基于各種MOSFET結構的特性和主要應用如表3-2所示。
耐受電壓:選擇目標耐受電壓的最佳結構。
低導通電阻:U-MOS適用于250V及以下產品,SJ-MOS(或DTMOS)適用于大于250V的產品。
高電流:與低導通電阻的趨勢相同。
高速:U-MOS由于柵極容量(Ciss)大,不利于高速開關。
根據產品的不同,利用低導通電阻特性,具有較小“Ron×Ciss”設計的高速開關也實現了商業化。
審核編輯:湯梓紅
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