據韓國業界消息,三星最早將于本月開始量產當前業界密度最高的290層第九代V-NAND(3D NAND)閃存芯片。這是繼236層第八代V-NAND之后的又一重大進步,是當前業界可量產的最高堆疊層數。此外,三星計劃在2025年推出430層V-NAND產品。
290層V-NAND閃存芯片更高的密度將帶來更低成本、更大單體容量,以及更好的性能表現。具體來說,三星將發布1Tb(128GB)QLC 3D NAND閃存芯片,存儲密度達到28.5Gb平方毫米。性能上,其I/O速率達到了3.2 Gbps,相比現有第八代的2.4 Gbps有了顯著提升。
在技術上,三星即將推出的第九代V-NAND采用雙層鍵合技術提高生產效率,打破了業內專家的預測。此前曾認為要達到300層,需要三層鍵合技術。此次的突破展現了三星在半導體制造領域的領先技術實力。
隨著人工智能領域從“訓練”轉向“推理”,需要處理大量數據,如圖像和視頻,因此需要大容量存儲設備。三星此舉旨在滿足人工智能(AI)熱潮下對于NAND閃存的需求。此外,三星對于其NAND業務在第一季度的盈利比較樂觀,這也為即將開始的量產提供了有力的市場支撐。
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