<acronym id="s8ci2"><small id="s8ci2"></small></acronym>
<rt id="s8ci2"></rt><rt id="s8ci2"><optgroup id="s8ci2"></optgroup></rt>
<acronym id="s8ci2"></acronym>
<acronym id="s8ci2"><center id="s8ci2"></center></acronym>
0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

士蘭微電子推出高性能汽車驅動模塊—600A/1200V IGBT模塊

杭州士蘭微電子股份有限公司 ? 來源:杭州士蘭微電子股份有限 ? 2023-06-20 11:36 ? 次閱讀

隨著人們對環保意識的提高和汽車駕駛體驗感的不斷追求,新能源汽車的市場需求逐漸增大,已然成為汽車發展的大趨勢,但是新能源汽車充電時間長、續航里程短等問題仍然是汽車廠商和車主們的痛點。因此,需要更好的汽車驅動產品來實現“充電五分鐘續航百公里”的效果。

針對這一需求,士蘭微電子近期推出了一款高性能的汽車驅動模塊——600A/1200V IGBT模塊(B3模塊), 它能夠提升新能源汽車充電速度和行駛動力,為用戶帶來更高的效率和更好的體驗。

該模塊產品阻斷電壓可以達到1200V,可以滿足800V平臺新能源汽車快速充電的需求,在5C倍率的充電速度下,可以實現5min充電0-80%。同時,該模塊峰值工況下支持850V電壓,輸出電流350-400Arms,輸出動能強,汽車加速快,這對于追求速度與激情的消費者來說是極其重要的。

士蘭微電子基于自主研發的精細溝槽 FS-V 技術開發的這款六單元拓撲模塊,可以為車輛提供高電流密度、高短路能力和高阻斷電壓等級特性,從而為嚴苛的環境條件下的逆變器運行提供更可靠的保障。

與傳統的驅動模塊相比,士蘭600A/1200V IGBT模塊的電流密度更高,可以將更多的功率輸出到驅動軸,提高車輛的加速性能和行駛距離。此外,該模塊還具有高短路能力和高阻斷電壓等級,可以保護逆變器免受突發電流和電壓的損害,從而延長逆變器的壽命。

該模塊IGBT芯片采用士蘭最新一代的場截止5代(Field-Stop V)技術和最先進的精細溝槽技術,較之前常規IGBT工藝具有更窄的臺面寬度,用于降低飽和壓降,提高器件的功率密度,縮小芯片的尺寸;且硅厚度只有110um,可以使得器件-40度下耐壓大于1200V,大大降低了器件的飽和壓降和關斷損耗;其低 VCE(sat)特性使該模塊具備正溫度系數,具有較低的靜態損耗,以及低開關損耗,可以增大模塊的輸出能力,提高整個電控系統的效率;采用導熱性優良的DBC,進一步降低模塊熱阻,提高輸出能力。

產品驗證數據顯示,該模塊的規格和同封裝下的輸出能力已經超過了同類競品,達到了世界一流水平。這也意味著,士蘭600A/1200V IGBT模塊是一款創新產品,它可以為混動和純電動汽車等應用帶來更高的燃油效率和更快的充電速度,進而改善車輛的性能和駕駛體驗。

二十多年來,士蘭微電子堅持走“設計制造一體化”道路,打通了“芯片設計、芯片制造、芯片封裝”全產業鏈,實現了“從5吋到12吋”的跨越,為汽車客戶與零部件供應商提供一站式的服務。

士蘭微電子應用于汽車電子的產品不僅涵蓋了主驅、車載充電機、車身電子、底盤電子和智能座艙等功率器件,還包括驅動IC、電源IC、電機IC和MCU等系列產品,可以為客戶提供更可靠、更具性價比、更高性能的產品和解決方案。在穩產保供的大方針下,全力以赴促進客戶和行業的共同發展。
責任編輯:彭菁

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 士蘭微電子
    +關注

    關注

    5

    文章

    48

    瀏覽量

    14650
  • IGBT
    +關注

    關注

    1249

    文章

    3579

    瀏覽量

    244844
  • 驅動模塊
    +關注

    關注

    0

    文章

    59

    瀏覽量

    14031

原文標題:士蘭微推出600A/1200V IGBT汽車驅動模塊,提升充電速度與行駛動力

文章出處:【微信號:杭州士蘭微電子股份有限公司,微信公眾號:杭州士蘭微電子股份有限公司】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

收藏 人收藏

    評論

    相關推薦

    先導中心推出1200V 100A三電平全碳化硅模塊新品

    在成功發布首款1200V 100A H橋全碳化硅模塊后,先導中心再度展現了其技術實力,推出了全新的1200V 100A 三電平全碳化硅模塊。
    的頭像 發表于 05-09 14:25 ?249次閱讀

    基本半導體推出一款1200V 240A大功率碳化硅MOSFET半橋模塊

    BMF240R12E2G3是基本半導體為更好滿足工業客戶對高效和高功率密度需求而開發的一款1200V 240A大功率碳化硅MOSFET半橋模塊,
    的頭像 發表于 04-11 09:22 ?552次閱讀
    基本半導體<b class='flag-5'>推出</b>一款<b class='flag-5'>1200V</b> 240A大功率碳化硅MOSFET半橋<b class='flag-5'>模塊</b>

    1200V 75A溝槽和場阻IGBT JJT75N120HA數據手冊

    電子發燒友網站提供《1200V 75A溝槽和場阻IGBT JJT75N120HA數據手冊.pdf》資料免費下載
    發表于 04-10 18:02 ?0次下載

    1200V 15A溝槽和場阻IGBT JJT15N120SE數據手冊

    電子發燒友網站提供《1200V 15A溝槽和場阻IGBT JJT15N120SE數據手冊.pdf》資料免費下載
    發表于 04-10 15:23 ?0次下載

    瞻芯電子推出一款車規級1200V SiC三相全橋塑封模塊IVTM12080TA1Z

    近日,瞻芯電子正式推出一款車規級1200V 碳化硅(SiC)三相全橋塑封模塊IVTM12080TA1Z,該模塊產品及其采用的
    的頭像 發表于 04-07 11:37 ?762次閱讀
    瞻芯<b class='flag-5'>電子</b><b class='flag-5'>推出</b>一款車規級<b class='flag-5'>1200V</b> SiC三相全橋塑封<b class='flag-5'>模塊</b>IVTM12080TA1Z

    Qorvo發布1200V碳化硅模塊

    全球知名的連接和電源解決方案供應商Qorvo近日宣布,推出四款采用E1B封裝的1200V碳化硅(SiC)模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩款全橋配置,其導通電阻RDS(on)最低可達9
    的頭像 發表于 03-06 11:43 ?461次閱讀

    安森美推出第七代IGBT智能功率模塊, 助力降低供暖和制冷能耗

    來源:安森美 SPM31 智能功率模塊 (IPM) 用于三相變頻驅動應用,能實現更高能效和更佳性能 2月27日,智能電源和智能感知技術的領先企業安森美(onsemi),宣布推出采用了新
    的頭像 發表于 02-27 15:42 ?184次閱讀

    安森美推出第7代絕緣柵雙極晶體管技術的1200V SPM31智能功率模塊

    智能電源和智能感知技術的領先企業安森美(onsemi,美國納斯達克股票代號:ON),宣布推出采用了新的場截止第 7 代 (FS7) 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 技術的1200V SPM31智能功率
    的頭像 發表于 02-27 11:38 ?476次閱讀

    從零了解電控IGBT模塊

    驅動部分最核心的元件IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor絕緣柵雙極型晶體管芯片)。從零了解汽車電控IGBT模塊
    的頭像 發表于 11-20 16:44 ?1374次閱讀
    從零了解電控<b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>模塊</b>

    凌銳半導體正式推出新一代1200V 18毫歐和35毫歐SiC MOS

    2023年10月,凌銳半導體正式推出新一代1200V 18毫歐和35毫歐的SiC MOS。產品性能優異,開關損耗更低、柵氧質量更好、而且兼容15V和18V驅動,能夠滿足高可靠性、
    的頭像 發表于 10-20 09:43 ?605次閱讀
    凌銳半導體正式<b class='flag-5'>推出</b>新一代<b class='flag-5'>1200V</b> 18毫歐和35毫歐SiC MOS

    IGBT基礎知識及國內廠商盤點

    IGBT產品。目前芯能聚焦600V1200V中小功率IGBT產品,IGBT單管、IPM、IGBT
    發表于 10-16 11:00

    士蘭微推出600A/1200V IGBT汽車驅動模塊,提升充電速度與行駛動力

    隨著人們對環保意識的提高和汽車駕駛體驗感的不斷追求,新能源汽車的市場需求逐漸增大,已然成為汽車發展的大趨勢,但是新能源汽車充電時間長、續航里程短等問題仍然是
    的頭像 發表于 09-07 16:50 ?794次閱讀
    士蘭微<b class='flag-5'>推出</b><b class='flag-5'>600A</b>/<b class='flag-5'>1200V</b> <b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>汽車</b><b class='flag-5'>驅動</b><b class='flag-5'>模塊</b>,提升充電速度與行駛動力

    igbt模塊參數怎么看 igbt的主要參數有哪些?

    IGBT模塊動態參數是評估IGBT模塊開關性能如開關頻率、開關損耗、死區時間、驅動功率等的重要依
    發表于 07-28 10:19 ?5918次閱讀
    <b class='flag-5'>igbt</b><b class='flag-5'>模塊</b>參數怎么看 <b class='flag-5'>igbt</b>的主要參數有哪些?

    1200V-600A/450A IGBT模塊產品性能

    對應用系統的性能具有決定性的影響。為響應上述應用市場日益增長的發展需求,JSAB推出了兼容國外一流進口品牌的Econodual3和62mm封裝的1200V-600A/450A大功率模塊
    的頭像 發表于 06-20 11:26 ?1796次閱讀
    <b class='flag-5'>1200V-600</b>A/450A <b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>模塊</b>產品<b class='flag-5'>性能</b>
    亚洲欧美日韩精品久久_久久精品AⅤ无码中文_日本中文字幕有码在线播放_亚洲视频高清不卡在线观看
    <acronym id="s8ci2"><small id="s8ci2"></small></acronym>
    <rt id="s8ci2"></rt><rt id="s8ci2"><optgroup id="s8ci2"></optgroup></rt>
    <acronym id="s8ci2"></acronym>
    <acronym id="s8ci2"><center id="s8ci2"></center></acronym>