半導體設備行業科普（基礎篇）

1. 行業趨勢：半導體周期拐點，國產化替代破繭成蝶

1.1 半導體行業：大周期約十年，需求核心驅動源于技術發展

2022年全球半導體行業市場規模達到5801億美元，達到歷史新高，過去十年復合增長率7.4%。通過分析過去20年的全球半導體銷售額同比增速，發現半導體行業大周期約10年，即每10年一個“M”形波動，主要原因是一方面受全球GDP增速變化影響，另一方面主要是技術驅動帶來的行業發展。2023年上半年全球半導體處于下行周期，但AIGC帶來的新一輪技術創新引發需求大幅提升，行業有望在2024年迎來上行周期。

大周期看技術，小周期看需求。小周期主要是受下游需求周期波動影響，從全球半導體銷售額同比來看，行業小周期約3年。上一輪周期高點在2021年8月。2023年1月全球半導體銷售額413億美元，同比減少19%。從產業周期判斷，2023年下半年預計迎來下行周期拐點。2024年，一方面傳統芯片將進入庫存拐點，另一方面AIGC對算力需求的大幅提升，將帶動新興芯片需求的爆發，將加快上行周期的到來。

圖：全球半導體小周期約3年

資料來源：美國半導體產業協會，浙商證券研究所

2012-2022年全球及中國半導體設備市場規模年復合增長率分別達11%、27%，中國市場增速快于全球。中國大陸是全球最大的半導體設備市場。2022年全球半導體設備市場為1076億美元，中國大陸半導體設備銷售額占全球銷售額26%，達到283億美元，超出中國臺灣（25%）、韓國（20%）、北美（10%），連續三年成為全球最大半導體設備市場。

圖：中國在全球設備市場占比從2006年的6%提升至2022年的26%

圖：2022年中國大陸連續三年成為全球半導體設備最大市場

資料來源：SEMI，日本半導體制造裝置協會，浙商證券研究所

1.2半導體設備：芯片制程不斷縮小，帶動設備資本開支提升

芯片制程縮小，帶動設備資本開支提升，驅動半導體設備市場規模提升。歷史上芯片發展一直遵循摩爾定律。摩爾定律的核心內容是集成電路上可以容納的晶體管數目在大約每18個月到24個月會增加一倍。摩爾定律核心是經濟定律。隨著芯片制程不斷縮小，摩爾定律逐步失效。2018年，芯片實際性能與摩爾定律的要求間的差距擴大了15倍。隨著摩爾定律的失效，芯片制程縮小帶來建設成本急速上升，帶動設備資本開支提升。每萬片5nm芯片的晶圓廠建設成本高達54億美元，是28nm的6倍。

圖：每萬片晶圓廠建設成本（億美元）

圖：頭部邏輯芯片廠商制程發展路線圖

資料來源：IBS，麥肯錫，IC inghts，浙商證券研究所

全球半導體資本開支：IC insights預計2022年全球半導體資本開支1817億美元，同比增長19%。內存市場疲軟及美國對華制裁下，2023年全球半導體設備資本開支預計1466億美元，同比下降19%。

周期性分析：從2000年至今全球半導體資本開支同比增速來看，全球半導體資本開支約3年一個周期。2023年處于行業周期底部，預計2024年資本開支迎來反轉。

圖：全球半導體行業資本開支

圖：全球半導體資本開支周期波動，約3年一個周期

資料來源：IC insights，麥肯錫，浙商證券研究所

2. 過程控制：量測、檢測是半導體制造良率的重要保障

過程控制：半導體晶圓制造過程中不同工藝之后，往往需要進行尺寸測量、缺陷檢測等，用于工藝控制、良率管理，要求快速、準確。尺寸測量、缺陷檢測等應用于每道制程工藝之后。IC量測設備用于工藝控制、良率管理，檢測要求快速、準確、非破壞。IC量測在發展過程中，在尺寸微縮、復雜3D、新型材料方面面臨各類技術難點，面對諸如存儲、CIS、化合物半導體等不同半導體檢測等多種需求不斷升級。IC量測設備的技術類別包括探針顯微鏡、掃描/透射電鏡、光學顯微鏡、橢偏/散射儀等，技術發展方向包括延續現有的非破壞測量技術，電鏡方面推進并行電子束技術，散射儀向EUV、X射線延伸以縮小波長，并聯合多種測量手段和機器學習實現混合測量等。

過程控制設備包括應用于工藝過程中的測量類設備（Metrology）和缺陷（含顆粒）檢查類設備（Inspection）。芯片生產過程中，在線工藝檢測設備要對經過不同工藝后的晶圓進行無損的定量測量和檢查，從而保證工藝的關鍵物理參數（如薄膜厚度、線寬、溝/孔深度、側壁角等）滿足要求，同時發現可能出現的缺陷并對其進行分類，剔除不合格的晶圓，避免后續工藝浪費。工藝檢測設備的另一個作用是協助工藝開發和試生產時優化設備運行參數和光掩模的設計，優化整個工藝流程，縮短開發時間，提升成品率并實現量產。

半導體量測Metrology主要包括：

1）套刻對準的偏差測量；

2）薄膜材料的厚度測量；

3）晶圓在光刻膠曝光顯影后、刻蝕后和CMP工藝后的關鍵尺寸（CD）測量；

4）其他：如晶圓厚度，彎曲翹曲（Bow/Warp），1D/2D應力stress，晶圓形貌，四點探針測電阻RS，XPS測注入含量等，AFM（原子力顯微鏡）/Metal plus（超聲波）測臺階高度（Step Height）等。

半導體檢測Inspection主要包括：

1）無圖形缺陷檢測，包括顆粒（particle）、殘留物（residue）、刮傷（scratch）、警惕原生凹坑（COP）等；

2）有圖像缺陷檢測，包括斷線（break）、線邊缺陷（bite）、橋接（bridge）、線形變化（Deformation）等；

3）掩模版缺陷檢測，包括顆粒等；

4）缺陷復檢，針對檢測掃出的缺陷（位置，大小，種類），用光學顯微鏡或掃描電鏡確認其存在。

圖: 半導體量測與檢測分類

資料來源：中科飛測招股書，方正證券研究所

中道檢測面向先進封裝環節，主要是芯片倒裝（Flip-Chip）、圓片級封裝（Wafer-LevelPackage）和硅通孔（ThroughSilicon Via，TSV）等先進工藝要求對凸點（Bump）、通孔（TSV）、銅柱（Copper-Pillar）等的缺損/異物殘留及其形狀、間距、高度的一致性，以及再布線層（Redisriburion Layer，RDL）進行無接觸定量檢查和測量。后道測試則主要是利用電學對芯片進行功能和電參數測試，主要包括晶圓測試和成品測試兩個環節。

圖: 過程控制（檢測、測量）和ATE（測試）2021年市場空間

資料來源：Gartner，華經產業研究院，方正證券研究所

圖: 檢測缺陷&量測尺寸

資料來源：KLA，方正證券研究所

根據制造過程中采用的不同材料和結構，工藝檢測設備分別采用包括寬波段光譜（紫外到紅外）、電子束、激光和X射線等多種不同技術。性能指標方面，隨著工藝不斷向細微線寬發展，器件形態結構也由二維平面結構向三維結構轉變，因此對檢測設備的靈敏度、可適用性、穩定性及吞吐量等都有更高要求。

圖: 光學檢測技術、電子束檢測技術和X 光量測技術特征比較

資料來源：中科飛測招股書，方正證券研究所

應用光學檢測技術的設備可以相對較好的實現有高精度和高速度的均衡，并能夠滿足其他技術所不能實現的功能，如三維形貌測量、光刻套刻測量和多層膜厚測量等應用，因此采用占多數。根據VLSI Research和QY Research，2020年全球半導體檢測和量測設備市場中，光學檢測技術、電子束檢測技術及X光量測技術的設備市場份額占比分別為75.2%、18.7%及2.2%。

圖: 2021年過程控制分類及市場規模（億美元）

資料來源：Gartner，方正證券研究所

2.1量測

套刻精度測量設備：用于測量層與層之間的套刻誤差，也就是兩層圖形結構中心的平面距離，主要測量系統有3種，光學顯微成像（IBO）系統、光學衍射（DBO）系統和掃描電鏡（SEM-OL）系統。光學顯微成像系統最常用，通過成像的方式計算套刻誤差；光學衍射系統采用非成像的方式，通過光強傳感器測量衍射射束強度確定套刻誤差，使用的光學元件較少，常用于先進的光刻工藝控制中；掃描電鏡系統主要用于刻蝕后的最終套刻誤差測量，測量速度較慢。

套刻精度測量的對象是套刻目標圖形，這些圖形通常制作在劃片槽區域，用于成像套刻測量系統的目標圖形通常有（a）塊中塊、（b）條中條和（c）目標（AIM）圖形。

圖: 套刻誤差測量

圖: 常用的套刻誤差測量目標圖形

資料來源：Hitachi High-Tech官網，方正證券研究所，《集成電路產業全書》，啟閎半導體

常見的光學套刻設備是KLA的Archer系列和ASML的YieldStar系列，Archer系列使用IBO和DBO測量技術，可測量多種套刻目標圖形；YieldStar使用DBO測量技術；Hitachi的CD-SEM CV系列使用高壓加速掃描電子顯微鏡（SEM-OL）。

薄膜厚度測量：晶圓在進行多次各種材質的薄膜沉積后，需要對薄膜厚度和其他參數性質進行準確判斷，以確保產品滿足性能設計要求。測量薄膜厚度的方法很多，傳統的方法主要是通過臺階儀直接測量，但是這種方法對薄膜本身破壞較大，同時測量結果受儀器精度的影響較大，因此精確測量成本較高。目前應用較普遍的方法主要有非光學方法和光學方法兩大類，非光學方法只能用于薄膜厚度的測量，主要包括四探針法、渦流法、電容法、電磁等，其中四探針法和渦流法為較多應用的方法；利用光學原理測量薄膜厚度的方法主要有棱鏡耦合導模法、光切法、多光束干涉法、分光光度測量法、橢圓偏振法等。其中橢圓偏振法應用最為廣泛，并且能同時測量薄膜的光學參數。

圖: 薄膜測量方法

資料來源：《基于橢圓偏振法的薄膜厚度測量》，方正證券研究所

四探針法（4PP）是指用四個等距的金屬探針接觸薄膜材料表面，外圍兩探針通直流電流，中間兩根探針接電位差計測量電壓降，基于所測的電壓和電流得出具體位置的電阻，薄膜厚度由薄膜材料電阻率除以所得電阻得到，一般通過軟件計算得出。渦流法（EC）是指通過線圈的時變電流在導電層中產生時變的渦流。這些時變的渦流反過來產生一個磁場，改變驅動線圈的阻抗，該阻抗與薄膜材料的電阻成反比，同樣通過換算可以得出薄膜厚度參數。

圖: 四探針法

圖: 渦流法

資料來源：KLA，方正證券研究所資料

橢圓偏振法基本原理為：將一束橢圓偏振光按照一定的入射角照射到樣品上，已知入射光的偏振態，可根據偏振態的改變來確定薄膜材料的具體結構，得到其厚度和光學參數信息（如復折射率、厚度或復介電常數等）。

圖: 橢圓偏振法原理圖

資料來源：Wikimedia，方正證券研究所

目前非光學測量薄膜膜厚產品主要有科磊的Filmetrics R50系列，光學測量薄膜膜厚產品主要有包括科磊的Aleris系列和SpectraFilm系列。國內光學測量薄膜膜厚產品有上海精測的EFILM系列。

關鍵尺寸測量設備：主要用于芯片生產過程中的關鍵尺寸（CD）、高度、側壁角的在線測量和關鍵設備（***、涂膠顯影設備等）的性能監控。其中關鍵尺寸測量主要用于顯影后檢查（ADI：After Development Inspection）和刻蝕后檢查（AEI：After Etch Inspection）。目前主要依靠光學散射儀的非成像式測量技術，光學散射儀又稱為光學關鍵尺寸測量儀（OCD），其原理是通過測量樣品的散射信息，求解逆散射問題來重構待測樣品的三維形貌。

圖: 光學散射測量基本流程

資料來源：《集成電路制造在線光學測量檢測技術：現狀、挑戰與發展趨勢》，方正證券研究所

OCD測量的基本流程主要包括正問題和反問題兩個重要步驟，正問題是通過一定的散射測量裝置獲得待測樣品結構的散射信息，需要解決的是儀器測量問題，反問題是需要從測量得到的散射數據中提取待測樣品的三維形貌參數，需要解決的是構建光與待測樣品結構間相互作用的正向散射模型并選擇合適的求解算法。

測量儀器：目前主要使用的光學散射裝置可以分為角分辨散射儀和光譜散射儀。角分辨散射儀的優點在于由于采用單一波長，在數據分析時不需要對樣品材料的介電函數進行假設；此外可以相對容易擴展到較短的波長范圍，如EUV和X射線。其劣勢在于其中包含移動組件，限制了測量速度。光譜散射儀的優勢在于測量速度非?？?，目前常用的一種基于光譜橢偏儀（SE）的散射儀，其可以達到很高的垂直分辨率，相對于角分辨散射儀，可以獲得更多的測量信息。其劣勢在于，為了精確測量，尤其是在橢偏散射測量中，需要精確的校準，并需要預先確定樣品材料在較寬光譜范圍內的光學常數。實際使用中，為了提高測量靈敏度，通常將兩種散射測量方式相結合。

圖: 不同光學散射測量裝置示意圖注：(a)(b)角分辨散射儀；(c)(d)光譜散射儀

資料來源：《集成電路制造在線光學測量檢測技術：現狀、挑戰與發展趨勢》，方正證券研究所

構建正向散射模型并選擇求解算法：在光學散射測量中，從散射測量數據中提取出待測樣品三維形貌參數的本質上是逆散射問題的求解過程。目前主要有兩種求解方法，分別是庫匹配法和非線性回歸法。庫匹配的參數提取過程中，是事先建立散射仿真數據庫，然后將測量數據跟仿真數據比較，得到最佳匹配測試數據的仿真數據所對應的待測參數值。非線性回歸法是不斷調整輸入參數，使得測量數據與正向散射模型計算出來的仿真數據差異降至允許范圍內。庫匹配法的優勢在于可以快速提取待測參數，但是需要事先建立并存儲龐大的仿真數據庫，且準確度受數據庫網格間距的限制。非線性回歸法的優勢是不需要建立仿真數據庫，且可以得到比較準確的結果，但是由于每次迭代都要調用正向散射模型來計算仿真數據，因此非常耗時。

除了OCD之外，原子力顯微鏡（AFM）和掃描電鏡（SEM）也是微納米線間距尺寸測量類儀器應用最廣泛的兩類。二者所獲得圖像的橫向分辨力相近。AFM得到被測產品表面的形貌結構圖像，是真正的三維圖像，并能測量樣品的三維信息。SEM只能提供二維圖像，但其圖像有很大的景深，視野較大。關鍵尺寸掃描電子顯微鏡（CD-SEM）是具有自動定位并測量線條功能的掃描電鏡，廣泛用于半導體產線線寬的監控。

電子行業專題報告15敬請關注文后特別聲明與免責條款s掃描電子顯微鏡是利用材料表面特征的差異，在電子束作用下通過試樣不同區域產生不同的亮度差異，從而獲得具有一定襯度的圖像。成像信號是二次電子、背散射電子或吸收電子，其中二次電子是最主要的成像信號。高能電子束轟擊樣品表面，激發出樣品表面的各種物理信號，再利用不同的信號探測器接受物理信號轉換成圖像信息。

圖: 電子束與物質相互作用產生的信息

圖: 掃描電鏡原理圖

資料來源：《SEM在半導體工藝研究中的應用實例》，方正證券研究所資料來源：鑠思百檢測，方正證券研究所

算法：CD-SEM 獲得測量圖形的影像后．CD-SEM進行測量并將數據上傳。CD-SEM在測量算法上需要不斷優化和提高，以使測量結果真實準確反映樣品的性能。例如，推出新的測量方式，包括邊緣粗糙度（Edge Roughness間隙（Gap）、扭曲度（Wiggling）、疊對（Overlay）、圖形重心（Center Gravity）等，此外還需要不斷提高測量可靠性，以及對產品工藝波動的敏感度。

圖: SEM圖像

圖: 將SEM圖像做成Line Profile計算出測定值

資料來源：Hitachi High-Tech官網，方正證券研究所

2.2檢測

圖形晶圓缺陷檢測：光學圖形晶圓缺陷檢測設備是通過高精度光學檢測技術，對晶圓上的缺陷和污染進行檢測和識別，向晶圓廠提供不同生產節點中晶圓的產品質量問題，并確認工藝設備的運行情況是否正常，從而提高良率，節約成本。光學檢測技術是通過從深紫外到可見光波段的寬光譜照明或者深紫外單波長高功率的激光照明，以高分辨率大成像視野的光學明場或暗場的成像方法，獲取晶圓表面電路的圖案圖像，實時地進行電路圖案的對準、降噪和分析，以及缺陷的識別和分類，實現晶圓表面圖形缺陷的捕捉。

光學圖形晶圓缺陷檢測設備分為明場和暗場兩大類別，兩者的主要區別是：明場設備是收集晶圓表面垂直反射的光信號來分析缺陷，而暗場設備是收集晶圓表面散射回來的光信號來分析。如果晶圓表面是平整沒有缺陷的，則明場設備反射回來的光是相對比較完整的入射光，而暗場設備的入射光則被全反射,其接收到的是散射光信號。

隨著設備行業不斷發展，明場與暗場的定義也在變化，現在明場一般指的照明光路和采集光路在臨近晶圓段共用同一個顯微物鏡，而暗場指照明光路和采集光路在物理空間上是完全分離的。因為垂直反射和散射光信號的差別，明場設備的檢測靈敏度比暗場設備的高，但明場設備掃描速度也較慢。

圖表23:明場和暗場光學圖形晶圓缺陷檢測設備

資料來源：《28納米關鍵工藝缺陷檢測與良率提升》，方正證券研究所

明場光學圖形圓片缺陷檢測設備發展趨勢：更亮的光源照明、更寬的光譜范圍、更高的呈現分辨率、更大數值孔徑、更大成像視野等。傳統光源以氙燈或汞放電燈，到目前的激光持續放電燈。光源波長范圍為180~650nm，光學系統以透鏡為主，為了在寬光譜波長范圍中達到更好的光學分辨率，會加入多層反射鏡片降低色差。針對不同類型的晶圓，明場光學圖形晶圓缺陷檢測可以使用不同的配置，即不同光學參數和系統參數的組合，當前的設備的配置數量超過一萬種。當前市場上的主流設備是KLA的39xx系列、29xx系列和應用材料的UVision系列。

電子束圖形晶圓缺陷檢測設備。隨著半導體技術進步和先進工藝對缺陷容忍度降低，與普通光學明場和暗場晶圓缺陷檢測設備相比，電子束圖形晶圓缺陷檢測設備對圖形的物理缺陷（顆粒、突起、橋接、空穴等）具有更高的分辨率，以及特有的通過電壓襯度檢測隱藏缺陷的能力。由于具有可以通過電壓襯度成像檢測到光學顯微鏡下不可見的缺陷等優勢，逐步發揮越來越大的作用，成為光學檢測設備的有力補充。

電子束圖形晶圓缺陷檢測設備是一種利用掃描電子顯微鏡在前道工序中對集成電路晶圓上的刻蝕圖形直接進行缺陷檢測的工藝檢測設備。其核心是掃描電子顯微鏡，通過聚焦電子束對晶圓表面進行掃描，接受反射回來的二次電子和背散射電子，將其轉換成對應的晶圓表面形貌的灰度圖像。通過比對晶圓上不同芯片同一位置的圖像，或者通過圖像和芯片設計圖形的直接比對，可以找出刻蝕或設計上的缺陷。其性能強調具有更高的掃描和圖像采集速率、更大的掃描場、高速的樣品運動定位能力以及在低入射電壓下的圖像質量。

與光學缺陷檢測設備相比，雖然電子束檢測設備在性能上占優，但因逐點掃描的方式導致其檢測速度太慢，不能滿足晶圓廠對吞吐能力的需求，無法大規模替代光學設備承擔在線檢測任務，目前主要用于先進工藝的開發，工作模式主要為抽樣檢測。當前市場上的主流供應商是ASML（收購漢民微測科技）和應用材料。

無圖形晶圓缺陷檢測設備：其作用是檢測裸晶圓缺陷，為后續圖形化檢測打下基礎。無圖形晶圓表面檢測系統能夠檢測的缺陷類型包括顆粒污染、凹坑、水印、劃傷、淺坑、外延堆垛、CMP突起、晶坑、滑移線等，應用領域主要有三類：

（1）芯片制造：主要包括來料品質檢測、工藝控制、晶圓背面污染檢測、設備潔凈度監測等；

（2）硅片制造：主要包括工藝研發中的缺陷檢測、硅片出廠前的終檢流程；

（3）半導體設備制造：主要包括工藝研發中的缺陷檢測、設備的工藝品質評估（顆粒、金屬污染）等。

檢測過程：無圖形晶圓缺陷檢測設備能夠實現無圖形晶圓表面的缺陷計數、識別缺陷的類型和空間分布。通過將單波長光束照明到晶圓表面，利用大采集角度的光學系統，收集在高速移動中的晶圓表面上存在的缺陷散射光信號。通過多維度的光學模式和多通道的信號采集，實時識別晶圓表面缺陷、判別缺陷的種類，并報告缺陷的位置。

圖: 無圖形晶圓缺陷檢測過程

資料來源：Hitachi High-Tech官網，方正證券研究所

暗場無圖形檢測：光學缺陷檢測中，暗場散射技術通常用于晶圓等精密元件的表面缺陷檢測，具有非接觸、非破壞、靈敏度高以及檢測速度快等諸多優點。同時，相比于明場檢測，暗場檢測檢測速度更快，更適用于高頻的三維形貌，并能檢測遠小于系統分辨率和光學尺寸的缺陷，因此尤其適用于無圖形晶圓缺陷檢測。

圖: 典型暗場散射示意圖和不同缺陷散射示意圖

資料來源：《基于暗場散射的無圖形晶圓表面缺陷檢測系統研制》，方正證券研究所

最小靈敏度和吞吐量是關鍵指標。最小靈敏度表示設備能夠檢測到晶圓表面最小顆粒缺陷的直徑，該指標的數值越小，表明設備能夠檢測到晶圓表面更小尺寸的缺陷；吞吐量表示該設備單位時間內完成檢測的晶圓數量，該指標的數值越大，表明設備的檢測速度越快。

3. 量測檢測持續升級，是前道設備主賽道之一

2024年全球晶圓廠設備開支有望恢復至970億美金。根據SEMI最新全球半導體設備預測報告，2023年全球半導體設備銷售市場規模預計將從2022年創新高的1074億美金同比下降18.6％至874億美金，隨后在2024年恢復至1000億美元以上的市場規模。2023年市場規模的下降主要是芯片需求疲軟及消費及移動終端產品庫存增加。2024年市場需求的回暖主要得益于半導體庫存修正結束以及高性能計算（HPC）和汽車領域半導體需求增長。

前道設備仍是行業主要反彈驅動力。分設備所處環節來看，2023年晶圓廠設備市場規模將同比下降18.8%至764億美金，同時也將是2024年總體設備市場重返1000億美金最主要的推動力，預計屆時晶圓廠設備市場規模達到878億美金。后道設備市場方面，由于宏觀經濟環境面臨挑戰，同時半導體行業整體需求疲軟，2023年半導體測試設備市場預計同比下降15%至64億美金（2024年預計同比增長7.9%），封裝設備預計同比下降20.5%至46億美金（2024年預計同比增長16.4%）。

先進制程設備需求較穩定，存儲用設備市場波動劇烈。在晶圓制造設備中，分應用領域來看，2023年代工和邏輯廠所用設備市場預計同比下降6%至501億美金，仍然是半導體設備行業占比最高的應用領域，2023年先進制程設備需求維持平穩，成熟節點的設備需求略有下降，預計2024年這一領域的投資規模將增長3%。由于消費和企業市場需求同時疲軟，2023年DRAM設備市場預計收縮28.8%至88億美金，但隨著市場逐步修復，SEMI預計2024年這一市場將增長31%至116億美金。2023年NAND設備市場預計將大幅收縮51%至84億美金，同時2024年亦將同比強勢增長59%至133億美金。

圖:全球半導體設備分環節市場規模（億美金）

圖: 全球晶圓制造設備分應用市場規模（十億美金）

資料來源：SEMI，方正證券研究所

中國大陸引領2024年全球半導體設備市場。分地域來看，中國大陸、中國臺灣省、韓國主導全球設備市場。其中SEMI預計中國大陸將在2024年引領全球市場規模，同時我們也看到近年來中國大陸在全球半導體設備市場份額呈上升趨勢，大陸設備市場重要性日益提升。

圖: 中國大陸設備市場重要性日益提升（左軸：十億美金）

資料來源：Wind，方正證券研究所

半導體設備行業呈現明顯的周期性，受下游廠商資本開支節奏變化較為明顯。2017年，存儲廠商的大幅資本開支推動半導體設備迎來巨大需求，且這一勢頭一直延續到2018年上半年。但隨后產能過剩致使存儲價格走低，導致DRAM和NAND廠商紛紛推遲設備訂單。存儲產能過剩一直持續到2019年上半年，同時上半年整體半導體行業景氣度不佳，雖然下半年隨著行業景氣度恢復，以臺積電為代表的晶圓廠陸續調高資本開支大幅擴產，2019年全年半導體設備需求同比仍回落約2%。2020年全球各地先后受疫情影響，但存儲行業資本支出修復、先進制程投資疊加數字化、5G帶來的下游各領域強勁需求，全年設備市場同比增長19%。伴隨半導體廠商新一輪資本開支開啟，2021年全球設備市場繼續大幅增長44%。當前海外設備龍頭應用材料、泛林集團等均預計2022年全球設備市場規模將進一步增長。

圖: 半導體設備市場增速周期性

資料來源：Wind，方正證券研究所

過程控制全球半導體設備總市場占比約10.5%，持續有升級需求。2021年全球過程控制設備市場空間約104億美元，其中光刻相關（套刻誤差量測、掩膜板測量及檢測等）相關需求約28億美元、缺陷檢測需求約58億美元、膜厚測量需求約17億美元。過程控制市場中在全球半導體設備總市場（包括晶圓制造和封裝測試設備）占比約10.5%，相對穩定，隨著制程微縮、3D堆疊推進，晶圓制造對于量測、檢測需求不斷增加，精度要求也不斷提高，過程控制設備持續有升級需求。

圖: 全球過程控制市場（億美金）

資料來源：VLSI，中科飛測招股書，Gartner，Wind，方正證券研究所

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