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碳化硅在電源中的作用和優勢

國晶微第三代半導體碳化硅SiC ? 來源:國晶微第三代半導體碳化 ? 2023-11-10 09:36 ? 次閱讀

硅是半導體的傳統材料,但其近親碳化硅(SiC)最近已成為激烈的競爭對手。碳化硅的特性特別適合高溫、高壓應用。它提供了更高的效率,并擴展了功率密度和工作溫度等領域的功能。

這種獨特的材料有助于使電源更小、更高效。讓我們來探討一下這是如何發生的,以及碳化硅在電源領域能提供什么。

什么是電源應用中的碳化硅?

與硅相比,碳化硅有六大優勢,例如:

高能效

低功耗和開關損耗

高導熱性

高工作頻率和高溫度

出色的熱管理和抗熱震性

使用壽命長

這些優點使碳化硅成為各行各業電源應用的理想材料。使用碳化硅的兩種常見電源元件是二極管和金屬氧化物半導體場效應晶體管MOSFET)。

碳化硅在電源中的作用

碳化硅在電源中如此有用的主要原因之一是它作為一種寬帶隙材料。具有寬禁帶的材料在將電子從價帶移動到導帶之前需要更多的能量。當這種情況發生時,材料就會變成導體。硅的帶隙僅為1.12電子伏特(eV),而SiC的帶隙為3.2 eV。更寬的帶隙意味著SiC可以在更薄的設計中承受與硅半導體相同的電壓。

碳化硅的薄材料為電源提供了幾個優點。它減少了導通和開關的損耗,從而提高了開關速度并減少了熱量,從而實現了更小、更高效、更持久的電源。

幾乎每個行業都受益于這些緊湊、高效的電源,因為對自動化設備和數據收集等技術的需求不斷增長。工業應用、數據中心和其他高熱、高電壓用戶對碳化硅特別感興趣,碳化硅可以顯著降低運行和冷卻設施的成本(這些設施通常24/7全天候運行),同時充分利用寶貴的空間。

隨著時間的流逝,碳化硅還可以提高性能,因為它可以很好地承受熱應力。更高的效率有助于最大限度地減少熱量,使SiC具有更長的使用壽命并使其更可靠。這些特性在要求苛刻或任務關鍵型應用中特別有用,例如加固型電源或軍事設備。

碳化硅在電源中的5大優勢!

使用碳化硅功率器件的好處是廣泛的,影響著從工作溫度到設計靈活性的方方面面。碳化硅的優點包括:

提高效率:SiC可實現高于97%的功率轉換效率,幫助用戶和設計人員實現各種目標。降低成本的最佳方法之一是首先避免使用電力,而SiC可以提供極大的幫助。它允許用戶在一個經濟實惠的系統中滿足內部對降低成本的需求,以及外部質量標準和政府法規。許多碳化硅電源可以滿足80 Plus鈦金標準,同時降低成本。

節省成本:降低能耗是碳化硅電源為用戶節省資金的主要方式之一,但它們也可以通過更小的占地面積和更高的可靠性來節省成本,從而限制停機時間并實現價值最大化。強大的導熱性和效率也減少了對冷卻組件的需求。

提高功率密度:由于其高效率和低熱量,SiC可以大大提高功率密度,特別是在高壓應用中。這些緊密封裝的設計非常適合在不犧牲性能和功耗的情況下構建更小、更輕的電源。

提高可靠性:碳化硅可以處理高工作溫度和高電壓。它可承受高達200攝氏度的環境,通常與場內效應晶體管一起使用,應用電壓高達10千伏。其高效的性能也使其使用壽命長。許多要求苛刻的應用都受益于基于SiC的電源的可靠性。

改進的多功能性:憑借其高功率密度和在高溫、高壓環境中的高效運行,SiC被用于各行各業和設備,以提供功能強大、經濟高效的解決方案,以平衡靈活性和功率密度需求。碳化硅在工業安裝中具有非凡的價值,但許多行業,如航空航天和醫療保健,也受益于碳化硅應用的靈活性和堅固性。

SiC與Si在電源應用中的比較

硅已經存在了幾十年,許多設計師都依賴它作為一種久經考驗的材料。雖然它在低功耗應用中運行良好,但在使用高功率設備時,它的局限性變得很明顯。在硅開始分解的地方,碳化硅繼續前進。由于其寬禁帶,它可以在更高的溫度、頻率和電壓下工作。

雖然硅的工作溫度高達150攝氏度,但SiC可以額外高出50攝氏度。它可以支持比硅高10倍的開關頻率和電壓。

在許多情況下,硅會降低在高擊穿電壓下可能發生的導通電阻。但是,這會增加開關損耗和發熱問題。這些問題阻礙了硅在高頻應用中的有效性。碳化硅可以在高電壓和高速下提供這些低導通電阻。

碳化硅大放異彩的一些領域包括:

電動汽車充電:電動汽車充電站具有獨特的電力需求,包括高效率、堅固性、雙向能量流和高功率密度。SiC的快速開關可以減少所需的組件數量,并在更小的空間內提供更多的功率,非常適合從一個站點為多輛車充電。

功率因數校正:提高電源的功率因數可以平滑短而高幅度的脈沖,從而更有效地利用輸入功率。SiC的高頻功能有助于減小功率因數校正的元件尺寸和數量,從而降低成本、功率密度和熱管理。

數據中心電源:服務器使用大量電力并持續運行。碳化硅的高效率可以轉化為顯著的成本節約和能源使用,隨著數據需求的攀升,這一點變得越來越重要。

工業應用:工業設備通常依賴于SiC可以提供的高電壓和高速度來實現卓越的精度和功率,從而實現可靠的操作。

可再生能源:隨著可再生能源領域的發展,碳化硅提供了一種有吸引力的方式來幫助滿足高電壓、高功率需求,而無需轉向化石燃料或核能。通過以低成本和更低的復雜性適應這些應用,碳化硅有助于使可再生能源成為更可行的解決方案,并允許許多用戶限制其功耗。

無錫國晶微半導體技術有限公司是寬禁帶第三代半導體碳化硅SiC功率器件、氮化鎵GaN光電器件以及常規集成電路研發及產業化的高科技創新型企業,從事碳化硅場效應管,碳化硅肖特基二極管、GaN光電光耦繼電器、單片機集成電路等產品芯片設計、生產與銷售并提供相關產品整體方案設計配套服務,總部位于江蘇省無錫市高新技術開發區內,并在杭州、深圳和香港設有研發中心和銷售服務支持中心及辦事處。

公司具有國內領先的研發實力,專注于為客戶提供高效能、低功耗、低阻值、品質穩定的碳化硅高低功率器件及光電集成電路產品,同時提供一站式的應用解決方案和現場技術支持服務,使客戶的系統性能優異、靈活可靠,并具有成本競爭力。

公司的碳化硅功率器件涵蓋650V/2A-100A,1200V/2A-90A,1700V/5A-80A等系列,產品已經投入批量生產,產品完全可以對標國際品牌同行的先進品質及水平。先后推出全電流電壓等級碳化硅肖特基二極管、通過工業級、車規級可靠性測試的碳化硅MOSFET系列產品,性能達到國際先進水平,應用于太陽能逆變電源、新能源電動汽車及充電樁、智能電網、高頻電焊、軌道交通、工業控制特種電源、國防軍工等領域。由于其具有高速開關和低導通電阻的特性,即使在高溫條件下也能體現優異的電氣特性,大幅降低開關損耗,使元器件更小型化及輕量化,效能更高效,提高系統整體可靠性,可使電動汽車在續航里程提升10%,整車重量降低5%左右,并實現設計用充電樁的高溫環境下安全、穩定運行。

特別在高低壓光耦半導體技術方面更是擁有業內領先的研發團隊。在國內創先設計開發了28nm光敏光柵開關PVG芯片技術,并成功量產應用于60V、400V、600V高低壓、低內阻、低電容的光電耦合繼電器芯片、涵蓋1500kVrms SOP超小封裝及3750kVrms隔離增強型常規SMD、DIP等不同封裝,單路、雙路、混合雙路、常開常閉等電路產品,另包括200V SOI MOS/LIGBT集成芯片、100V CMOS/LDMOS集成芯片、8bit及32bit單片機等集成電路產品,均獲得市場及各重點科研單位、檢測機構的新產品認定。

公司核心研發團隊中大部分工程師擁有碩士及以上學位,并有多名博士主持項目的開發。公司建立了科技創新和知識產權管理的規范體系,在電路設計、半導體器件及工藝設計、可靠性設計、器件模型提取等方面積累了眾多核心技術,擁有多項國際、國內自主發明專利。

“國之重器,從晶出發,自強自主,成就百年”是國晶微半導體的企業目標,我們為員工提供精彩的發展空間,為客戶提供精良的產品服務,我們真誠期待與您攜手共贏未來。

審核編輯:湯梓紅

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原文標題:什么是電源應用中的碳化硅?

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