在先進工藝上,臺積電今年底量產3nm工藝,2025年則是量產2nm工藝,這一代會開始使用GAA晶體管,放棄現在的FinFET晶體管技術。
再往后呢?2nm之后是1.4nm工藝,Intel、臺積電及三星這三大芯片廠商也在沖刺,其中三星首個宣布2027年量產1.4nm工藝,臺積電沒說時間點,預計也是在2027年左右。
1.4nm之后就是1nm工藝了,這個節點曾經被認為是摩爾定律的物理極限,是無法實現的,但是現在芯片廠商也已經在攻關中。
臺積電已經啟動了先導計劃,傳聞中的1nm晶圓廠將落戶新竹科技園下屬的桃園龍潭園區,這意味著臺積電已經開始為1nm做規劃了,畢竟工廠需要提前一兩年建設。
不過真正量產1nm還需要很長時間,其中關鍵的設備就是下一代EUV光刻機,要升級下一代的高NA(數值孔徑)標準,從現在的0.33 NA提升到0.55 NA,更高的NA意味著更分辨率更高,是3nm之后的工藝必備的條件。
按照ASML的計劃,下一代EUV光刻機的試驗型號最快明年就開始出貨,2025年后達到正式量產能力,售價將達到4億美元以上。
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