用于三相功率轉換的橋式拓撲的SiC MOSFET

效率、生產力和立法是當今電力應用的主要市場驅動力。利用更少的能源生產更多的產品，節約能源成本，更加關注更好的轉換效率和更小、更輕的系統。
在這方面，功率半導體在整個電能供應鏈中提供了新的潛力，無論是作為發電、輸電或電力轉換器中電力消耗的能源組合的一部分，可再生能源的份額不斷增長。盡管最新一代的Si-MOSFET和IGBT在許多情況下仍然是很好的解決方案，但寬頻段間隙材料SiC和GaN中的晶體管功能為實現新的目標要求提供了新的設計靈活性。因此，使用SiC MOSFET來提高功率轉換性能或實施系統創新是當今許多系統設計人員的流行方案。

在本文中，英飛凌向讀者介紹了橋式拓撲中的SiC MOSFET設計指南，例如用于電池充電和伺服驅動應用

評估板包括一個EasyPACK ? 1B（帶CoolSiC ? MOSFET（FS45MR12W1M1_B11））、一個三相交流連接器、EMI濾波器、整流器和一個用于連接電機的三相輸出?；谀K化應用設計套件（MADK），該板配備英飛凌標準M5 32針接口，可連接到XMC DriveCard 4400或1300等控制單元。其輸入電壓范圍為340至480 V AC。

MADK系列的新成員針對通用驅動器以及頻率非常高的伺服驅動器進行了優化。該器件采用EasyPACK 1B Sixpack配置，采用1200 V CoolSiC MOSFET，典型導通電阻為45 mΩ。功率級包含電流和電壓檢測電路;它配備了無傳感器磁場定向控制（FOC）的所有組件元件。EVAL-M5-E1 B1245 N-SiC具有低電感設計、集成NTC溫度傳感器和無鉛端子電鍍，符合RoHS標準。

*附件：Infineon-SiC_MOSFETs_for_Bridge_Topologies_Power_Electronics_Europe-Article-v01_00-EN.pdf

審核編輯 黃宇