車規產品井噴！盤點2023年推出的國產車規SiC MOSFET產品

電子發燒友網報道（文/梁浩斌）在過去的2023年里，國內碳化硅產業經歷了可能是發展速度最快的一年。首先是碳化硅襯底取得突破，8英寸進展神速，同時三安和天岳先進、天科合達等獲得海外芯片巨頭的認可，簽下碳化硅襯底長期供貨協議。ST還與三安合資建設碳化硅器件工廠，并由三安配套供應碳化硅襯底。

另一方面產能擴張速度也較快，今年以來國內碳化硅襯底產能逐步落地，多家廠商的擴產項目都在2023年實現量產或是在產能爬坡過程中。與之相匹配的是，不少碳化硅功率器件初創企業也在這一年里從fabless轉型為IDM，也有一些IDM初創公司建成了自己的碳化硅晶圓廠，加上碳化硅晶圓代工的產能提升，國內碳化硅產業上下游的產能在過去一年里提升明顯。

當然在SiC功率器件方面，國產廠商在2023年也迎來了車規產品大爆發，眾多廠商宣布入局或是推出車規級SiC MOSFET產品，尋求打進汽車供應鏈。確實去年來看，SiC在新能源汽車領域上大放異彩，800V車型開始下沉到20萬元市場，SiC模塊的滲透率迎來大幅增長。

這也使得市場上對車規SiC MOSFET需求量高速膨脹，同時以往海外巨頭壟斷的車規SiC MOSFET市場，也開始有越來越多的Tier 1和整車廠接受國產車規SiC MOSFET產品，給國產SiC器件廠商帶來了新的機遇。

2023年國產廠商推出的車規SiC MOSFET產品

去年國內廠商有從模擬芯片入局到SiC功率器件領域，有初創公司推出首款車規SiC MOSFET產品，也有一些廠商的SiC MOSFET產品成功導入到主驅逆變器應用并量產。下面就來盤點一下2023年國內廠商推出的車規SiC MOSFET產品（排名不分先后）。

飛锃半導體

飛锃半導體在11月就展出了車規級SiC MOSFET產品，其中包括1200V 35/70/160mΩ和650V 30/45/60mΩ規格，除了已經實現量產之外，所有車規級產品還通過了第三方車規AEC-Q101可靠性驗證，并且通過了960V高壓H3TRB加嚴測試。

據稱目前飛锃半導體的車規級SiC MOSFET是第二代SiC MOSFET產品，通過工藝優化，降低了單位晶圓面積內的導通電阻，開關性能也進一步得到了優化。另外，還采用了開爾文Source封裝，避免了驅動回路和功率回路共用源極線路，器件的開關速度、抗干擾能力均得到了明顯提升，為提高開關頻率、提升系統效率功率密度提供了更多的可能性。

飛锃半導體成立于2018年，是國內首家在硅晶圓代工廠成功生產6英寸碳化硅器件的功率器件廠商，目前公司主要產品線包括碳化硅二極管和碳化硅MOSFET，已批量供應給光伏行業、車載電源等頭部企業。除此之外，全碳化硅半橋模塊產品也在研發中。

芯塔電子

12月芯塔電子宣布自主研發的1200V/80mΩTO-263-7封裝 SiC MOSFET器件成功獲得第三方權威檢測機構（廣電計量）全套AEC-Q101車規級可靠性認證。目前，芯塔電子1200V/80mΩ SiC MOSFET在頭部OBC企業通過測試，已進入批量導入階段。

據了解，芯塔電子SiC MOSFET器件近期已導入多家充電樁、光伏儲能等領域客戶，并實現批量出貨。已經批量生產的芯塔電子第二代SiC MOSFET在器件優值因子和柵極抗串擾性能業界領先，而即將發布的第三代SiC MOSFET會在元胞層面實現重大技術創新及整體性能提升。

芯塔電子成立于2018年，創始人倪煒江博士曾領導建設了國內首條4英寸和6英寸的碳化硅器件產線，在碳化硅功率器件領域有豐富經驗。目前公司主要產品線包括SiC SBD、SiC MOSFET，以及全SiC/混合SiC功率模塊等，同時還可以提供SiC SBD裸芯片，包括4/6英寸的裸晶圓產品。

另外芯塔電子還有功率模塊封裝產線的布局。去年6月，倪煒江表示芯塔電子車規級碳化硅模塊產業已經在浙江湖州完成落地，新建的模塊封裝線將緊密結合新能源汽車對新型SiC MOSFET模塊的需求，已與戰略合作的整車廠以及T1廠商達成了產品合作的意向，產品量產后立刻進行完整的上車測試與整車驗證。

納芯微

7月，納芯微官宣了SiC MOSFET產品，全系1200V耐壓，包括Rdson（Vgs=18V）14/22/40/60mΩ四種規格，將經過全面的車規級認證，以確保完全符合汽車級應用的需求。納芯微在投資者關系活動記錄表中表示，公司布局功率器件是希望圍繞著目標市場和應用，補全在客戶端的產品布局，為客戶提供完整的芯片級解決方案，其中SiC MOSFET產品正在逐步進行客戶送樣和驗證工作。

納芯微早期產品以信號感知芯片為主，后來逐步形成信號感知、隔離與接口、驅動與采樣三大產品線，其中隔離芯片發展迅速，目前已經成為國內隔離芯片龍頭。納芯微2022年開始布局SiC器件，包括SiC 二極管以及SiC MOSFET等產品，其中SiC MOSFET聚焦OBC應用，同時也在開發適用于主驅逆變器的產品。

澎芯半導體

5月，澎芯半導體官網發布了1200V車規級平臺SiC MOSFET新品，規格為1200V 40mΩ，公司表示該產品經過6個月全面的設計開發和可靠性考核，封裝形式包括TO-247-3、TO-247-4、TO-263-7、TOLL。而此前澎芯半導體在該1200V 車規級平臺上已經量產了80mΩ、60mΩ、32mΩ的SiC MOSFET產品。

12月，澎芯半導體再次在1200V 車規級平臺上推出1200V/15mΩ的SiC MOSFET新品。據稱，該產品由澎芯半導體聯手國內標桿SiC晶圓廠制造完成，產品各項參數性能指標表現非常優異，試產良率達到75%。同時已聯合模塊客戶（模塊封裝廠）和終端使用客戶共同定義開發出1200V/150A和1200V/400A的模塊產品，后續可提供晶圓和客制化模塊兩大類產品。

澎芯半導體有限公司成立于2020年，公司專注于SiC功率半導體器件的開發、銷售和技術服務，已與國內外多家專業從事SiC功率器件產業鏈上下游業務的企業完成深度合作，并且建立了行業領先的SiC器件仿真設計、性能參數測試、可靠性測試和晶圓測試分析平臺。

中科漢韻

9月，中科漢韻宣布車規級SiC MOSFET晶圓成功實現交付，該產品包括1200V/17mΩ、750V/13mΩ兩種型號產品，并且將應用于電動汽車主驅系統中。

據稱，經過了工程批工藝開發、工藝平臺逐步穩定、小批量交付客戶、器件參數穩定以及客戶模塊參數驗證和模塊產品可靠性驗證等一系列的驗證后，中科漢韻于今年開始批量交付車規級SiC MOSFET晶圓產品，良率達到70%以上。

中科漢韻成立于2019年，由中國科學院微電子研究所和徐州中科芯韻半導體產業投資基金共同投資，致力成為提供全面的車規級碳化硅芯片與功率器件組合產品的IDM廠商。

瀾芯半導體

11月，瀾芯半導體發布了業界最低導通電阻的SiC MOSFET單管產品，規格為1200V/6mΩ，采用瀾芯半導體最新的第二代SiC MOSFET技術平臺，TO247-PLUS封裝，可以廣泛應用于光伏，儲能，高壓充電，以及單管集成主驅逆變器等領域。

早前在8月，瀾芯半導體表示其首款SiC MOSFET產品1200V 80mΩ SiC MOSFET成功通過了1000小時175℃ 100%Vds HTRB和1000小時175℃ HTGB可靠性考核。據稱瀾芯SiC MOSFET產品全部采用車規級產品設計，該測試是參考車規AEC-Q101的可靠性考核條件進行考核，參考依據為AEC-Q101-Rev-E-B1-2021/AEC-Q101-Rev-E-B2-2021。

上海瀾芯半導體有限公司成立于2022年6月，是一家功率芯片設計公司，具體產品包括碳化硅功率器件，硅基IGBT，MOSFET相關的單管和功率模塊產品，研發團隊具備豐富的功率芯片開發經驗和深厚的車規級功率半導體行業背景。

昕感科技

5月，昕感科技自主研發的1200V/80mΩ SiC MOSFET器件通過國內第三方可靠性認證，成功獲得全套AEC-Q101車規級可靠性認證?；陉扛锌萍架囈幖壒に嚻脚_，12月公司再面向新能源領域推出一款1200V/7mΩ規格的SiC MOSFET產品，該產品采用先進結構和制造工藝，兼容18V柵壓驅動，采用TO-247-4L Plus封裝，同時也可封裝進定制化功率模塊，以支持在汽車主驅等新能源領域中的廣泛應用。

昕感科技成立于2022年，聚焦于第三代半導體碳化硅功率器件和模塊設計開發和制造，總部位于北京，并分別在無錫和深圳設有器件生產線和研發中心。公司創始人有新能源汽車產業成功創業經驗，前期創業公司是30余家主流車企一級供應商。

瞻芯電子

8月，瞻芯電子宣布依托自建的SiC晶圓產線，開發了第二代SiC MOSFET產品，其中IV2Q12040T4Z (1200V 40mΩ SiC MOSFET)于近日獲得了AEC-Q101車規級可靠性認證證書，而且通過了新能源行業頭部企業的導入測試，正式開啟量產交付。

據了解，瞻芯電子第二代SiC MOSFET與第一代產品同為平面柵MOSFET，但進一步優化了柵氧化層工藝和溝道設計，使器件比導通電阻降低約25%，并顯著降低開關損耗，提升系統效率。同時，第二代SiC MOSFET產品依然保持高可靠性與強魯棒性，在AEC-Q101車規可靠性認證、短路測試、浪涌測試等評估中表現優良。

在10月，瞻芯電子還通過了第三方認證機構TUV的嚴格評審，正式獲得IATF16949汽車質量管理體系認證。11月，瞻芯電子開發的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET產品(IV2Q171R0D7Z)通過了車規級可靠性認證(AEC-Q101), 導通電阻標稱1Ω，主要用于各類輔助電源，在新能源汽車、光儲充等領域有廣泛需要，現已通過多家知名客戶評估測試，逐步批量交付應用。

瞻芯電子成立于2017年，致力于開發碳化硅功率器件、驅動和控制芯片、碳化硅功率模塊產品，并圍繞碳化硅應用，為客戶提供一站式解決方案。據稱，瞻芯電子是中國第一家自主開發并掌握6英寸SiC MOSFET產品以及工藝平臺的公司，其車規級SiC晶圓廠在2022年9月完成首批晶圓流片，成功打通6英寸SiC MOSFET工藝平臺。

國星光電

10月，國星光電開發的1200V/80mΩ SiC MOSFET成功獲得了AEC-Q101車規級認證并通過高壓960V H3TRB （HV-H3TRB）可靠性考核，使公司成為國內少數SiC功率分立器件產品通過雙重考核的廠商之一。

據介紹，該車規器件采用了自主研發的國星NSiC-KS封裝技術，因避免了驅動回路和功率回路共用源極線路，實現了這兩個回路的解耦，器件的開關損耗、開通損耗均明顯降低，開關頻率更快，寄生電感與誤開啟風險更低。

國星光電成立于1969年，專業從事研發、生產、銷售LED及LED應用產品，是國內第一家以LED為主業首發上市的企業，也是最早生產LED的企業之一，是國內LED封裝龍頭。公司第三代半導體項目組成立于2019年，致力于高可靠性功率器件的封裝設計與生產制造，產品系列覆蓋碳化硅分立器件（SBD、MOS）、碳化硅功率模塊、氮化鎵分立器件等。

南瑞半導體

12月，南瑞半導體宣布其自主研發的1200V/40mΩ SiC MOSFET器件（NCM40S12T4K2）順利通過AEC-Q101車規級可靠性認證。該器件采用低比導微元胞芯片結構設計技術：比導通電阻Ron,sp低至3.1mΩ·cm2，良率90%，達到國際一流水平。在產品結構上，第二代SiC MOSFET與第一代產品同為平面柵MOSFET，但進一步優化了工藝，使器件比導通電阻降低約25%，并顯著降低開關損耗，提升系統效率?？赡褪芄ぷ鹘Y溫高達175℃，在對比同類產品測試中，其比導通電阻較低，開關損耗更小，開關速度較高，寄生電容較低。

南瑞半導體是國電南瑞與國家電網有限公司下屬科研單位全球能源互聯網研究院有限公司在2019年共同投資設立的功率半導體企業，目前公司產品主要面向大功率應用，IGBT/FRD產品電壓等級涵蓋650V-6500V及SiC MOSFET產品電壓等級涵蓋1200V-3300V，產品已廣泛應用于高壓柔性輸電、電能質量治理、特種電源、工業傳動、風力發電、光伏發電、新型儲能、制氫電源、充電設施和新能源汽車等領域。

國聯萬眾半導體

12月，中瓷電子在投資者互動平臺表示，公司子公司國聯萬眾半導體電驅用1200V SiC MOSFET芯片已研發成功交客戶上車驗證中，并有小批量銷售。據介紹，國聯萬眾現有的SiC功率模塊包括650V、1200V和1700V等系列產品，未來擬攻關高壓SiC功率模塊領域。目前，國聯萬眾車規級SiC MOSFET模塊已向國內一線車企穩定供貨數百萬只。

與此同時，國聯萬眾OBC用SiC MOSFET芯片月產能已達5kk只以上，能夠保障車企需求。此前公司還透露，其主驅用大功率MOSFET產品主要面向比亞迪，其他客戶也在密接接觸、合作協商、送樣驗證等階段中。

國聯萬眾半導體成立于2015年3月，是由中國電子科技集團公司第十三研究所控股（中瓷電子實控人），中國電子科技集團公司、北京市投資公司、順義區投資公司、骨干團隊合伙制平臺等股東參股的混合所有制企業。公司主營業務為第三代半導體器件，涵蓋設計、封裝、模塊、檢測、應用等產品，包括GaN射頻功放、SiC功率器件等。

中汽創智

11月，中汽創智首批自主研發的1200V 20mΩ SiC MOSFET在積塔工廠正式下線。本款芯片采用平面柵型結構，具有獨立自主的知識產權、自主設計的新型終端結構具有更高的工藝可靠性，在同等耐壓水平下，體積更小，可應用于新能源汽車主驅逆變器等車載電源系統。

公司表示，未來將推出自研1200V 40mΩ及80mΩ SiC MOSFET等產品。

中汽創智是由中國一汽、東風公司、兵器裝備集團、長安汽車及南京江寧經開科技共同出資設立。圍繞“車端+云端+通信端”生態體系，實現新能源智能網聯汽車產業的智能底盤、新能動力、智能網聯技術突破，開創央企發展新模式。中汽創智通過以SiC模塊為切入點，快速形成SiC功率模塊封裝、測試能力和基于SiC技術的車載集成電源系統開發能力，逐步建立起從上游芯片設計、模塊封裝，到下游應用支持的“一站式” 能力。

蓉矽半導體

4月，蓉矽半導體宣布200V 12mΩ NovuSiC? MOSFET開始量產，首批次量產平均良率高達80%，滿足車規主驅芯片的高可靠性要求。

成都蓉矽半導體有限公司成立于2019年，是四川省首家專注碳化硅功率器件設計與開發的高新技術企業，擁有臺灣漢磊科技第一優先級產能保障，致力于自主開發世界一流水平的車規級碳化硅器件。

蓉矽半導體擁有高性價比“NovuSiC?”和高可靠性“DuraSiC?”產品系列，涵蓋碳化硅二極管EJBS?與碳化硅MOSFET；硅基FR MOS與理想硅基二極管MCR?，應用于光伏逆變器、儲能、充電樁、OBC及新能源汽車等領域。

杰平方半導體

7月，杰平方半導體發布了自主研發的SiC MOSFET產品JPM120020B，該產品規格為1200V/20mΩ，穩定工作溫度達到175℃，采用先進的減薄工藝，具有優異的低阻抗特性，減小器件能量損耗，同時具備嚴苛的可靠性認證，包括大批量的HTRB、HTGB測試和HV-H3TRB測試，可應用于光伏逆變，新能源汽車，充電樁，儲能等應用。

隨后杰平方在9月宣布獲得獨立第三方檢測、檢驗和認證機構德國萊茵TüV集團授予的ISO 26262 功能安全管理體系ASIL D認證證書，為設計符合功能安全要求的車規級芯片奠定了堅實的基礎。

10月，杰平方宣布正式啟動其位于香港的8英寸SiC IDM晶圓廠項目，計劃投資港幣69億元，到2028年達到年產量24萬片。同時這也是香港歷史上第一家具規模的半導體晶圓廠。

杰平方半導體成立于2019年，是一家聚焦車載芯片研發的芯片設計企業，致力于滿足中國汽車產業對國產自主車載芯片的旺盛需求，主要面向電能轉換、通信等領域，提供高性能碳化硅（SiC）芯片、車載以太網芯片等前沿產品。

基本半導體

4月，基本半導體位于深圳光明區的車規級碳化硅芯片產線項目進行了通線儀式，該產線主要產品為6英寸碳化硅MOSFET晶圓等，產線達產后每年可保障約50萬輛新能源汽車的相關芯片需求。

5月，基本半導體發布了第二代SiC MOSFET系列新品，有1200V 65mΩ/40mΩ/35mΩ/20mΩ四種比導通電阻規格，同時提供TO-247-3、TO-247-4、TO-247-4-PLUS、TO-263-7及SOT-227等封裝規格。據介紹，第二代SiC MOSFET通過綜合優化芯片設計方案，比導通電阻降低約40%、器件Qg降低了約60%，開關損耗降低了約30%，工作結溫也達到175°C。

基本半導體成立于2016年，專業從事碳化硅功率器件的研發與產業化，研發覆蓋碳化硅功率半導體的材料制備、芯片設計與制造、封裝測試、驅動應用等產業鏈關鍵環節。核心產品包括碳化硅二極管和MOSFET芯片、汽車級碳化硅功率模塊、碳化硅驅動芯片等，性能達到國際先進水平。