT2的柵極
2009-08-20 18:24:15
驅動電路中通常要用硬件電路當地控制開關，電機驅動板主要采用兩種驅動芯片，一種是全橋驅動HIP4082，一種是半橋驅動IR2104，半橋電路是兩個MOS管組成的振蕩，全橋電路是四個MOS管組成
2020-07-15 17:35:23
概述：IRS26302DJBPF美國國家半導體公司生產的一款高速功率MOSFET和IGBT驅動器，它把功率MOSFET/IGBT柵極驅動器與三個高側及三個低側參考輸出通道集成在一起，在最高20V
2021-05-18 07:25:34
■ 產品概述LN4318 是一款基于懸浮襯底和 P_EPI 工藝的 250V高壓三相柵極驅動器，具有三路獨立的高低邊輸出，可以用來驅動半橋電路中的高壓大功率 MOSFET 或 IGBT。LN4318
2021-06-30 10:07:13
/ESOP-8、MSOP-8、DFN2*2-8、DFN3*3-8 等封裝形式，給方案設計帶來更多的選擇。半橋/全橋轉換器同步降壓、升降壓拓撲電子煙、無線充 MOSFET 驅動器電源電壓工作范圍為 4.5V
2022-01-12 13:39:25
LT1160的典型應用 - 半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅動器。 LT 1160 / LT1162是經濟高效的半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅動器
2019-05-14 09:23:01
本人最近利用Multisim軟件在做一個全橋逆變電路，用到里面自帶的IGBT模塊，按說明文檔驅動電壓為±20V，然而給定驅動脈沖，IGBT并未正常開通、關斷，本人用到的脈沖發生模塊為Sources下
2012-12-08 10:24:05
NCP5106BA36WGEVB，NCP5106,36 W鎮流器評估板。 NCP5106是一款高壓柵極驅動器IC，提供兩路輸出，用于直接驅動2個N溝道功率MOSFET或IGBT，采用半橋配置版本B或任何其他高端+低端配置版本A.它使用自舉技術，以確保正確驅動高端電源開關。該驅動程序使用2個獨立輸入
2019-10-12 10:31:24
采用半橋（或任何其他高側+低側）配置。它使用自舉技術確保正確驅動高端電源開關。驅動器采用2個獨立輸入，以適應任何拓撲結構（包括半橋，非對稱半橋，有源鉗位和全橋）
2019-10-12 10:29:07
的虛假開關。對于這兩個通道，該器件可以提供高達4A的強大柵極控制信號，其雙輸出引腳為柵極驅動提供了額外的靈活性。有源Miller鉗位功能可在半橋拓撲的快速換向期間避免柵極峰。
2023-09-05 06:59:59
采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅動器IC在造就高性能方面的卓越能力。采用光耦合器隔離的基本半橋驅動器（如圖1所示）以極性相反的信號來驅動高端和低端N溝道MOSFET（或IGBT）的柵極，由此來控制輸出功率
2018-07-03 16:33:25
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關來研究柵極驅動器隔離柵的耐受性能。在高度可靠、高性能的應用中，如電動/混合動力汽車，隔離柵級驅動器需要確保隔離柵在所有情況下完好無損。隨著
2021-01-22 06:45:02
柵極驅動器的 +16V/-8V 電壓，能夠通過具有外部 BJT/MOSFET 緩沖器的單極或雙極電源為柵極驅動器供電可針對反相/非反相工作情況配置柵極驅動器輸入可選擇通過如下方式評估系統：柵極驅動器和 IGBT 之間的雙絞線電纜柵極和發射極之間的外部電容
2018-12-27 11:41:40
LT1336的典型應用是具有成本效益的半橋N溝道功率MOSFET驅動器。浮動驅動器可以驅動頂部N溝道功率MOSFET工作在高達60V（絕對最大值）的高壓（HV）軌道上工作
2019-05-10 06:46:05
本設計介紹的是THB8128大功率、高細分兩相混合式步進電機驅動器設計，見附件下載其原理圖和測試代碼等。該THB8128步進電機驅動器支持雙全橋MOSFET驅動，低導通電阻Ron=0.4Ω(上橋
2019-11-12 07:00:00
驅動半橋配置中的并聯 IGBT。并聯 IGBT 在柵極驅動器級（驅動強度不足）以及系統級均會帶來挑戰：難以在兩個 IGBT 中保持相等電流分布的同時確保更快的導通和關斷。此參考設計使用增強型隔離式
2018-12-07 14:05:13
的一半?！ ?.3全橋式變壓器開關電源主要用于輸入電壓比較高的場合，在輸入電壓很高的情況下， 采用全橋式變壓器開關電源，其輸出功率要比推挽式變壓器開關電源的輸出功率大很多。因此，一般電網電壓為交流
2018-09-28 10:07:25
來設置單極或雙極 PWM 柵極驅動器延遲時間短，上升和下降時間短提供用于驅動半橋的信號和電源反激式恒定導通時間，無需環路補償可以在 24V±20% 范圍內寬松調節輸入此電路設計經過測試并包含測試結果
2018-12-21 11:39:19
在開啟時提供此功能。實驗驗證表明，在高負載范圍和低開關速度（《5V/ns）下，SiC-MOSFET或IGBT的電流源驅動與傳統方法相比，導通損耗降低了26%。在電機驅動器等應用中，dv/dt 通常限制為 5V/ns，電流源驅動器可提高效率并提供有前途的解決方案。
2023-02-21 16:36:47
IGBT 或 SiC MOSFET。具有可調消隱時間的過流保護。先進的主動箝位保護欠壓和過壓鎖定保護。兩個 1 安培脈沖變壓器驅動器，用于故障信號通信。IX6611設計用于為高功率開關器件提供柵極驅動
2023-02-27 09:52:17
MOSFET的原理是什么？MOSFET的作用是什么？H橋全橋驅動的原理是什么？如何將H橋驅動當作電機或步進電機的驅動電路？
2021-08-06 07:33:11
闡述這些設計理念，以展現采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅動器IC在造就高性能方面的卓越能力。采用光耦合器隔離的基本半橋驅動器(如圖1所示)以極性相反的信號來驅動高端和低端N溝道MOSFET(或IGBT
2018-10-23 11:49:22
驅動器解決方案在提供高性能和小尺寸方面的卓越能力。隔離式半橋驅動器的功能是驅動上橋臂和下橋臂N溝道MOSFET(或IGBT)的柵極，通過低輸出阻抗降低導通損耗，同時通過快速開關時間降低開關損耗。上橋臂
2018-10-16 16:00:23
展現采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅動器IC在造就高性能方面的卓越能力?！ 〔捎霉怦詈?b class="flag-6" style="color: red">器隔離的基本半橋驅動器（如圖1所示）以極性相反的信號來驅動高端和低端N溝道MOSFET（或IGBT）的柵極，由此來控制
2018-09-26 09:57:10
FD6288T&Q 是一款集成了三個獨立的半橋柵極驅動集成電路芯片，專為高壓、高速驅動 MOSFET 設計，可在高達+250V 電壓下工作。FD6288T&Q 內置 VCC/VBS
2021-06-30 11:48:09
采用溝槽型、低導通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產品型號 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
和低側。該電路還在控制側和電源側之間提供電流隔離。 ADuM7234是一款隔離式半橋柵極驅動器，采用iCoupler技術提供獨立且隔離的高端和低端輸出，因此可以在H橋中專門使用N溝道MOSFET。該電路可用于電機控制，帶嵌入式控制接口的電源轉換，照明，音頻放大器和不間斷電源（UPS）
2019-11-07 08:53:19
怎么實現MOSFET的半橋驅動電路的設計？
2021-10-11 07:18:56
位功能，可用于各種開關拓撲控制碳化硅（SiC）或硅MOSFET和IGBT功率晶體管。STGAP2SCM配備一個有源米勒鉗位專用引腳，為設計人員防止半橋配置晶體管意外導通提供一個簡便的解決方案。在
2018-08-06 14:37:25
對MOS管的驅動電路形式，常用推挽式電路，增強驅動能力而功率放大的電路形式，常使用全橋或者半橋的電路形式，放大功率同樣是要接外接供電電源，為什么驅動用推挽，功放用全橋半橋？如果交換電路形式呢？謝謝
2020-07-15 01:34:51
對MOS管的驅動電路形式，常用推挽式電路，增強驅動能力而功率放大的電路形式，常使用全橋或者半橋的電路形式，放大功率同樣是要接外接供電電源，為什么驅動用推挽，功放用全橋半橋？如果交換電路形式呢？謝謝
2017-02-16 14:02:13
將減小元件尺寸，從而減小成本、系統尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場中的主要優勢。新型功率開關還將促使其控制元件發生變化，其中包括柵極驅動器。本文將探討GaN和SiC開關與IGBT/MOSFET的一些
2018-10-16 06:20:46
頻率將減小元件尺寸，從而減小成本、系統尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場中的主要優勢。新型功率開關還將促使其控制元件發生變化，其中包括柵極驅動器。本文將探討GaN和SiC開關與IGBT/MOSFET
2018-10-16 21:19:44
減小元件尺寸，從而減小成本、系統尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場中的主要優勢。新型功率開關還將促使其控制元件發生變化，其中包括柵極驅動器。本文將探討GaN和SiC開關與IGBT/MOSFET的一些
2018-10-24 09:47:32
+LDO，可有效改善無線充電普遍存在的發熱高、效率低、外圍電路復雜等問題。這種方案除了少數電阻電容以外，只有兩個主要元器件：主控和高集成度的全橋/半橋芯片，其中SN-D06集成了全橋驅動芯片、功率
2018-12-07 15:30:46
求教各位大佬：MOSFET半橋驅動芯片空載時為什么HO和LO都沒有輸出波形？最近我在做D類放大，由于是分模塊做的，半橋驅動芯片沒有與mosfet相連，是空載。當我把pwm波輸入半橋驅動芯片后，半橋驅動器HO和LO無輸出。調試了半天也沒發現問題。各位大佬如果知道的話，請指點下小弟。萬分感謝?。?！
2018-04-09 23:54:28
每個半橋的參數設置、晶體管的獨立或協調控制以及診斷監控。圖3：使用從MCU到DRV8718-Q1汽車柵極驅動器的菊花鏈配置控制16個半橋統一控制可減少 MCU 的工作量。只需一條命令，MCU 即可啟用
2022-11-03 07:05:16
描述此參考設計是一種通過汽車認證的隔離式柵極驅動器解決方案，可在半橋配置中驅動碳化硅 (SiC) MOSFET。此設計分別為雙通道隔離式柵極驅動器提供兩個推挽式偏置電源，其中每個電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
柵極驅動器，能夠驅動 N 型功率 MOSFET 和 IGBT。 FD2606S 內置 VCC 和 VB 欠壓（UVLO）保護功能，防止功率管在過低的電壓下工作。 FD2606S 邏輯輸入兼容 TTL 和 CMOS（低至 3.3V），方便與控制設備接口。該驅動器輸出具有最小驅動器跨導的高脈沖電流緩沖設計。
2021-09-14 07:29:33
管子開關影響?！ ?）低傳輸延遲 通常情況下，硅IGBT的應用開關頻率小于40kHZ，碳化硅MOSFET推薦應用開關頻率大于100kHz，應用頻率的提高使得碳化硅MOSFET要求驅動器提供更低的信號
2023-02-27 16:03:36
電源，輸入范圍為 24V±20%，支持用于三相逆變器（每個臂為半橋配置）的 6 個 IGBT 柵極驅動器? 低波紋 (
2018-09-06 09:07:35
源電壓均高于10 V，電源電壓降至7 V。對于極端的電池壓降條件，在電源電壓降至5.5 V，但柵極驅動電壓降低的情況下，可保證正常工作。A4940提供微控制器的邏輯級輸出和全橋配置的N通道功率
2020-09-29 16:51:51
L6390，用于工業應用的高壓半橋柵極驅動器。三相功率級三L6390半橋柵極驅動器之一的應用電路
2019-07-08 12:28:25
v 額定 MOSFET 可能有一個總柵極電荷只有35 nC。為了確保支持全功率譜的工具陣容，設計人員必須調節平均 VREG 電流，驅動器可以提供給 MOSFET 的柵極，使 MOSFET 處于通態
2022-04-14 14:43:07
驅動器，特別適合于三相電機應用中高速功率 MOSFET 和 IGBT 的柵極驅動。芯片內置了死區時間和上下管直通保護，非常有效地阻止半橋電路損壞。為了防止因芯片工作在較低的電源電壓而對功率管產生損害
2019-12-06 13:13:21
有大神知道不用集成芯片搭建半橋驅動器的套路嗎？最近看電瓶車控制器里的驅動模塊沒有類似半橋驅動器的芯片，應該是自己搭建的，網上看了看也沒有類似的東西，來請教一下
2017-01-14 18:03:50
請問怎么優化寬禁帶材料器件的半橋和門驅動器設計？
2021-06-17 06:45:48
EVAL-CN0196-EB1Z，H橋驅動器評估板，采用隔離式半橋驅動器。 CN0196是由高功率開關MOSFET組成的H橋，其由低壓邏輯信號控制。該電路在邏輯信號和高功率電橋之間提供了方便的接口
2019-05-17 09:15:02
采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅動器IC在造就高性能方面的卓越能力
2021-03-03 06:35:03
或負切換電壓范圍內，可靠地控制各種MOSFET配置的開關特性。為了確保安全和簡化測試，選擇12 V直流電源作為本設計的電源。自舉柵極驅動電路高端和低端的柵極驅動器電源是不同的。低端柵極驅動電壓以地為
2018-10-24 10:28:10
通道的器件，此規格的表述方式相同，但被稱為通道間偏斜。傳播延遲偏斜通常不能在控制電路中予以補償。圖6顯示了ADuM4121柵極驅動器的典型設置，其結合功率MOSFET使用，采用半橋配置，適合電源和電機
2018-10-25 10:22:56
6顯示了ADuM4121柵極驅動器的典型設置，其結合功率MOSFET使用，采用半橋配置，適合電源和電機驅動應用。在這種設置中，如果Q1和Q2同時導通，有可能因為電源和接地引腳短路而發生直通。這可
2018-11-01 11:35:35
4-A、600V 半橋柵極驅動器 Bus voltage (Max) (V) 600 Power switch MOSFET, IGBT Input VCC (Min) (V
2022-12-14 14:43:05
TF2183(4)M是一種高壓、高速的柵極驅動器，能夠在半橋式配置中驅動n-通道
2023-02-27 17:04:43
TF2184是一種高壓、高速柵極驅動器，能夠在半橋配置中驅動n通道MOSFET和igbt。TF半導體的高壓過程使TF2184的高側能夠在引導
2023-06-25 16:25:20
TF2103M是一種高壓、高速的柵極驅動器，能夠在半橋式配置中驅動n-通道MOSFETs和igbt。TF半導體的高壓過程使TF2103M高側切換到600V的引導操作
2023-06-25 16:39:30
TF2104M是一種高壓、高速的柵極驅動器，能夠在半橋式配置中驅動n-通道MOSFETs和igbt。TFSemi的高壓過程使TF2104M的高側能夠在引導操作中切
2023-06-26 09:27:41
TF21844M是一種高壓、高速柵極驅動器，能夠在半橋配置中驅動n通道MOSFET和IGBT。TF半導體的高壓過程使TF21844M的高側能夠在引導操作中切換到600V
2023-06-26 15:00:48
TF2304M是一種高壓、高速的柵極驅動器，能夠在半橋式配置中驅動n-通道MOSFETs和igbt。TFSemi的高壓過程使TF2304M的高側能夠在引導操作中切
2023-06-26 15:48:29
TF2003M是一種高壓、高速的柵極驅動器，能夠在半橋式配置中驅動n-通道MOSFETs和igbt。TF半導體的高壓過程使TF2003M高側切換到250V的引導操作
2023-06-27 16:35:30
TFB0504是一個半橋式柵極驅動器，內部集成了自舉二極管，能夠在半橋式配置中驅動n通道mosfet和igbt。TF半導體的先進工藝，使浮動高側驅動器操作到100V的引導
2023-06-27 17:01:42
TFB0527是一個半橋式柵極驅動器，內部集成了自舉二極管，能夠在半橋式配置中驅動n通道mosfet和igbt。TF半導體的先進工藝，使浮動高側驅動器操作到100V的引導
2023-06-28 17:08:12
TF2136M是一種三相柵極驅動器IC，設計用于高壓、高速應用，驅動半橋配置的n通道MOSFETs和igbt。TF半導體的高壓工藝使TF2136M高側能夠在引導操作中切
2023-07-04 10:46:50
深圳市三佛科技有限公司供應SA2601矽塔科技600V單相半橋柵極驅動芯片SOP8，原裝現貨 半橋柵極動心片.半橋柵極驅動芯片是一種用于驅動半橋功率器件(例如電力 MOSFET、IGBT等
2023-11-07 17:06:58
Diodes公司推出ZXGD3005E6 10A柵極驅動器，在電源、太陽能逆變器和馬達驅動電路中，實現超快速的功率MOSFET及 IGBT負載切換
2011-03-25 11:29:47
1088 的柵極驅動要求等。與在這種設計中正式使用的雙極晶體管相比，IGBT在驅動電路的尺寸和復雜度上都有相當大的降低。最近在IGBT開關速度的改進取得了設備適用于電源的應用，因此IGBT將與某些高電壓MOSFET以及應用。許多設計者因此轉向MOSFET驅動器以滿足其
2017-07-04 10:51:05
22 通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關來研究柵極驅動器隔離柵的耐受性能。
2019-04-16 17:07:394941 
本應用筆記涵蓋了計算柵極驅動光耦合器 IC 的柵極驅動器功率和熱耗散的主題。柵極驅動光耦合器用于驅動、導通和關斷、功率半導體開關、MOSFET/IGBT。柵極驅動功率計算可分為三部分；驅動器內部電路
2021-06-14 03:51:003144 
摘要
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其它系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為
2021-01-28 08:13:3820 MOSFET和IGBT柵極驅動器電路的基本原理
2021-11-29 16:29:1763 意法半導體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅動器旨在提供穩健性、可靠性、系統集成性和靈活性的完美結合。
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