光刻膠屬于半導體八大核心材料之一,根據全球半導體行業協會(SEMI)最新數據,光刻膠在半導體晶圓制造材料價值占比5%,光刻膠輔助材料占比7%,二者合計占比12%,光刻膠及輔助材料是繼硅片、電子特氣和光掩模之后的第四大半導體材料。
光刻膠正膠負膠的區別
光刻膠在半導體制造中起著非常重要的作用,正膠和負膠是光刻膠的兩種類型,它們有一些區別:
正膠:正膠是一種基礎性的光刻膠,當正膠被曝光后,未被光照射的部分會變得容易去除,形成暴露的圖案。正膠的特點是被光照射后會發生化學交聯反應并硬化,未被光照射的部分可以在顯影過程中被去除,形成正的圖案結構。
負膠:負膠與正膠相反,當負膠被曝光后,被光照射的部分會發生化學交聯反應并硬化,形成暴露的圖案;而未被光照射的部分會保持不變,不易被去除,形成負的圖案結構。
應用范圍:正膠和負膠根據不同的需求和工藝流程選擇使用。正膠適用于需要形成凸起結構的工藝,如導向柱、電極等;負膠適用于需要形成凹洞結構的工藝,如電容、電感等。
光刻膠和光刻機有什么關系
光刻膠和光刻機是半導體工藝中常用的兩種設備和材料。
光刻膠是一種涂覆在半導體器件表面的特殊液體材料,可以通過光刻機上的模板或掩模來進行曝光。在光刻過程中,通過控制光刻機的曝光時間和光源強度,將光刻膠的圖案影射到芯片上,從而形成所需的芯片結構。
光刻機是一種特殊的加工設備,用于在芯片表面上制造微小的圖案和結構。它利用光刻膠的光學性質,先將光刻膠均勻涂覆在芯片表面上,然后通過選擇性曝光、顯影和清洗等過程來制造所需的微米級結構。
因此,光刻膠和光刻機是密不可分的關系。光刻膠是光刻機的關鍵材料之一,而光刻機則是光刻膠曝光和加工的關鍵設備。在半導體制造過程中,光刻膠和光刻機的品質和性能都非常重要,直接影響到芯片的制造質量和生產效率。
光刻膠和光刻機有什么區別
光刻膠和光刻機是半導體制造中兩個不同的概念,它們之間有以下區別:
1. 定義:光刻膠是一種通過曝光、顯影等方式制造芯片微米級結構的特殊液體材料;光刻機是一種用于制造微米級結構的特殊半導體加工設備,通過曝光、顯影等多個步驟來制造芯片上的結構。
2. 功能:光刻膠主要起到圖案轉移、mask增強和絲印保護等作用;而光刻機則是將微米級圖案準確地重復和精確地轉移到芯片表面上,完成芯片制造的重要設備。
3. 特點:光刻膠具有高粘度、耐腐蝕、高分辨率等特點,能夠實現復雜的圖案和結構制造。光刻機則采用多種技術,如光學、機械、電子等,具有高精度、高復現性和高效率等特點,能夠制造出高質量的芯片。
因此,光刻膠和光刻機雖然都是半導體制造過程中的重要組成部分,但是它們的作用不同、功能不同。光刻膠是通過光刻機進行制造的,而光刻機是制造芯片微米級結構的重要設備。
審核編輯:黃飛
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