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【科普小貼士】MOSFET性能改進：低RDS(ON)的解決方案

針對MOSFET的最大問題，我們正采取以下對策：“如何有效利用元件面積以有效降低導通電阻”

（1）高電壓：下一頁將介紹通過先進的超結工藝降低Rdrift電阻。

（2）低電壓：通過對溝槽結構的精細圖形化可最大限度降低Rch電阻，采用薄晶片降低Rsub電阻。

圖3-8影響MOSFET導通電阻的因素

文章來源：東芝半導體

審核編輯：湯梓紅

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