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青島佳恩半導體有限公司

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IGBT驅動器直接并聯的優點和技術介紹

IGBT驅動器在并聯的場合有2種配置方法(LS1,LS2為雜散參數)
的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發表于 04-26 11:21 ?229次閱讀
IGBT驅動器直接并聯的優點和技術介紹

一文詳解IGBT半橋逆變電路

圖1是半橋式逆變電路的原理圖,它是在全橋式逆變電路的基礎上用電容C1、C2代替了Q3、Q4兩個IGB....
的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發表于 04-19 10:17 ?726次閱讀
一文詳解IGBT半橋逆變電路

關于IGBT模塊的散熱設計

由于IGBT模塊自身有一定的功耗,IGBT模塊本身會發熱。在一定外殼散熱條件下,功率器件存在一定的溫....
的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發表于 03-22 09:58 ?727次閱讀
關于IGBT模塊的散熱設計

什么是隔離?電機控制中IGBT驅動為什么需要隔離?

電化隔離:電荷無法由一個電路移動到另一個電路,雙方信號通過其他方式交換信息。
的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發表于 03-08 10:57 ?999次閱讀
什么是隔離?電機控制中IGBT驅動為什么需要隔離?

IGBT驅動電路過流保護的分類及其檢測方法

IGBT的過流保護電路可分為兩類:一類是低倍數(1.2-1.5倍)的過載保護;另一類是高倍數(可達8....
的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發表于 03-01 09:04 ?1305次閱讀
IGBT驅動電路過流保護的分類及其檢測方法

佳恩半導體成功入選青島市2023年度小微企業創新轉型項目名單!

近日,市民營經濟發展局公示了青島市2023年度小微企業創新轉型項目的名單,我司成功入選,同時感謝大家....
的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發表于 02-26 15:38 ?268次閱讀
佳恩半導體成功入選青島市2023年度小微企業創新轉型項目名單!

IGBT典型過流保護電路設計分享

所謂集中過電流保護,就是檢測逆變橋輸入直流母線上的電流,當該電流值超過設定的閾值時,封鎖所有橋臂IG....
的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發表于 02-23 09:03 ?552次閱讀
IGBT典型過流保護電路設計分享

淺析IGBT元件的并聯注意事項

由于門極-發射極連線電感LG、RG、還有Cies之間的關系,如果在門極驅動環路內發生震蕩,有可能因為....
的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發表于 01-25 09:11 ?330次閱讀
淺析IGBT元件的并聯注意事項

淺談IGBT模塊使用溫度范圍

IGBT模塊的運行溫度范圍是非常重要的參數。一些設備要求工作在室溫下,而另一些設備要求工作在很寬的溫....
的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發表于 01-19 16:25 ?1723次閱讀
淺談IGBT模塊使用溫度范圍

?IGBT模塊的損耗特性介紹

IGBT元件的損耗總和分為:通態損耗與開關損耗。開關損耗分別為開通損耗(EON)和關斷損耗(EOFF....
的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發表于 01-12 09:07 ?1278次閱讀
?IGBT模塊的損耗特性介紹

IGBT模塊的門極驅動介紹

額定門極驅動電壓:門極驅動電壓在±20V范圍內施加超過此范圍的電壓時,門極-發射極間的氧化膜(SiO....
的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發表于 01-05 09:06 ?2340次閱讀
IGBT模塊的門極驅動介紹

IGBT模塊電磁兼容性設計

變流器主電路在空間產生的磁場強度隨輸入、輸出母線中通過電流的強弱而變化,同時IGBT模塊產生的空間交....
的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發表于 12-15 16:26 ?279次閱讀

IGBT單管及IGBT模塊的區別在哪?

IGBT最常見的形式其實是模塊(Module),而不是單管。
的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發表于 12-08 14:14 ?1222次閱讀

一文了解IGBT的極限值

在文件數據表中,按照IGBT 模塊(IGBT,二極管,殼體,溫度傳感器等)的各個組成部分別給出它們的....
的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發表于 12-01 09:12 ?692次閱讀
一文了解IGBT的極限值

為什么IGBT會發生退飽和現象?

這是某產品輸出特性曲線,可以看到IGBT工作區分為三個部分。
的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發表于 11-03 08:53 ?1259次閱讀
為什么IGBT會發生退飽和現象?

溫度變化對模塊壽命有何影響?

所有功率模塊內部的熱循環變化都會導致模塊老化。原因是使用材料的熱膨脹性不同,所以它們之間熱應力是連接....
的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發表于 10-27 11:38 ?346次閱讀
溫度變化對模塊壽命有何影響?

IGBT模塊機械構造相關的電氣特性參數

? IGBT模塊參數詳解-模塊整體參數 該部分描述與IGBT模塊機械構造相關的電氣特性參數,包括絕緣....
的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發表于 09-08 08:58 ?1992次閱讀
IGBT模塊機械構造相關的電氣特性參數

igbt模塊的作用 igbt模塊內部結構圖

? IGBT模塊內部 雜散電感的定義 IGBT半橋逆變電路工作原理以及當IGBT1開通關斷時的電壓電....
的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發表于 08-18 09:08 ?2470次閱讀
igbt模塊的作用 igbt模塊內部結構圖

哪些場景只能用三極管而不能用MOSFET

開關速度:當需要高速開關時,三極管是更好的選擇。例如,在瞬態電路中,需要快速切換的信號通常需要使用三....
的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發表于 05-19 14:02 ?332次閱讀
哪些場景只能用三極管而不能用MOSFET

IGBT半導體與MOS管、三極管的區別

我們就從常見的開關說起,這邊給他接一個電源,右邊接一個負載,然后不停的開關這個開關,那么這個負載上的....
的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發表于 03-31 11:03 ?1526次閱讀

功率半導體器件IGBT結溫測試方法

功率循環試驗中最重要的是準確在線測量結溫,直接影響試驗結果和結論。比較總結了各種溫度測量方法的一致性....
的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發表于 02-06 12:27 ?1165次閱讀

IGBT失效原因分析

超出關斷安全工作區引起擎住效應而損壞擎住效應分靜態擎住效應和動態擎住效應。IGBT為PNPN4層結構....
的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發表于 01-13 10:16 ?1200次閱讀

變頻器的制動單元和逆變部分的續流二極管不是矛盾了嗎?

通過制動單元外接制動電阻,該方式配合母線電壓檢測。當電機迅速停機時,電機繞組上的能量會通過逆變側的反....
的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發表于 01-12 10:54 ?1074次閱讀

什么是IGBT的退飽和?什么情況下IGBT會進入退飽和狀態?

如下圖,是IGBT產品典型的輸出特性曲線,橫軸是C,E兩端電壓,縱軸是歸一化的集電極電流??梢钥吹絀....
的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發表于 12-16 15:29 ?5188次閱讀

mos管是不是三極管?

場效應晶體管是由p型和n型兩部分組成。當給pn結加上正向電壓時,由于p區中的空穴由n區注入到pn結電....
的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發表于 12-09 15:41 ?1490次閱讀

IGBT模塊常規測量以及故障維修方法

將萬用表撥在R×10KΩ擋,用黑表筆接IGBT的集電極(C),紅表筆接IGBT 的發射極(E),此時....
的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發表于 11-25 11:08 ?1630次閱讀

P溝道和N溝道MOSFET在開關電源中的應用

由于具有較低的導通電阻(RDS(on))和較小尺寸,N溝道MOSFET在產品選擇上超過了P溝道。在降....
的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發表于 11-18 11:28 ?2585次閱讀
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