消息稱SK海力士測試東京電子低溫蝕刻設備
SK 海力士正在與東京電子（TEL）展開緊密合作，通過發送測試晶圓來評估后者的低溫蝕刻設備。這一舉措旨在為未來的NAND閃存生產導入新技術。在當前，增加堆疊層數已經成為提高3D NAND閃存顆粒容量的主要方法。
不過，隨著層數的增加，面臨的挑戰也愈發嚴峻。閃存顆粒內部需要蝕刻出垂直通道以確保數據傳輸的流暢，但在層數增高的過程中，深寬比的增大使得蝕刻的難度加大，且蝕刻速度也逐漸減慢。這種現象對生產效率產生了顯著影響。
SK 海力士和東京電子的這次合作，旨在通過測試TEL的低溫蝕刻設備，找到一種更為高效、精確的蝕刻方法，以應對未來NAND閃存生產中的挑戰，進一步提升產品的性能和生產效率。
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
閃存
+關注
關注
16文章
1691瀏覽量
114265 -
晶圓
+關注
關注
52文章
4541瀏覽量
126509 -
SK海力士
+關注
關注
0文章
790瀏覽量
38035
發布評論請先 登錄
相關推薦
英偉達、微軟、亞馬遜等排隊求購SK海力士HBM芯片，這些國產設備廠迎機遇
電子發燒友網報道（文/李彎彎）據報道，繼英偉達之后，全球多個科技巨頭都在競購SK海力士的第五代高帶寬內存HBM3E。半導體行業知情人士稱，各大科技巨頭都已經在向SK
剛剛！SK海力士出局！
來源：集成電路前沿，謝謝 編輯：感知芯視界 Link 3月25日消息，據報道，由于SK海力士部分工程出現問題，英偉達所需的12層HBM3E內存，將由三星獨家供貨，SK海力士出局！ 據了
SK海力士重組中國業務
SK海力士，作為全球知名的半導體公司，近期在中國業務方面進行了重大的戰略調整。據相關報道，SK海力士正在全面重組其在中國的業務布局，計劃關閉運營了長達17年的上海銷售公司，并將其業務重
三星和SK海力士出手！限制二手半導體設備售賣
為了避免違反美國的規定，SK海力士最近雖然出售了一些淘汰的半導體設備，但非常謹慎地選擇了買家，確保不包括那些受美國控制的核心設備，比如晶圓減薄機和
SK海力士擴大對芯片投資
SK海力士正積極應對AI開發中關鍵組件HBM（高帶寬存儲器）日益增長的需求，為此公司正加大在先進芯片封裝方面的投入。SK海力士負責封裝開發的李康旭副社長明確指出，公司正在韓國投入超過1
SK海力士斥資逾10億美元增強測試封裝能力
彭博社表示，測試和封裝在總費用中的占比達到了 10%，足見 SK 海力士對該業務的重視程度。IT之家進一步披露，此項任務交給了 Lee Kang-Wook 負責，他擁有豐富的經驗，曾在三星電子
SK海力士宣布HBM內存生產配額全部售罄
SK 海力士副總裁 Kim Ki-Tae 對此表示，作為 HBM 行業翹楚，海力士洞察到市場對 HBM 存儲的巨大需求，現已提前調整產量，以期更好地滿足市場需求，保護其市場占有率。
三星SK海力士加碼半導體設備投資與產量，以緩解行業壓力
12月18日，傳聞三星及SK海力士正籌劃于來年加大芯片制造設備的投入，如三星電子預計投注27萬億韓元，SK
瀾起科技榮獲SK海力士“最佳供應商獎”
? 近日，瀾起科技榮獲全球知名存儲器廠商SK海力士頒發的“最佳供應商獎”。此前，瀾起科技曾于2020年12月榮獲SK海力士“質量管理優異獎”。 ? 作為
SK海力士資本支出大增，HBM是重點
SK海力士明年計劃的設施投資為10萬億韓元（76.2億美元），超出了市場預期。證券界最初預測“SK海力士明年的投資額將與今年類似，約為6萬億至7萬億韓元”。鑒于經濟挑戰，觀察人士預計嚴
追趕SK海力士，三星、美光搶進HBM3E
電子發燒友網報道（文/黃晶晶）新型存儲HBM隨著AI訓練需求的攀升顯示出越來越重要的地位。從2013年SK海力士推出第一代HBM來看，HBM歷經HBM1、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3E
美國商務部公布新規：允許三星和SK海力士向其中國工廠供應設備
美國商務部產業安全局（bis） 13日公布了一項規定，內容是更新對三星和sk海力士的一般許可證，將兩家公司的中國工廠包括為“實證最終使用者（veus）”。如果包括在該名單中，今后三星和sk海力
SK海力士官宣終止與華為的合作
近期，有關韓國SK海力士為華為提供關鍵芯片的消息引起了廣泛關注。據某拆解視頻顯示，華為最新款手機Mate60 Pro的存儲芯片上顯示著“SK海力士”標識，但未能獲取到有關存儲芯片核心信
工商網監
評論