臺積電將制造兩倍于當今最大芯片尺寸的大型芯片，功率數千瓦

您是否認為AMD的Instinct MI300X以及NVIDIA的B200 GPU體積龐大？據報道，近日在北美的技術研討會上，臺積電透露其正在研發的CoWoS封裝技術新版本可以將系統級封裝（SiP）的尺寸擴大至原有的兩倍以上。預計這些封裝將采用120x120毫米的超大尺寸，耗電量也將高達數千瓦。

新版CoWoS技術使得臺積電能制造出比傳統光掩模（858平方毫米）大3.3倍的硅中介層。因此，邏輯電路、8個HBM3/HBM3E內存堆棧、I/O及其他小型芯片（Chiplet）最多可占據2831平方毫米的面積。而最大的基板尺寸則為80×80毫米。AMD的Instinct MI300X和NVIDIA的B200均采用了這項技術，雖然NVIDIA的B200芯片體積大于AMD的MI300X。

預計在2026年，臺積電將推出CoWoS_L技術，該技術能將中介層的大小提升至約5.5倍的光掩模尺寸（盡管不及去年宣布的6倍）。這意味著4719平方毫米的面積可供邏輯電路、最多12個HBM內存堆棧及其他小型芯片使用。這類SiP所需的基板尺寸更大，臺積電正在考慮采用100x100毫米的基板。因此，這類芯片將無法使用OAM模塊。

此外，臺積電表示，到2027年，他們將擁有新的CoWoS技術，該技術將使中介層的尺寸達到光罩尺寸的8倍甚至更高，從而為Chiplet提供6864平方毫米的空間。臺積電設想的設計中包括四個堆疊式集成系統芯片（SoIC），搭配12個HBM4內存堆棧和額外的I/O芯片。如此龐大的設備無疑將消耗大量電力，且需配備先進的散熱技術。臺積電預計此類解決方案將采用120x120毫米的基板。

值得注意的是，今年早些時候，博通展示了一款定制AI芯片，包含兩個邏輯芯片和12個HBM內存堆棧。盡管我們尚未獲得該產品的詳細規格，但從外觀上看，它似乎比AMD的Instinct MI300X和NVIDIA的B200更為龐大，盡管仍未達到臺積電2027年計劃的水平。