東科與北京大學成立第三代半導體聯合研發中心

9月15日，東科半導體（安徽）股份有限公司與北京大學共同組建的第三代半導體聯合研發中心正式揭牌成立。由北京大學科學研究部謝冰部長及馬鞍山市委書記袁方共同為北大-東科聯合研發中心揭牌。

圖左為袁方書記，右為謝冰部長

北大-東科第三代半導體聯合研發中心，（以下簡稱“研發中心”）將瞄準國家和產業發展全局的創新需求，以第三代半導體氮化鎵關鍵核心技術和重大應用研發為核心使命，重點突破材料、器件、工藝技術瓶頸，增強東科半導體在第三代半導體技術上的創新能力和市場主導力。

打造高層次人才研發隊伍

北京大學集成電路學科作為我國第一個半導體專業，在學科建設、師資隊伍等綜合實力均處于國內一流領先水平。而東科半導體作為國內最先研發布局氮化鎵芯片研究的企業，國內首創合封氮化鎵電源管理芯片，其產品性能指標等同或部分超出國外同類產品，并以高性能、高可靠性和低功耗等特性被市場廣泛認可，實現國產替代。

東科半導體在繼青島、無錫、深圳、馬鞍山研發中心后新成立的北京研發中心，將借助北京大學及其他首都高校的研發技術及人才優勢，以高標準打造出一支學歷層次高、專業覆蓋面廣、技術力量雄厚、產學研聯系緊密的研發隊伍。

隨著氮化鎵技術的不斷突破與完善，下游新的應用市場規模將不斷爆發，同時氮化鎵作為第三代半導體，其優異特性將成為提升下游產品性能、降本增效、可持續綠色發展的關鍵技術之一。

未來，東科半導體的氮化鎵芯片將在繼續深耕快充等消費電子細分領域市場的同時，進一步拓展進入通信、工業電源、光伏、新能源等眾多產業領域，為推進芯片國產化進程不斷前行。