臺積電2nm制程進展順利

據臺積電供應鏈合作伙伴表示，臺積電將如期采用GAA（全柵極環繞）技術來生產2nm制程節點，位于新竹科學園區的寶山P1晶圓廠，最早將于4月份開始安裝設備，P2工廠和高雄工廠將于2025年開始生產采用GAA技術的2nm制程芯片。

由于臺積電2nm制程進展順利，寶山、高雄新晶圓廠的建設也在順利進行中。臺中科學園區已初步規劃A14和A10生產線，將視市場需求決定是否新增2nm制程工藝。

關于臺中晶圓廠二期項目，臺積電仍在評估客戶需求，并將在2027年決定該廠將采用2nm還是A14工藝節點。臺積電2nm技術的順利開展，也為ASML、應用材料以及多家中國臺灣供應商帶來商機。

2023年第三季度，臺積電3nm工藝節點的營收占比約為6%左右，到目前為止3nm月產能已逐步增加到10萬片，預計2024年對收入的貢獻比重將更高。3nm節點中，繼N3B之后，性能更好的N3E于2023年第四季度開始量產，此外N3P、N3X工藝也將滿足各類客戶的需求。

關于臺積電2nm技術，預計將于2025年量產，客戶對其興趣濃厚，特別是在HPC高性能計算、智能手機這兩項應用領域。目前英特爾已經取得ASML首臺High-NA EUV光刻機，每臺價值約4億歐元。盡管臺積電尚未公布這類設備的采購計劃，但最新光刻機是實現2nm制程工藝所必需的。

審核編輯：黃飛