<acronym id="s8ci2"><small id="s8ci2"></small></acronym>
<rt id="s8ci2"></rt><rt id="s8ci2"><optgroup id="s8ci2"></optgroup></rt>
<acronym id="s8ci2"></acronym>
<acronym id="s8ci2"><center id="s8ci2"></center></acronym>
0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

GaN HEMT大信號模型

星星科技指導員 ? 來源:wolfspeed ? 作者:wolfspeed ? 2023-05-24 09:40 ? 次閱讀

GaN HEMT 為功率放大器設計者提供了對 LDMOS、GaAs 和 SiC 技術的許多改進。更有利的特性包括高電壓操作、高擊穿電壓、功率密度高達 8W/mm、fT 高達 25 GHz 和低靜態電流。另一方面,GaN RF 功率器件具有自加熱特性,并且元件參數的非線性與信號電平、熱效應和環境條件之間存在復雜的依賴關系。這些因素往往給準確預測器件大信號性能造成更多困難。

為了確保器件性能,測試設備通常用于測量器件在所需應用中的性能,但這種傳統方法存在缺點:需要開發測試硬件,并且必須進行耗時的負載牽引測量。

出于若干原因,比物理測試更受青睞的是,與實際器件的測量性能緊密匹配的大信號模型。它降低了開發成本,允許進行更深入的“假設”分析,以在進行后續工作之前確定器件是否合適;基于縮短的表征時間和將布局優化與最終性能聯系起來的能力,帶來更短的設計周期。結果是讓更多設計首次測試便獲得通過。

Wolfspeed 的 GaN HEMT 大信號模型特性

Wolfspeed 為其基于 SiC 襯底的 GaN HEMT 器件開發了極其精確的 3 端口大信號模型,該 GaN HEMT 器件具有高效率、高增益和匹配相對更容易的特點。

poYBAGRtaqeAeqcNAADosWGnrUk870.png

圖 1:Wolfspeed 的 3 端口大信號 HEMT 模型和 FET 等效電路

圖 1 顯示了大信號模型原理圖和本征 FET 等效物。該模型基于已確立的等效電路方法。數據提取相對簡單;Wolfspeed 使用各種測試夾具和測試電路,包括基波和諧波上的負載牽引。在各種頻率和器件尺寸下,還驗證了大信號負載牽引和功率驅動,以確保精確的大信號縮放。

為了成功地按大比例縮放,必須將單位晶格模型與所有操作區域的測量數據非常準確地匹配起來。有了準確且可擴展的大信號模型,就可能設計出更大功率的晶體管。3 端口 HEMT 模型在比例因子大于 100 比 1 的設計中取得了成功。非線性模型在使用 CW 條件進行測量的偏壓范圍內擬合小信號參數。

除了三個 FET 端口(柵極、源極和漏極)之外,該模型還提供本征漏電流和漏電壓波形以及芯片結溫。在設計復雜的 PA 架構(如 F 類)時,本征漏電流和電壓波形至關重要,因為它們允許設計者優化基本頻率和諧波頻率下的器件匹配。

根據需要,該模型還具有單個元件的內置過程靈敏度和非線性。例如,漏電流源是器件非線性的主要因素。柵極電流公式包括擊穿和正向傳導,寄生電容的所有電壓變化都衍生自電荷公式。

準確的封裝模型是另一關鍵因素。已經開發了一種封裝寄生互連的物理衍生建模方法,該方法包括許多不同的工具,其中包括 s 參數。

模型數據與測量數據的比較

小信號和大信號行為建模的準確性至關重要。

小信號建模對于設計者預測功率放大器設計方案的增益、回波損耗和穩定性很關鍵。Wolfspeed 模型根據不同柵寬、指尖數和偏壓范圍上的測量數據進行評估,以確保所有三個關鍵領域的模型精度:DC-IV、小信號和大信號行為。

poYBAGRtaqKAL5ZoAAXsimqcPEs254.png

圖 2:建模(紅色)和物理(藍色)器件性能之間小信號(左側)和大信號(右側)圖的比較。

圖 2 比較了紅色的建模數據和藍色的測量數據。左側的史密斯圖顯示,在不同的柵寬和偏壓值上,建模數據在幅值和相位上都與測量數據非常接近。對于一系列不同的電流偏壓條件,這兩種結果非常接近。

最大增益 Gmax 的精確建模對于設計者了解給定應用的最大可用增益以及展現器件在頻率上的性能至關重要。右側的 Gmax 圖與測量數據密切相關。

模型必須以 VDS 跟蹤 IV 行為,以正確描述器件的大信號性能。了解 DC IV 特性是 RF PA 設計非常重要的一個方面。

GaN 器件在柵極脈沖開關過程中,由于表面陷阱電荷的存在,膝跳和電流崩潰是常見現象。作為模型提取過程的一部分,建模行為與脈沖 IV 數據相關。在各種頻率和器件尺寸下,還驗證了大信號負載牽引和功率驅動,以確保精確的大信號縮放。負載牽引曲線讓設計者了解需要向器件提供什么阻抗才能實現所需的功率和效率。

pYYBAGRtap2AXRDiAAGD8Ss8MlY319.png

圖 3:大信號測量數據與模型仿真的比較

圖 3 中的曲線圖顯示,建模的增益和 PA 效率都和測量數據非常吻合,遠超 1-dB 和 3-dB 壓縮點。這對于 GaN 器件至關重要,因為與等效 LDMOS 器件不同,GaN HEMT 往往會產生超過 3dB 壓縮點的最大額定功率輸出。

可觀看一段有用的視頻,其中討論了如何使用該模型來優化 PA 應用。給出了兩個示例。

當功率放大器調整為最大輸出功率時,DC IV 圖顯示負載線傳過器件的最大電流為 350mA。

第二個應用使用該模型進行調整以達到最大效率。在此應用中,負載線穿過器件耗散最小功率的點,以獲得可接受的輸出功率。結果表明,雖然輸出功率下降了 1dB,但與最大功率情況相比,效率提高了 15%。溫度端口顯示溫度僅增加12攝氏度,而不是原先設計為最大功率時溫度增加了60攝氏度。

在這兩種情況下,建模數據軌跡都與測量數據非常接近。

為了更好地了解大信號模型負載牽引數據驗證的過程,請參閱該應用說明。

結論

Wolfspeed 開發了大信號 RF 模型,證明了與測量數據之間極其準確的一致性。Wolfspeed 的代工廠(Foundry)業務使用這些模型來確保更短的循環時間、更高的可靠性和更多首次便通過測試的設計。

設計者獲得的益處包括降低開發成本、減少 PA 設計迭代次數和更高的首次通過成功率。最大的利好在于,這些模型可以免費提供給符合條件的企業。

審核編輯:郭婷

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 功率放大器
    +關注

    關注

    101

    文章

    3117

    瀏覽量

    130526
  • GaN
    GaN
    +關注

    關注

    19

    文章

    1798

    瀏覽量

    68929
  • HEMT
    +關注

    關注

    2

    文章

    52

    瀏覽量

    12253
收藏 人收藏

    評論

    相關推薦

    非線性模型如何幫助進行GaN PA設計?

    。本文中,我們將為您介紹需要了解的非線性GaN 模型的基礎知識。什么是非線性GaN 模型?對許多工程師來說,設計PA 的第一步是閱讀晶體管產品的數據手冊并查看S 參數。S 參數文件很有
    發表于 08-04 14:55

    基于HEMT的ADS功率放大器軟件仿真

    大家好!我是ADS的新手。我需要CREE GaN HEMT,這在我的版本(ADS 2013)中沒有。請提前幫助,謝謝。 以上來自于谷歌翻譯 以下為原文Hello everyone! i am
    發表于 11-13 10:21

    GaN HEMT在電機設計中有以下優點

    電機設計中對于GaN HEMT的使用GaN HEMT的電氣特性使得工程師們選擇它來設計更加緊湊、承受高壓和高頻的電動機,綜上所述這類器件有如下優點:較高的擊穿電壓,允許使用更高(大于1
    發表于 07-16 00:27

    如何利用非線性模型幫助GaN PA進行設計?

    氮化鎵(GaN) 功率放大器(PA) 設計是當前的熱門話題。出于多種原因,GaN HEMT 器件已成為滿足大多數新型微波功率放大器需求的領先解決方案。過去,PA 設計以大致的起點開始并運用大量
    發表于 07-31 08:13

    GaN HEMT可靠性測試:為什么業界無法就一種測試標準達成共識

    如果基于GaNHEMT可靠性的標準化測試方法迫在眉睫,那么制造商在幫助同時提供高質量GaN器件方面正在做什么? GaN高電子遷移率晶體管(HEMT
    發表于 09-23 10:46

    基于GaN HEMT的半橋LLC優化設計和損耗分析

    目前傳統硅半導體器件的性能已逐漸接近其理論極限, 即使采用最新的硅器件和軟開關拓撲,效率在開關頻率超過 250 kHz 時也會受到影響。 而增強型氮化鎵晶體管 GaN HEMT(gallium
    發表于 09-18 07:27

    納微專家談:氮化鎵GaN HEMT有體二極管嗎?

    工程師于是感到非常困惑,GaN HEMT可以反向導通,那到底有還是沒有體二極管?
    發表于 03-15 09:41 ?8761次閱讀

    新的GaN技術簡化了驅動基于GaNHEMT

    雖然乍一看似乎比較簡單,但這些器件的柵極驅動器電路需要仔細設計。首先,通常關閉的基于 GaNHEMT 需要負電壓來將其關閉并將其保持在關閉狀態,從而避免意外開啟。
    發表于 07-29 09:27 ?1520次閱讀
    新的<b class='flag-5'>GaN</b>技術簡化了驅動基于<b class='flag-5'>GaN</b>的<b class='flag-5'>HEMT</b>

    高功率GaN HEMT的可靠性設計

    ,達 2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍電子遷移率,這意味著與 RDS(ON) 和擊穿電壓相同的硅基器件相比,GaN RF 高電子遷移率晶體管(HEMT)的尺寸要小得多。因此,GaN RF
    的頭像 發表于 09-19 09:33 ?1867次閱讀

    GaN HEMT 模型初階入門:非線性模型如何幫助進行 GaN PA 設計?(第一部分,共兩部分)

    GaN HEMT 模型初階入門:非線性模型如何幫助進行 GaN PA 設計?(第一部分,共兩部分)
    的頭像 發表于 12-26 10:16 ?947次閱讀
    <b class='flag-5'>GaN</b> <b class='flag-5'>HEMT</b> <b class='flag-5'>模型</b>初階入門:非線性<b class='flag-5'>模型</b>如何幫助進行 <b class='flag-5'>GaN</b> PA 設計?(第一部分,共兩部分)

    GaN功率HEMT設計+GaN寬帶功率放大器設計

    GaN功率HEMT設計+GaN寬帶功率放大器設計
    發表于 01-30 14:17 ?639次閱讀

    GaN HEMT工藝全流程

    GaN HEMT(高電子遷移率晶體管:High Electron Mobility Transistor)是新一代功率半導體,具有低工作電阻和高抗損性,有望應用于大功率和高頻電子設備。
    的頭像 發表于 05-25 15:14 ?1716次閱讀
    <b class='flag-5'>GaN</b> <b class='flag-5'>HEMT</b>工藝全流程

    GaN HEMT為什么不能做成低壓器件

    GaN HEMT為什么不能做成低壓器件? GaN HEMT(氮化鎵高電子遷移率晶體管)是一種迅速嶄露頭角的高頻功率器件,具有很高的電子遷移率、大的電子飽和漂移速度、高的飽和電子流動速度
    的頭像 發表于 12-07 17:27 ?495次閱讀

    微波GaN HEMT 技術面臨的挑戰

    報告內容包含: 微帶WBG MMIC工藝 GaN HEMT 結構的生長 GaN HEMT 技術面臨的挑戰
    發表于 12-14 11:06 ?248次閱讀
    微波<b class='flag-5'>GaN</b> <b class='flag-5'>HEMT</b> 技術面臨的挑戰

    改善GaN HEMT功率器件的短路耐受時間

    在本文中,我們將討論氮化鎵 (GaN) HEMT 功率器件中的一個關鍵參數,即短路耐受時間 (SCWT)。
    的頭像 發表于 05-09 10:43 ?200次閱讀
    改善<b class='flag-5'>GaN</b> <b class='flag-5'>HEMT</b>功率器件的短路耐受時間
    亚洲欧美日韩精品久久_久久精品AⅤ无码中文_日本中文字幕有码在线播放_亚洲视频高清不卡在线观看
    <acronym id="s8ci2"><small id="s8ci2"></small></acronym>
    <rt id="s8ci2"></rt><rt id="s8ci2"><optgroup id="s8ci2"></optgroup></rt>
    <acronym id="s8ci2"></acronym>
    <acronym id="s8ci2"><center id="s8ci2"></center></acronym>