珠海創飛芯：基于55納米高壓工藝制程的OTP IP實現上架

珠海創飛芯科技有限公司，作為國內領先的一站式存儲NVM IP供應商，近日宣布其基于55納米高壓（55HV 1.2V/6V/32V Process）工藝制程的OTP IP(一次性可編程存儲IP核）已在國內排名前三的晶圓代工廠實現IP上架。該OTP IP嚴格通過了非易失性存儲考核標準的三個批次可靠性測試驗證，滿足了晶圓代工廠的上架標準，最終成功實現上架。這一重要里程碑標志著創飛芯在為客戶提供安全、可靠的55HV工藝制程OTP IP解決方案上邁出了堅實的一步。

“我們很高興看到55HV工藝OTP IP在晶圓代工廠的成功上架，這不僅證明了創飛芯在非易失性存儲IP的技術實力，也為我們的合作伙伴和客戶帶來了實實在在的價值?！眲擄w芯的首席執行官George Wang表示，“這一里程碑進一步完善了我們OTP IP產品在各個重要工藝節點的布局，能夠為客戶提供更高可靠性、低成本、小面積的OTP IP解決方案?！?/p>

OTP IP在LCD顯示驅動應用

OTP(One-Time Programmable)IP ，一次可編程知識產權核，燒入后可使得數據不能被再次更改和清除。隨著嵌入式應用越來越廣泛，OTP 可起到保護硬件設計的作用，同時能夠保護產品安全，防止被非法侵入，被廣泛應用于顯示驅動、圖像傳感器、電源管理芯片、MCU、藍牙芯片等領域。

基于55HV（55HV 1.2V/6V/32V Process）工藝制程的OTP IP被廣泛應用于LCD顯示驅動領域，OTP在該領域中發揮著畫面校正、確保顯示效果穩定的重要作用。由于畫面閃爍或抖動是因為IC中的V-Common 電壓偏移所造成的，IC在通過光傳感器檢測不同V-Common電壓下面板閃爍模式的亮度表現，尋找在不同V-Common電壓下面板的最小交流波形幅度后，通過OTP記錄此時的最佳值，燒錄于IC中，從而實現消除畫面閃爍的目的。

創飛芯55HV工藝OTP IP具備高良率及支持寬壓供電等優勢

高可靠性及高良率：創飛芯核心團隊于2013年已成功獲得OTP相關專利，在反熔絲OTP IP技術上積累了深厚的基礎，反熔絲 OTP IP的底層技術是通過氧化層擊穿編程，并且由于制造工藝不需要進行任何更改，因此反熔絲 OTP IP可以獲得與標準 CMOS 工藝相同的良率和高可靠性。同時，創飛芯在設計中加入了冗余，可使OTP獲得更高可靠性及良率。

支持寬壓供電：該IP支持寬壓供電，能夠適應不同電壓等級的電源，兼容性更強，適用的工作應用場景更廣泛，并且能夠提供更高的穩定性。

豐富量產驗證：創飛芯HV平臺的OTP在2015年已經有第一家顯示驅動行業龍頭客戶量產，并持續穩定供貨至今，已量產累計超過10萬片以上晶圓，得到了廣泛的市場驗證及客戶認可，安全可靠。

關于創飛芯科技

創飛芯目前與國內外多家先進晶圓制造廠商都建立了深度戰略合作關系，工藝節點已驗證覆蓋包括180/130/110/90/55/40/28/22納米等，并且能夠根據不同工藝節點和不同技術路線的特點，幫助客戶采用能滿足其應用場景和特定需求，在功耗、尺寸、性能、成本等各方面指標達到需求的OTP IP最優方案。

創飛芯作為大陸領先的一站式NVM IP供應商，能夠提供OTP/MTP/eFlash/Nor/Nand/EEPROM等覆蓋一次、多次到100萬次可編程的全站式NVM IP，目前已累計服務客戶超過50家，超10億顆芯片使用創飛芯的NVM IP產品。創飛芯以其創新的技術和卓越的服務，期待持續為全球半導體市場提供領先的NVM IP解決方案。

審核編輯 黃宇