非易失性存儲器芯片又可分為快閃存儲器 （Flash Memory） 與只讀存儲器 （Read-Only Memory）。其中，快閃存儲器又可以分為 NAND 存儲和 NOR 存儲。
2024-03-22 10:54:15
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集成芯片種類繁多，每種類型都有其獨特的應用和功能。
2024-03-18 15:12:3285 三星計劃NAND閃存價格談判 欲漲價15%—20% 三星認為NAND Flash價格過低；在減產和獲利優先政策的促使下三星計劃與客戶就NAND閃存價格重新談判，目標價位是漲價15%—20%。
2024-03-14 15:35:22217 前言 NAND Flash 和 NOR Flash是現在市場上兩種主要的閃存技術。Intel于1988年首先開發出 NOR Flash 技術,徹底改變了原先由 EPROM 和 EEPROM 一統天下
2024-03-01 17:08:45158 
）的GD32F10x_CL和GD32F10x_XD，使用了兩片閃存；前512KB容量在第一片閃存（bank0）中，后續的容量在第二片閃存（bank1）中；3、對于flash容量
2024-02-19 12:46:25380 
逐次比較輸入信號與參考電壓的大小，逐步逼近輸入信號的數值，并將其轉換為數字輸出。SAR ADC具有高速、低功耗和高精度的特點，適用于各種應用場合。 閃存型ADC（Flash ADC）：閃存型ADC是一種基于電容陣列和開關的高速ADC。它通過控制開關將輸入信號采樣到電容陣
2024-02-16 16:24:001748 
親愛的收件人，
我們知道 PSoC 6 中有許多種類的電源。
例如：有 VDDD、VDDIO1、VDDIO2、VDDA 等
據我所知，\"閃存\"的電源來自VDDD。
接下來
2024-01-31 07:36:02
在用戶手冊中，Pflash 和 Dflash 都有閃存 ECC 保護，我想知道 ECC 內存在哪里？ 它會占用 pflash 空間還是存儲在用戶無法訪問的地方？
在此先謝謝！
2024-01-26 08:12:37
我用了 moduxTooBox 版本 3.0.0， 在我設置 QSPI Configurator 4.0 之后，我仍然遇到編譯錯誤，因為 cy_serial_flash_qspi.h：\"
2024-01-24 07:09:52
*/
FLASH_CM0P_SIZE = 0x20000；FLASH_CM0P_START = ORIGIN（閃存）；
/* CRTEX-M4 應用程序圖像的大小和起
始地址 */ FLASH
2024-01-22 06:42:24
的Flash存儲芯片，用于擴展ESP32的存儲容量。 ESP32外置Flash的大小是可以根據需求而定的。通常，外置Flash的大小可以從幾兆字節到幾十兆字節不等，常見的大小有16MB、32MB、64MB等。 為什么需要外置Flash？ 首先，ESP32內置的閃存空間有限，僅為4MB或者8MB（不同
2024-01-09 11:24:25752 當涉及到將變量存儲在Flash中時，我們通常指的是將變量存儲在STM32微控制器的閃存器件中。在STM32芯片中，閃存用于存儲程序代碼和只讀數據，但對于一些應用情況，我們可以使用閃存來存儲可讀
2023-12-28 15:33:33545 NOR Flash是一種基于NOR門結構的閃存，NOR是邏輯門電路中的“或非”門。NOR Flash具有并行訪問結構，這意味著每個存儲單元都有一個地址，可以直接訪問任何存儲單元，這使NOR Flash具有快速的隨機訪問能力，適用于執行代碼和讀取關鍵數據。
2023-12-27 14:37:05293 FLASH閃存是一種非易失性內存，閃存在沒有電流供應的條件下也能夠長久地保持數據，其存儲特性相當于硬盤，這項特性正是閃存得以成為各類便攜型數字設備的存儲介質的基礎。
2023-12-15 14:06:27419 運算放大器的種類都有哪些？你知道嗎？
2023-12-13 15:14:11262 
Nor Flash采用NOR門結構，其中每個存儲單元都有不同的地址用于直接訪問。這種并行訪問功能可以實現高效的隨機訪問和快速的數據檢索。
2023-12-05 15:21:59363 閃存編程也不涉及將數據寫入存儲單元，為確保準確編程，Nor Flash 支持字節級編程，允許寫入或修改單個字節，而無需擦除整個塊。
2023-12-05 14:03:22390 Nor Flash是一種非易失性存儲技術，用于存儲數據和代碼。它是一種閃存存儲器，類似于NAND Flash，但具有不同的特性和應用場景。
2023-12-05 13:57:37837 NOR FLASH是一種非易失性存儲技術，對計算機存儲具有重大影響，閃存其獨特的特性和功能影響著計算機存儲系統的各個方面
2023-12-05 10:32:31332 NAND Flash和NOR Flash是兩種常見的閃存類型。
2023-11-30 13:53:20734 
閃速存儲器 （Flash Memory）簡稱閃存器或閃存，是一種非易失性存儲器(Non-volatile Memory， NVM)。目前常用的兩種閃存器是或非閃存器 (NOR Flash）和與非閃存
2023-11-23 09:36:17914 
、高可靠性等特點。但嵌入式Flash的邊界主要包括以下幾個方面。 首先，嵌入式Flash的物理存儲空間是有限的，這個邊界可以根據存儲芯片的型號和容量來確定。通常，嵌入式Flash的存儲容量不如普通閃存存儲器，一般在數百兆到幾個G之間，因此需要謹
2023-10-29 17:29:44250 地解釋它們之間的差異。 1. FLASH存儲器結構 NOR Flash和NAND Flash的主要區別在于它們的存儲器結構。 NOR Flash 的存儲器結構
2023-10-29 16:32:58646 工業閃存卡有很多種類，常見的有CF卡、SD卡、MMC卡、記憶棒、SM卡、xD卡、TF卡等
2023-10-25 15:53:53958 
快閃存儲器（flash memory），是一種電子式可清除程序化只讀存儲器的形式，允許在操作中被多次擦或寫的存儲器。它是一種非易失性存儲器，即斷電數據也不會丟失。
2023-10-24 15:19:17498 
對閃存的整片擦除有兩種方法，操作閃存控制寄存器（FLASH_CTRL）或者解除訪問保護。一般情況下使用的方法是操作閃存控制寄存器（FLASH_CTRL）進行整片擦除，使用整片擦除函數
2023-10-20 08:21:03
目前，NOR FLASH和NAND FLASH是市場上主要的非易失性閃存技術，但是據我了解，還是有很多工程師分不清NAND FLASH與NOR FLASH。
2023-10-01 14:05:00471 
Data flash，直譯數據閃存，閃存有可執行程序的“代碼閃存”和數據保存區的“數據閃存”，這里講的數據閃存，其實就是單片機留給用戶存儲自己數據的地方，類似于單片機內部的EEPROM，在CS+for CA，CX中也是可以直接配置生成庫函數的，但也可以使用FDL庫。
2023-09-13 12:25:19639 
是源（Source）、漏（Drain）、控制柵（ControlGate）和浮柵（FloatingGate）。 Flash 器件與普通MOS管的主要區別在于浮柵，Flash 器件通過浮柵注入和釋放電荷表征
2023-09-09 14:27:383604 
光刻技術通過光刻膠將圖案成功轉移到硅片上，但是在相關制程結束后就需要完全除去光刻膠，那么這個時候去膠液就發揮了作用，那么去膠液都有哪些種類？去膠原理是什么？
2023-09-06 10:25:011152 
分析閃存控制器的架構，首先得了解SSD。一般來說SSD的存儲介質分為兩種，一種是采用閃存（Flash芯片）作為存儲介質，另外一種是采用DRAM作為存儲介質。我們通常所說的SSD就是基于閃存的固態硬盤
2023-08-29 16:10:09496 下降，因此采用硬件加解密，避免效能降低，且能達到最高等級的安全防護將是較佳選擇。
硬件加解密主要優點：
銅墻鐵壁安全保護：使用硬件方式來儲存與保護金鑰，加解密運算(Cryptography)過程都在
2023-08-28 07:29:03
基于閃存的存儲，它是否被添加到現有的硬盤驅動器系統或專用閃存陣列，可以啟用數據中心以獲得更高的投資回報(ROI)虛擬化(桌面和服務器)和數據庫應用基礎設施。FLASH響應性提供更高的密度，更多
2023-08-25 17:28:26
0 Flash是存儲芯片的一種，在電子及半導體領域內表示為Flsah Memory，全稱為Flash EEPROM Memeory，即我們平時說的“閃存”。它結合了ROM和RAM的優點，具備電子可擦除
2023-08-24 12:35:053181 
FLASH，指Flash Memory，是一種非易失性存儲器（閃存），掉電能正常保存數據。
2023-08-16 12:22:211442 
rh850的pflash和dflash數據分配 RH850是一種流行的微控制器，廣泛用于汽車和工業應用。它有兩種類型的閃存-P-flash和D-flash。P-Flash是程序閃存，D-Flash
2023-08-15 16:23:10779 語音芯片的型號有哪些？為什么強烈推薦使用flash型可擦寫的芯片。這里我們簡單描述一下如下常見類容：
1、他們都有什么特點？以及發展的歷程簡介
2、常見的語音芯片有哪些？
3、為什么推薦使用flash型可以重復擦寫的
2023-08-14 11:05:24397 
AMBA通用閃存總線（GFB）通過在系統和閃存之間提供簡單的接口，簡化了子系統中嵌入式閃存控制器的集成。GFB存在于Flash控制器的管理器側和下級側之間的邊界上，如圖1-1所示。Manager端有
2023-08-11 07:55:01
制造商: Winbond 產品種類: NOR閃存
2023-08-04 12:46:29
?閃存的原理、優勢以及在不同領域中的應用。 什么是pSLC pSLC?是一種虛擬的 SLC?技術，通過采用特殊的控制算法和管理方法，在 MLC?或 TLC?閃存芯片上模擬 SLC?存儲單元。 1、pSLC技術的可靠性介于SLC和MLC之間，其性能接近于SLC； 2、透過Flash控制器的創新性設
2023-08-02 15:16:593365 
Flash（閃存）是一種可擦除的只讀存儲器，按照實現方式和運行特性Flash一般還會分為NOR和NAND兩種。其中NOR Flash支持隨機地址的讀取方式，在讀取操作上類似于RAM，比較適合程序
2023-07-24 10:00:281845 
UFS（Universal Flash Storage）是一種用于存儲的閃存標準，而不是內存標準。它是一種閃存存儲技術，用于移動設備和其他便攜式電子設備中的非易失性存儲。
2023-07-18 15:00:0313550 板對板連接器，根據電路板之間不同的連接方式，分為不同的種類，每個種類都有自己的特性。
2023-07-18 09:34:241832 Renesas Flash Programmer V3.05 閃存編程軟件用戶手冊
2023-07-06 18:52:010 Renesas Flash Programmer V3.06 閃存編程軟件用戶手冊
2023-07-05 19:58:380 相對于傳統機械硬盤，固態硬盤采用了閃存存儲技術，具有更高的數據訪問速度、更低的能耗、更小的體積和更好的抗震性能。其中，Nand Flash 技術的發展使得固態硬盤成為了相對便宜和可靠的存儲解決方案之一。
2023-07-05 15:37:072134 Renesas Flash Programmer V3.08 閃存編程軟件用戶手冊
2023-07-03 20:57:330 Renesas Flash Programmer V3.09 閃存編程軟件用戶手冊
2023-06-30 20:53:531 Renesas Flash Programmer V3.10 閃存編程軟件用戶手冊
2023-06-30 20:06:200 Renesas Flash Programmer V3.11閃存編程軟件用戶手冊
2023-06-30 19:18:547 編碼器是一種常見的電子設備，用于將模擬信號轉換成數字信號。它被廣泛應用在數字通信、音頻和視頻編碼、機器人控制、工業自動化設備、醫療設備、工程機械設備、冶金、礦井、航天航空等領域。根據不同的工作原理和適用場景，編碼器可以分為多種類型。編碼器有幾種類型？都有哪些用途？
2023-06-26 13:32:322572 本文轉自公眾號,歡迎關注 開放NAND閃存接口ONFI介紹 (qq.com) 一.前言 ? ONFI即 Open NAND Flash Interface, 開放NAND閃存接口.是一個由100多家
2023-06-21 17:36:325866 
Flash是存儲器的一種統稱，單片機內部Flash、外掛Flash、U盤、SSD等，到處都有Flash的身影。
2023-06-16 16:41:376445 
Flash閃存是一種存儲器,主要用于一般性程序存儲，以及電腦與其他數字產品間交換傳輸數據。根據內部存儲結構不同,Flash主要有兩種，NOR Flash和NAND Flash。
2023-06-12 17:08:26468 value: 0
我不明白No boot這個選項。我的意思是無論閃存如何，內部 ROM 都有引導加載程序。
為什么需要在閃存中生成額外的引導選項或第二階段引導選項？
2023-06-12 07:56:12
你好
我們想將 Winbond QSPI Flash 與 iMXRT685 一起使用。(FlexSPI)
上面的閃存部件 W25X40CLSNIG 是否兼容 iMXRT685 FlexSPI 閃存？
RT685: MIMXRT685SFVKB
SPI-NORFlash：W25X40CLSNIG（華邦）
2023-06-01 09:03:36
修改了我的閃存如下：
flash_rchw: org = 0x00F90000,len = 0x4
cpu0_reset_vec: org = 0x00F90000+0x10, len = 0x4
2023-05-24 08:47:04
處理器：MIMXRT1062CVL5
外部閃存：W25Q512JV
我們正在創建一個使用 LVGL 庫在監視器上顯示 GUI 的項目，因此我們需要一個外部閃存來存儲大量數據。
特別是，我們
2023-05-24 07:34:02
我們想同時使用 M7 和 A53 的 QSPI 閃存，這兩個內核都有自己的內存區域，驅動程序目前支持這種情況嗎？
如果是這樣，我們可以研究任何參考或示例嗎？我們是否需要在應用程序中實現信號量或其他
2023-05-18 07:47:18
上個月，我在您的幫助下實現了閃存 ECC 錯誤注入代碼。
我對附加代碼中的奇偶校驗生成有疑問
2023-05-17 08:20:37
我打算把它放在 Native SDK 部分，但我想只有
人才會知道這個？
我正在為 EEPROMClass 編寫一個替換類，以在閃存扇區內進行磨損均衡。我還想編寫類來檢測而不是使用壞的 4 字節區域
2023-05-12 06:30:50
MXRT1050 FlexSPI 模塊具有 LUT，最多支持 16 個序列，相當于 16 個閃存命令。
現在許多 NOR 閃存芯片支持的命令遠遠超過 16 條。
1. 有沒有辦法支持超過 16 個
2023-05-08 06:52:22
內部閃存的負載仍然太大。利用率超過100%。
這是我的項目的輸出。
內存區域已用大小已用區域大小百分比
PROGRAM_FLASH：598048 B 512 KB 114.07
2023-05-06 08:47:13
無法使用 Segger J-Flash 工具（使用 J-Link Plus 工具）讀取或寫入 MCU 閃存。
成功可以連接到MCU。
讀取閃存沒有發生，錯誤信息如下所示。
需要您的支持來解決這個問題
2023-04-28 06:20:00
？
我們嘗試使用 add flash tap -:0x60000000 添加閃存，大小為 0x4000000 并構建項目，然后項目構建成功但出現 0 錯誤但是當我們運行代碼時，處理器進入看門狗部分并且代碼不工作
有誰能幫忙介紹一下如何添加flash，我們還需要做什么其他設置嗎？
2023-04-25 09:06:38
我們正在考慮使用 MIMXRT1021 的新設計。我們正在尋找合適的閃存。它應該通過 Q-SPI 連接并且應該支持 RWW (ReadWhileWrite)。目的是能夠在執行時擦除/寫入 FLASH
2023-04-20 07:07:30
我的項目使用 MC56F83783VLH。 MC56F83xxx 有兩個閃存數據塊，如 RM 所示。 所以我的應用程序在主閃存陣列 1 中運行，并將主閃存陣列 2 用于我的保存數據區。但我無法在
2023-04-19 08:54:32
。***/ /* 使閃存控制器緩存無效 */ DisableFlashControllerCache(FLASH_PFCR1, FLASH_FMC_BFEN_MASK, &
2023-04-17 07:17:57
功率半導體產品介紹及主要種類！
2023-04-14 15:26:45554 
眾所周知，鎧俠公司發明了NAND Flash。公司憑借其領先的三維（3D）垂直閃存單元結構BiCS FLASH，讓公司閃存的密度在市場中名列前茅。與此同時，鎧俠還是第一個設想并準備將SLC技術成功遷移到MLC、再從MLC遷移到TLC、現在又從TLC遷移到QLC的行業參與者。
2023-04-14 09:17:03796 Flash_Driver_Source_Project.map5.制作閃存驅動 Note 6 創建閃存圖像 Note 7 選擇圖片格式Note 8 制作閃存驅動鏡像新建一個“xx.s19”文件，然后將0x1fffe000~0x1ffffffff 范圍內的數據
2023-04-14 08:46:14
在嵌入式系統中，Flash和EEPROM能夠存儲可用于通信或執行某些功能的數據。它們可以通過多種不同的串行協議（包括SPI或串行外圍設備接口）來連接存儲設備。在單片機中也集成了多種不同類型的SPI
2023-04-07 16:42:42
和我的主要應用程序代碼重新定位到另一個閃存地址（用于兩步引導加載程序）時，我遺漏了什么或者我應該設置一些特定的選項嗎？只是為了測試和復制這個問題，我為 EVB-OM13092 創建并附加了 2 個
2023-04-06 06:49:13
在查看 S32DS 中 S32K 閃存分區的示例代碼時，我發現生成的配置文件 (peripherals_flash_FTFC.c) 存在問題。閃存配置生成如下：/* 閃存用戶配置 0
2023-03-30 07:47:57
Flash Driver V.2動態啟動失敗 - 驅動程序 Init 未提供閃存參數Flash Driver V.2 動態啟動失敗 - 驅動程序 Init 未提供閃存參數op 終止 (0x0
2023-03-30 06:22:03
大家好，我正在從 MPC5744P 移植 MPC5775E 的啟動應用程序，所以首先我創建了一個使用 S32DS 閃爍 LED 的項目，我將 linker_flash.ld 中的默認閃存地址從
2023-03-24 07:28:05
程序會通過藍牙將.sb2文件下載到sdcard，然后booloader會讀取0xB000地址的AES密鑰，解密sdcard中的文件，最終將程序寫入flash 0xA000。我想知道在寫入閃存之前將 AES 密鑰存儲在哪里，我應該什么時候將它寫入閃存才能使整個更新過程安全？
2023-03-23 08:47:27
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