據路透社報道,三星電子已決定放棄原先一直采用的非導電薄膜 (NCF) 技術,轉而采納其競爭對手SK海力士主導的批量回流模制底部填充 (MR-MUF) 芯片封裝工藝。此外,三星已啟動采購設備以適應MR-MUF技術,并預計最早明年實現HBM3E高端芯片的量產。
就此,知情人士指出,三星此舉體現出該公司提升HBM良率的決心。對此,一家行業分析機構表示,考慮到AI行業對HBM3及HBM3E芯片需求日益增長,三星有必要作出調整。
據了解,目前三星HBM3芯片制造良率約為10%-20%,而SK海力士則接近60%-70%。為滿足市場需求,三星也正積極尋求多種途徑提高HBM芯片產量。
值得一提的是,除了與材料供應商如日本長瀨集團協商供貨外,三星還計劃在新款HBM芯片中同時運用NCF和MUF兩種技術。但官方表示,其自主研發的NCF技術仍為HBM產品的“最佳選擇”,將應用于其HBM3E芯片的生產。面對三星的發展方向,英偉達和長瀨均未予以評論。
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
-
AI
+關注
關注
87文章
27061瀏覽量
264829 -
HBM
+關注
關注
0文章
281瀏覽量
14504 -
三星
+關注
關注
0文章
1259瀏覽量
30354
發布評論請先 登錄
相關推薦
SK海力士HBM4芯片前景看好
瑞銀集團最新報告指出,SK海力士的HBM4芯片預計從2026年起,每年將貢獻6至15億美元的營收。作為高帶寬內存(HBM)市場的領軍企業,SK海力士
韓國砸26萬億韓元推動芯片產業,三星和SK海力士成為最大贏家
韓國發布價值逾26萬億韓元(合約190億美元)的激勵政策,旨在扶持芯片產業,尤其對三星電子及SK海力士等龍頭企業意義重大,助其在競爭日趨激烈
SK海力士與臺積電攜手量產下一代HBM
近日,SK海力士與臺積電宣布達成合作,計劃量產下一代HBM(高帶寬內存)。在這項合作中,臺積電將主導基礎芯片的前端工藝(FEOL)和后續布線
剛剛!SK海力士出局!
在基礎晶圓上通過硅通孔(TSV)連接多層DRAM,首批HBM3E產品均采用8層堆疊,容量為24GB。SK海力士和三星分別在去年8月和10月向英偉達發送了樣品。此前有消息稱,英偉達已經向
英偉達對三星HBM3E進行測試,海力士仍穩坐HBM市場頭把交椅
現如今,SK海力士為英偉達AI半導體提供主要HBM產品,同時自去年起,美光公司也加入了該供應陣營。據悉,相比其他競爭對手,三星電子在HBM授權上大約晚了一年有余。
SK海力士斥資10億美元,加碼先進芯片封裝研發以滿足AI需求
據封裝研發負責人李康旭副社長(Lee Kang-Wook)介紹,SK海力士已在韓國投入逾10億美元擴充及改良芯片封裝技術。精心優化
SK海力士將在美國印第安納州建設先進封裝工廠
據最新消息,韓國芯片生產商SK海力士已經決定在美國印第安納州建設其150億美元的先進封裝工廠。這一決定意味著SK
SK海力士2024年第一季度將調整DRAM減產計劃
盡管在2023年面臨存儲芯片市場下滑和價格下跌,SK海力士因應人工智能芯片需求的增長,尤其是高帶寬內存(HBM)的激增,于去年12月成功超越競爭對手
三星SK海力士加碼半導體設備投資與產量,以緩解行業壓力
12月18日,傳聞三星及SK海力士正籌劃于來年加大芯片制造設備的投入,如三星電子預計投注27萬億韓元,S
瀾起科技榮獲SK海力士“最佳供應商獎”
為SK海力士提供優質的產品和服務。從DDR4世代跨越到DDR5世代,瀾起科技與SK海力士合作的產品涵蓋DDR4、DDR5內存接口芯片及DDR
SK海力士官宣終止與華為的合作
近期,有關韓國SK海力士為華為提供關鍵芯片的消息引起了廣泛關注。據某拆解視頻顯示,華為最新款手機Mate60 Pro的存儲芯片上顯示著“SK
三星24年生產第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產三層堆棧架構321層NAND閃存
三星24年生產第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產三層堆棧架構321層NAND閃存 存儲領域的競爭愈加激烈,三星電子計劃在2023年
發表于 08-21 18:30
?352次閱讀
三星、SK海力士存儲器庫存破表 牽動南亞科、華邦、群聯等后市
據dram領域的調查企業trend force稱,去年第四季度在dram領域,三星以45.1%的世界市場占有率居首位,sk海力士以27.7%位居第二。在nand閃存領域,三星以世界第1
評論