美光科技DRAM和通用閃存3.1嵌入式解決方案通過(guò)高通平臺認證

美光的低功耗內存解決方案為驍龍XR2 Gen 2平臺上的元宇宙應用提供高速和高能效。

美光科技宣布，其低功耗雙倍數據速率5X(LPDDR5X)DRAM和通用閃存(UFS)3.1嵌入式解決方案在高通技術(shù)公司最新的擴展現實(shí)(XR)平臺Snapdragon XR2 Gen 2平臺上通過(guò)認證。這些低功耗內存解決方案以混合現實(shí) (MR) 和虛擬現實(shí) (VR) 設備所需的小尺寸提供高速和低功耗。

美光表示，新的內存解決方案可實(shí)現跨多個(gè)應用程序和傳感器的并發(fā)處理，在元宇宙中集成不斷變化的存在、位置和感官感知，以獲得逼真的沉浸式體驗。

LPDDR5X DRAM可以實(shí)現高達8.533 Gbits/s的速度，并向后兼容6.4 Gbits/s的LPDDR5速度。UFS 3.1 客戶(hù)端存儲是首款由美光 176 層 NAND 提供支持的 UFS，具有高存儲密度，占用空間受限的設備占用空間很小。

與Meta合作開(kāi)發(fā)的Snapdragon XR2 Gen 2處理器在Meta Quest 3上進(jìn)行了商業(yè)首次亮相。驍龍XR2 Gen 2平臺專(zhuān)為更高水平的MR和VR體驗而設計，采用單芯片架構，無(wú)需外部電池即可實(shí)現更薄的耳機。

該平臺包括升級的ISP和全彩色，超快的12毫秒視頻透視延遲，可在現實(shí)世界和虛擬世界之間平滑過(guò)渡。其他功能包括高通的Adreno GPU，GPU性能提高了2.5×，支持高達3k×3k顯示器，8×高性能AI，支持10個(gè)并發(fā)攝像頭和專(zhuān)用XR加速塊。

美光LPDDR5X被譽(yù)為該公司最先進(jìn)的低功耗內存，由于其1-alpha工藝節點(diǎn)技術(shù)和JEDEC功率進(jìn)步，包括速度擴展，通過(guò)TX / RX均衡改進(jìn)信號完整性以及由于新的自適應刷新管理功能而提高的可靠性，因此可提供更高的電源效率。

與前幾代產(chǎn)品相比，該LPDDR5X的電源效率提高了 24%，非常適合不受束縛的 MR 和 VR 頭戴式設備，從而延長(cháng)了兩次充電之間的電池壽命。美光表示：“在 8.533 Gbits/s 的峰值數據速率下，美光的LPDDR5X使元宇宙應用程序的數據訪(fǎng)問(wèn)速度提高了 33%，從而縮短了響應時(shí)間。

符合驍龍平臺標準的 128 GB UFS 3.1 和 8 GB LPDDR5X設備現已上市。

審核編輯：彭菁