創飛芯宣布針對90納米CMOS圖像傳感器工藝制程上的OTP IP成功量產

珠海創飛芯科技有限公司（簡稱“創飛芯”“CFX”），國內領先的一站式存儲NVM IP供應商，近日宣布在全球排名前五的晶圓代工廠中，針對90納米CMOS圖像傳感器（CIS）工藝制程上的OTP IP(一次性可編程存儲IP核）已成功進入量產階段。該OTP IP采用了創飛芯的第二代存儲單元，相較于第一代的存儲單元面積縮小了55%，極具優勢及競爭力。該OTP IP已在90納米CIS工藝制程上通過了晶圓代工廠要求的可靠性質量驗證，目前在客戶產品中驗證通過并實現大規模量產，該技術突破標志著公司的IP產品在圖像傳感器領域取得了重要進步，能夠為圖像傳感器領域的客戶提供更高可靠性、低成本、小面積的OTP IP解決方案。

OTP IP在CIS領域發揮重要作用

OTP(One-Time Programmable) IP ，一次可編程知識產權核，燒入后可使得數據不能被再次更改和清除。隨著嵌入式應用越來越廣泛，OTP 可起到保護硬件設計的作用，同時能夠保護產品安全，防止被非法侵入，被廣泛應用于顯示驅動、圖像傳感器、電源管理芯片、MCU、藍牙芯片等領域。

而在圖像傳感器領域，在生產過程中，即便采用了最好的制造工藝也難免會因為制造差異，導致產生圖像失真等問題。而為了糾正圖像失真，需要一種存儲器來存儲有缺陷像素的位置和傳感器陣列的修調信息，此時OTP IP成為了絕佳的選擇。OTP IP只需在制造流程中編程一次數值，便可以永久存儲位置信息、校正數據及其他數值，實現CIS芯片每次上電時都能夠進行信息讀取，從而實現圖像糾正。

創飛芯推出適用于 CIS 應用的安全、可靠、小面積的OTPIP

l 無需額外工藝條件與步驟：創飛芯核心團隊于2013年已開始布局OTP專利，在反熔絲OTP IP技術上積累了深厚的基礎，并得到了廣泛的市場驗證及客戶認可，完全可靠且安全。反熔絲OTP IP制造過程中無需額外工藝條件與步驟，并且在標準 CMOS 工藝中，反熔絲OTP IP可采用與邏輯器件相同的規則進行設計，因此二次開發成本低，具有可擴展性等優勢。

l 高可靠性：反熔絲 OTP IP的底層技術是通過氧化層擊穿編程，通過應用高電壓實現，并且由于制造工藝不需要進行任何更改，因此反熔絲 OTP IP可以獲得與標準 CMOS 工藝相同的良率和高可靠性。

l IP核面積?。?/strong>創飛芯通過技術積累及不斷迭代，實現了極具競爭力的IP面積，目前采用創飛芯第二代存儲單元的OTP IP，相比第一代存儲單元面積縮小55%，能夠為客戶的CIS產品應用強勢賦能，為廠商客戶提供安全可靠、低成本、低功耗的解決方案。