常見的flash閃存主要有哪些類型

FLASH閃存是一種非易失性內存，閃存在沒有電流供應的條件下也能夠長久地保持數據，其存儲特性相當于硬盤，這項特性正是閃存得以成為各類便攜型數字設備的存儲介質的基礎。Flash存儲器結合了ROM和RAM的長處且具備電子可擦除可編程的性能，還不會因斷電而丟失數據，具有快速讀取數據的特點。Flash總類可謂繁多且功能各異，而你對它了解有多少呢？本篇文章存儲芯片供應商英尚微電子帶大家一起來看看。

SPI NOR FLASH

SPI Nor Flash，采用的是SPI 通信協議，有4線（時鐘，兩個數據線，片選線）或者3線（時鐘，兩個數據線）通信接口，由于它有兩個數據線能實現全雙工通信，因此比IIC通信協議的IIC EEPROM的讀寫速度上要快很多。SPI Nor Flash具有NOR技術Flash Memory的特點，即程序和數據可存放在同一芯片上，擁有獨立的數據總線和地址總線，能快速隨機讀取，允許系統直接從Flash中讀取代碼執行；可以單字節或單字編程，但不能單字節擦除，必須以Sector為單位或對整片執行擦除操作，在對存儲器進行重新編程之前需要對Sector或整片進行預編程和擦除操作。

Nor Flash在擦寫次數上遠遠達不到IIC EEPROM，并且由于NOR技術Flash Memory的擦除和編程速度較慢，塊尺寸又較大，因此擦除和編程操作所花費的時間會很長;但SPI Nor Flash接口簡單，使用的引腳少易于連接且操作方便，并且可以在芯片上直接運行代碼，其穩定性出色，傳輸速率高，在小容量時具有很高的性價比，這使其很適合應于嵌入式系統中作為 FLASH ROM，所以在市場的占用率非常高。

Parallel Nor Falsh

Parallel Nor Falsh，也叫做并行Nor Flash，采用的Parallel接口通信協議，擁有獨立的數據線和地址總線，它同樣繼承了NOR技術Flash Memory的所有特點;由于采用了Parallel接口。Parallel Nor Falsh相對于SPI Nor Flash，支持的容量更大，讀寫的速度更快，但是由于占用的地址線和數據線太多，在電路電子設計上會占用很多資源。Parallel Nor Falsh讀寫時序類似于SRAM，只是寫的次數較少，速度也慢，由于其讀時序類似于SRAM，讀地址也是線性結構，所以多用于不需要經常更改程序代碼的數據存儲。

Parallel Nand Flash

Parallel Nand Flash同樣采用了Parallel接口通信協議，Nand Flash在工藝制程方面分有三種類型：SLC、MLC、TLC。Nand Flash技術Flash Memory具有以下特點：以頁為單位進行讀和編程操作，以塊為單位進行擦除操作;具有快編程和快擦除的功能，其塊擦除時間是2ms，而NOR技術的塊擦除時間達到幾百ms;芯片尺寸小，引腳少，是位成本（bit cost）最低的固態存儲器;芯片包含有壞塊，其數目取決于存儲器密度。壞塊不會影響有效塊的性能，但設計者需要有一套的壞塊管理策略！

對比Parallel Nor Falsh，Nand Flash在擦除和讀寫方面的速度快，使用擦寫次數更多，并且它強調更高的性能和更低的成本，更小的體積，更大的容量，更長的使用壽命。這使Nand Flash很擅于存儲純資料或數據等，在嵌入式系統中用來支持文件系統。其主要用來數據存儲，大部分的U盤都是使用Nand Flash，當前NandFlash在嵌入式產品中應用仍然極為廣泛，因此壞塊管理、掉電保護等措施就需要依賴NandFlash使用廠家通軟件進行完善。

SPI Nand Flash

SPI Nand Flash，采用了SPI Nor Flash一樣的SPI的通信協議，在讀寫的速度上沒什么區別，但在存儲結構上卻采用了與Parallel Nand Flash相同的結構，所以SPI nand相對于SPI Nor Flash具有擦寫的次數多，擦寫速度快的優勢，但是在使用以及使用過程中會同樣跟Parallel Nand Flash一樣會出現壞塊，因此也需要做特殊壞塊處理才能使用;

SPI Nand Flash相對比Parallel Nand Flash還有一個重要的特點，那就是芯片自己有內部ECC糾錯模塊，用戶無需再使用ECC算法計算糾錯，用戶可以在系統應用當中可以簡化代碼簡單操作。

FLASH因功能不同，使用的領域也各異，它在電子市場上應用極為廣泛，需求量極大，每日的需求量可達百萬的數量級，英尚微電子存儲芯片供應商可提供樣品及技術方面支持。

審核編輯：黃飛