Micron公司最近推出了第一款QLC閃存產品,為NAND閃存市場又增添一位成員。而英特爾公司也計劃在2018年下半年推出其首款QLC閃存產品。
QLC或者說四層單元是最新一代閃存產品,第一代的產品是SLC(單層單元或者說每單元存儲1 bit數據),隨后是MLC(每單元存儲2 bit數據)以及TLC(每單元3 bit數據)。
那么,QLC是什么?它對閃存存儲市場意味著什么?
顧名思義,QLC允許每個閃存單元存儲4個0或者1,這意味著每個單元有16種不同組合,即0000,001,0010,0011,0100,0101,0110,0111,1000,1001,1010,1011,1100,1101,1110和1111。
而單層單元只能存儲2個– 0 或1 –,MLC和TLC只能存儲4個或8個,顯然,QLC將存儲密度提高了2倍,這一點不容置疑。
但它有一個缺點。雖然與現有閃存產品相比,QLC可將更多數據封裝到更小的區域,但它在寫入時更容易耗損。
事實是,對于QLC,我們正在研究真正無法多次被寫入和重寫的媒介。
這是因為閃存存儲是基于讀取不同材料層之間的電壓流動,這種實際電壓流動的機制可在量子物理層面解釋。
總而言之,QLC需要在非常狹小的空間(會受到磨損影響)進行其切換和測量,使得讀取電壓不太確定。其實在任何閃存寫入,實際上都會消耗寫入和重寫數據的能力,尤其是對于QLC。
目前Micron公司還沒有提供5210 QLC的性能數據,僅提供了與其5200 TLC Eco驅動器相比的數據比率。
例如,隨機讀取次數為95000 IOPS的0.8倍至1倍,而順序寫入性能將可達520 MBps的0.6倍至0.8倍。
對于隨機寫入,性能僅為22000 IOPS的0.25倍。這大約是6500 IOPS,仍然遠遠超過旋轉磁盤硬盤的水平—每個硬盤可能為僅為200 IOPS。
不過,IOPS并不是QLC驅動器的致命弱點,它的耐用性才是主要限制因素。
在數據寫入預計壽命方面,1.92 TB Micron TLC 5200 Eco的耐用性是3.5 PB;5210 QLC只能達到0.05倍至0.1倍。
這就是說,在其生命周期內,你可向該1.92 TB驅動器寫入175 TB到350 TB數據。這大致相當于大約180次用數據填充和重新填充它。
鑒于其局限性,QLC只會有相當有限的用例。
這些用例將會與Micron公司描述的類似,即大規模(可能是網絡規模)操作,這種操作需要快速讀取,且數量遠遠超過寫入量,因此,數據很少可能被重寫。
這種用例確實有市場,而該市場目前正在暫時依靠硬盤驅動器來支持。
現在的問題是,考慮到QLC的局限性如此明顯,是否可將其從NAND閃存家族中移除?或者QLC是作為最后一代閃存?
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原文標題:后一代閃存?QLC與MLC、TLC、SLC
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