華燦光電半導體實驗室提供從芯片設計到封裝的一站式代工服務

隨著全球宏觀環境的逐步恢復，SiC/GaN等第三代半導體產業于2023年邁向新的發展高峰，值此之際，TrendForce集邦咨詢于6月15日在在深圳舉辦了“2023第三代半導體前沿趨勢研討會”，匯聚了海內外第三代半導體先進企業代表，以及科研院校和媒體界的眾多菁英，共同探討第三代半導體產業的現狀，展望未來。華燦光電作為氮化鎵領域的創新引領者，應邀出席了本次大會并發表了專題演講?，F場座無虛席，與會者熱情高漲，映射了第三代半導體領域的繁榮景象。

出席本次大會的是華燦光電股份有限公司氮化鎵電力電子研發總監邱紹諺博士，他代表華燦光電進行了主旨為“GaN 功率器件創新應用市場前景分析”的專題分享。他首先介紹道，在手機、計算機的帶動下，GaN快充市場發揮出巨大的市場營銷能力，尤其以65W-100W為主流。2023年，隨著更多廠商的積極投入，GaN的市場關注度進一步提高，帶動了3C電源、數據中心、電動汽車、光伏儲能等相關廠家的驗證使用。

隨后他指出，GaN目前也處于發展的萌芽期，仍面臨同質襯底生長、可靠性不佳等技術問題，限制了生產良率和商用化發展。其中，GaN器件特性由外延結構決定，器件的可靠性則與材料質量緊密相關。目前，GaN襯底仍在開發中，市場上尚未有成熟的GaN襯底，只能使用硅和藍寶石等異質接面襯底，而這些導致了GaN器件特性不佳。

而自2020年進入GaN電力電子領域以來，華燦光電依托其在LED芯片在GaN材料和器件領域的積累，積極展開技術研究與產品開發。在自有外延方面，華燦光電于2022年啟動了6英寸藍寶石襯底研發，初步完成650V GaN-on-Si for D-mode＆E-mode的外延片研發和流片。在器件方面，完成了650V GaN產品的小批量出樣和測試，650V GaN HEMT和demo board出樣。

最后，邱博士還同與會來賓介紹了華燦光電未來的發展路線。按照計劃，華燦光電的GaN產品將逐步從650V向900V，再到1200V的路徑發展，并會規劃低壓產品以擴充產品線。

在場外搭建的華燦光電展臺，也同樣吸引了眾多客戶同仁的駐足咨詢?，F場氣氛熱烈，賓客絡繹不絕，大家都對華燦光電此次展出的樣品流露出認可和興趣。

作為國內氮化鎵領域創新引領者，華燦光電已經積累大量的專利技術和制造經驗。未來，華燦光電將繼續深耕第三代半導體技術領域的研發，并依托華燦光電浙江第三代半導體實驗室和氮化鎵研究院，將提供從芯片設計到封裝的一站式代工服務，擴大能效半徑和生態鏈，賦能更多的終端應用市場。
責任編輯：彭菁