如何在中試線上生產一片8英寸碳化硅襯底？

從實際情況上看，目前多數SiC都采用的4英寸、6英寸晶圓進行生產，而6英寸和8英寸的可用面積大約相差1.78倍，這也就意味著8英寸制造將會在很大程度上降低SiC的應用成本。但為什么目前市場上主流還是6英寸碳化硅襯底？

8英寸碳化硅襯底為什么這么難？

眾所周知，以硅基為材料的晶圓已經開始從8英寸邁向了12英寸，硅晶圓的生產經驗是否可以助力SiC晶圓向更大面積發展，與硅晶圓相比，SiC晶圓的生產難點又在哪里？

與硅材料芯片相比，8英寸和6英寸SiC生產的主要差別在高溫工藝上，例如高溫離子注入，高溫氧化，高溫激活等，以及這些高溫工藝所需求的hard mask（硬掩模）工藝等。 高溫工藝關乎著SiC的良率，這也是各大SiC廠商所著力研發的關鍵環節之一。 而除了與硅晶圓在生產工藝上有所差異以外，在SiC從6英寸向8英寸發展的過程中也存在著一些差異。 在功率半導體制造的離子注入、薄膜沉積、介質刻蝕、金屬化等環節，8英寸碳化硅與6英寸SiC的差距不大。8英寸SiC的制造難點主要集中在襯底生長、襯底切割加工、氧化工藝。其中，襯底生長方面，擴徑到8英寸，對襯底生長的難度會成倍增加；襯底切割加工方面，越大尺寸的襯底切割應力、翹曲的問題越顯著；氧化工藝一直是碳化硅工藝中的核心難點，8英寸、6英寸對氣流和溫場的控制有不同需求，工藝需各自獨立開發。 顯然，SiC向更大晶圓面積發展的路并不好走，在這一點上，從SiC從4英寸走向6英寸的過程中便可略窺一二——據 Yole 預測數據顯示，2020 年4英寸SiC晶圓接近 10 萬片，而 6英寸晶圓市場需求已超過8萬片，預計將在2030年逐步超越4英寸晶圓。

如何在中試線上生產一片8英寸碳化硅襯底？

在過去的十年中，碳化硅(SiC) 已經從具有高潛力但存在可靠性問題的寬帶隙半導體發展成為電力電子領域中不可或缺的首選材料 。過去幾年主要受電動汽車普及帶動的 SiC 功率器件市場的擴張速度如此之快，以至于許多供應商都在努力滿足對 SiC 功率器件的需求。 實際上，早在2015 年Wolfspeed就演示過200 毫米 SiC 晶片的樣片，但晶體質量仍然比 150 毫米對應物差很多。在生產線上實際應用 200 mm SiC 晶片的時機遠未成熟。

2018年，一個名為REACTION（歐洲碳化硅八英寸試驗線）的歐洲項目獲得資助，旨在開發世界上第一條用于生產功率器件的200毫米碳化硅試驗線設施。來自工業界和學術界的 27 個合作伙伴加入了該項目。不同合作伙伴一致認為，200mm SiC晶圓的發展必須達到兩大里程碑，主要與材料的晶體質量有關：機械化學拋光晶圓和高質量晶圓。 為了更加直觀的給大家介紹一片合格的8英寸襯底生產過程，我們找到了該聯盟為生產機械和開發級別的 200 毫米 SiC 晶片以及建立試生產線而執行的早期開發步驟。其中還特別介紹了 200 mm SiC 晶錠的晶體生長、晶片的切片和拋光、外延層的沉積以及中試生產線的首次測試。特地分享出來給各位讀者了解:

1 .200 mm 4H-SiC晶錠的晶體生長

本工作中介紹的機械和開發級 200 mm 4H-SiC 晶片由 II-VI Incorporated 制造。所述的SiC晶錠使用與專有的反應器設計[物理氣相傳輸（PVT）法生長11 ]。圖 1顯示了與本工作中使用的系統相似但不完全相同的通用 PVT 系統的示意圖。
反應器的核心是石墨坩堝，里面裝有高純度的碳化硅粉末和晶種。坩堝被感應加熱到 2000 °C 以上的溫度。在如此高的溫度下，SiC 粉末升華，產生的蒸汽通過熱梯度傳輸在坩堝內朝著單晶 SiC 晶種生長。晶種晶片作為進入蒸汽的成核中心，也用于<000-1>的晶體取向生長成SiC 晶錠。

晶體垂直生長，但也有一定程度的橫向生長，從而擴大了晶錠的直徑。坩堝內的壓力和溫度梯度是基本的生長參數，經過精心優化以提高晶錠的晶體質量。

大量的生長實驗運行，致力于支持 REACTION 項目的 200 毫米沉底的開發。由于晶種的直徑和質量對晶片質量至關重要，因此大部分生長實驗都集中在將高質量晶種擴展到大于 200 毫米的直徑。

2 .使用SiC晶錠制造200 mm外延晶圓

一旦SiC晶錠生長出來，就必須從它上切下晶片。

這一部分在產品的最終質量中起著至關重要的作用。事實上，晶圓切片的幾個方面至關重要，例如晶體取向、產量最大化、材料損失和加工成本最小化、實現低缺陷表面等。涉及不同的工藝工具，其中一些必須重新設計才能與 200 毫米晶圓一起使用。所有涉及的工具都需要對工藝參數進行微調，以確保從 150 毫米尺寸變為 200 毫米尺寸時具有良好的最終質量和產量。

將生長的晶錠磨成 200 毫米直徑，并通過多線鋸成功切片。對所得原始晶片進行機械拋光和化學機械拋光，以獲得標稱厚度為 500 μm 的低粗糙度、外延就緒晶片。 最后通過向項目合作伙伴交付的 50 多個直徑為 200 毫米的單晶襯底。從形態學和電學角度對襯底進行表征。通過 FlatMaster 200 測量的交付晶圓的平均厚度為 500.8 μm，這表明切片工藝提供了良好的晶圓到晶圓再現性。發現平均總晶片內厚度變化 (TTV) 約為 5.9 μm。交付晶圓的平均翹曲為 46 μm；

雖然這個值還有待改善，但它應該已經能夠使用中試線的制造工具。通過非接觸式映射系統 LEI 1510 測量的晶片電阻率在交付的樣品中具有 22.8 mΩ?cm 的平均值，晶片內的變化小于 3%。 通過自動 Sica 系統對選擇性蝕刻產生的表面特征進行分析。圖 2顯示了總缺陷密度(DD)、BPD 和 TSD 晶片圖，通過對來自兩個不同生長運行的晶片進行選擇性蝕刻獲得。特別是，圖 2 (a)–(c) 中的圖是指在 200 mm 晶圓開發的早期階段生產的晶圓（以下稱為樣品 A），而圖 2 (d)–(f)中的圖) 是在使用改進的生長工藝生長的晶片上獲得的（以下稱為樣品 B）。

樣品 A 的總 DD 的平均值大約為 11,000 cm -2，晶片內的 BPD 變化很大，如圖2 (b) 所示。樣品 A 的平均位錯密度為 11,256 cm -2、1807 cm -2和 3739 cm-2 分別表示 DD、BPD 和 TSD。相比之下，樣品 B 的總 DD 小于 4000 cm -2，即幾乎比樣品 A 低三倍。

樣品 B 的平均位錯密度為 3885 cm -2、951 cm -2和 716 cm - 2為DD，BPD和TSD，分別。與樣品A相比，這是一個顯著的改進；樣品 B 的 DD 改進歸因于更好的晶種晶體質量和優化的生長參數。這對于未來高質量 200 mm SiC 晶片的發展來說是一個很有希望的結果。值得注意的是在 0.25 cm -2的晶片上測得的平均微管密度低于 0.5 cm -2的目標并且已經非常接近商用 150 mm SiC n 型襯底的當前值，即 <1 cm -2。

圖2。從樣品 A (a)–(c) 和樣品 B (d)–(f) 的選擇性濕蝕刻測試中獲得的DD 、BPD和TSD 的晶圓圖。

3.生產工具的初步處理和兼容性測試

使用 200 毫米SiC 中試線的工業生產工具進行處理和兼容性測試。事實上，晶圓的厚度和電阻率波動、彎曲、邊緣碎裂和表面缺陷等特征會嚴重影響甚至損壞生產線上的一些工具。

因此，必須進行初步的兼容性測試。值得注意的是，STM 能夠在功率器件生產所需的主要工具內處理 200 毫米 SiC 晶片，例如自動檢測工具、光刻步進機、注入機、用于熱處理和氧化物生長的烤箱、用于沉積電介質和金屬薄膜、濕法蝕刻臺、洗滌器等。這些測試的成功確實是實現工業試驗線的基本步驟，這需要 STM 方面的大量經濟和技術投資。

第一批晶圓在邊緣處顯示出很少的小芯片，這導致了工具內的對齊問題。II-VI Incorporated 解決并迅速解決了邊緣芯片的形成問題。圖 3顯示了在 STM 生產線上對 200 毫米 SiC 晶片進行的缺陷圖和自動電子顯微鏡檢查的示例。在基材表面發現了一些缺陷，主要是劃痕和凹坑。缺陷的類型和位置表明晶片制造過程中的切片和拋光步驟需要進一步優化。

圖3。(A) 使用 Altair 系統獲得的 200 毫米機械級晶圓的典型缺陷圖和 (b)在 STM 試驗線中執行的相應自動電子顯微鏡檢查。左上角的前五幅圖像是與晶體缺陷相關的凹坑，而其他四幅圖像則顯示了可能由切片和拋光步驟引起的劃痕。

4.在200 mm SiC晶片上生長4H-SiC外延層

為了進一步改善晶體質量和用于前端工藝制備晶片，在晶片的化學-機械拋光的側通常被沉積的外延層的碳化硅。在 REACTION 項目的框架內，LPE Spa 負責開發一種新的化學氣相 (CVD) 反應器，用于在 200 毫米晶圓上生長 SiC 外延層。在 200 毫米晶圓上開發 SiC 外延層由 LPE Spa 在其位于卡塔尼亞的實驗室開始，使用原型 CVD 反應器不控制晶圓旋轉并配備單區氣體注入系統。

第一個原型將在 REACTION 項目期間得到改進，上述功能將包含在反應器的最終版本中。n 型 4H-SiC 外延層的生長是在 1600 °C 以上的溫度下進行的，使用三氯硅烷 (SiHCl 3 ) 和乙烯 (C 2 H 4 ) 作為前驅體 [ 14 ]，氮作為 n 型摻雜氣體。以這種方式實現了高達 30 μm/h 的生長速度。

產生標稱厚度為6.5μm且施主摻雜濃度為9.5×10 15 cm -3的外延層。生長后，沉積的外延層的厚度通過紅外快速傅里葉變換光譜 (FTIR) 測量，而摻雜濃度則通過汞探針獲得的電容測量值估算。

圖 4 (a) 顯示了通過原型 CVD 反應器沉積在 200 毫米機械級 SiC 晶片上的外延層的典型厚度圖。晶圓厚度的平均值為 6.44 μm，標準偏差為 0.05 μm。晶片厚度均勻性，評估為標準偏差與平均值之間的比率，為 0.8%。觀察到外延層厚度從中心到邊緣略微徑向增加，小于 0.2 μm；厚度圖的不對稱性主要是由于原型反應器中的單區氣體注入。

圖 4 (b) 顯示了由 LPE Spa 在商用 150 mm SiC 晶片上通過標準 CVD 反應器沉積的外延層厚度圖 [ 15]]。晶圓厚度的平均值為 10.45 μm，標準偏差為 0.04 μm。在這種情況下，晶片厚度均勻度為 0.4%，因此，非常接近使用原型反應器在 200 毫米晶片上獲得的值。

圖 4。(a) 200 mm 機械級SiC晶片和 (b) 商用 150 mm SiC 晶片上外延層的典型厚度圖。

圖5（a）和（b）顯示了對應于圖4中已經呈現的外延層的摻雜圖，分別生長在（a）200mm SiC晶片和（b）150mm SiC商業晶片上。200mm晶圓的平均摻雜值為9.54×10 15 cm -3，標準偏差為0.53×10 15 cm -3，晶圓摻雜均勻度為5.6%。

另一方面，商用 150 mm 晶圓的平均摻雜值為 11.9 × 10 15 cm -3，標準偏差為 0.14 × 10 15 cm -3，以及 1.1% 的晶圓摻雜均勻度。盡管機械級 200 毫米晶圓已經顯示出良好的厚度和摻雜分布，但使用更先進的 200 毫米外延反應器最終版本，摻雜的晶圓均勻性將得到改善。

圖 5。(a) 200 mm 機械級SiC晶片和 (b) 商用 150 mm SiC 晶片上外延層的典型摻雜圖。

這項工作概述了最近在 REACTION 項目框架內獲得的基于 200 毫米SiC晶片的世界上第一條工業試驗線的實施取得的成就。

回顧了用于 200 毫米 SiC 晶錠晶體生長的新型 PVD 反應器的開發，并描述了將晶錠切成外延就緒晶片的步驟。通過使用熔融 KOH 進行選擇性蝕刻來評估由早期生長運行產生的晶片的晶體質量。測量證明，襯底的晶體質量超過了項目最初為初步開發階段設定的要求，并且在微管密度方面甚至非常接近商用 150 mm SiC n 型襯底的當前值。

此外，還描述了使用原型 CVD 系統在 200 毫米晶圓上沉積 SiC 外延層，并介紹了沉積在機械級晶圓上的薄膜的主要特征。測量結果表明，外延層厚度在 200 毫米晶圓的整個表面上非常均勻，與在 150 毫米商用晶圓上獲得的均勻性相似。摻雜均勻性也相當不錯，但仍與通常在 150 毫米對應物中獲得的一致。此外，試生產線的許多生產工具都使用機械級晶圓進行了測試，并成功證明了它們與 200 mm SiC 的兼容性。

以上。8英寸SiC的到來的確能夠為產業帶來變化，但相對于4英寸到6英寸的里程碑式轉變，6英寸過渡到8英寸還需要一段時間。在未來幾年時間內，6英寸產線還是會占據主流地位。