對于如今的半導體產業而言,EUV光刻機是打造下一代邏輯和DRAM工藝技術的關鍵所在,為了在未來的工藝軍備競賽中保持優勢,臺積電、三星和英特爾等廠商紛紛花重金購置EUV光刻機。
然而,當這些來自荷蘭造價上億的龐大機器到位并組裝好后,并不意味著EUV光刻機的生產工作完全準備就緒。隨著先進工藝晶圓制造中圖案化策略和分辨率重視程度的攀升,為了滿足這些需求,與EUV光刻技術相關的材料同樣需要納入考量,尤其是光刻膠和防護膜。
EUV光刻膠
大家最為熟知的一大光刻材料自然就是光刻膠了,光刻膠為晶圓生產帶來的不僅是高分辨率,同樣也是控制隨機缺陷的關鍵。極紫光透過光掩膜透明的部分在光刻膠上曝光,接著去掉曝光的光刻膠,蝕刻曝光的材料,最終去掉所有光刻膠留下光刻后的圖案,而我們常說的分辨率也就是光刻膠所能產生的最小尺寸了。
與此同時,在ASML看來,下一代高NA EUV光刻機為光刻膠再度帶來了挑戰,更少的隨機效應、更高的分辨率和更薄的厚度。首先傳統的正膠和負膠肯定是沒法用了,DUV光刻機上常用的化學放大光刻膠(CAR)也開始在5nm之后的分辨率和敏感度上出現瓶頸,所以光刻膠上的創新已經成了2023年/2024年后高NA EUV光刻機的必要條件。
2020年,泛林集團宣布在ASML和imec的戰略合作下,已經研究出了用于EUV光刻機圖案化的干式光刻膠技術,這種干式光刻膠技術可以顯著提高EUV的敏感度和分辨率優勢,而且其生產工藝耗能更少,所用的原材料也比傳統光刻膠工藝少上5到10倍,從而改善了每次處理EUV晶圓所需的總成本。近日,泛林集團宣布將與三菱化學旗下Gelest以及Entegris這兩大材料公司合作,共同推進EUV干式光刻膠的量產。
![](https://file.elecfans.com/web2/M00/55/58/pYYBAGLZBciAdiueAAECA_keOWI032.jpg)
線寬粗糙度增加下厚度減少的金屬氧化物光刻膠 / imec
而imec和JSR這樣的廠商則選擇了在金屬氧化物光刻膠(MOR)上下注,在他們的研究評估中,MOR光刻膠擁有更好的圖案轉移能力,能夠實現更高的分辨率,并把光刻膠做得更薄。不過雖然這類光刻膠已經被一票光刻膠廠商、晶圓廠看好,但目前在量產上還是存在一些問題的,比如在制備過程中需要將金屬污染等級降低至傳統行業等級之下。
EUV防護膜
對于利用EUV光刻機制造芯片來說,其實EUV防護膜的使用并不是必要的,這個材料的存在更多是為了保證光掩膜的清潔。盡管如今龐大的EUV都被放置在遵循嚴格標準的無塵潔凈室里,基本杜絕了外部顆粒的污染,然而在EUV光刻機的曝光過程中,要想做到零顆粒是不可能的,依照ASML的說法,約摸1萬次曝光就會有一個雜質顆粒的出現。
部分廠商對此或許并不在意,比如三星就一直在推遲防護膜的使用,以至于最后干脆自己投資并開發EUV防護膜。因為這些雜質的存在或許會對良率產生一定影響,但如果為光掩膜貼上透射率不高的防護膜,那么就會吸收部分13.5nm波長的極紫光,屆時影響了的就是產量了。EUV光刻機開始普及使用的那段時期,恰好遇上了全球半導體產能短缺,自然保產量才是各大晶圓廠的首要目標。
不過如今產能情況逐漸轉好,EUV防護膜的開發與普及也是時候提上議程了。要想不對EUV光刻機的產能輸出造成太大的影響,晶圓廠都希望防護膜的透射率能做到90%以上。從去年開始,已經有一批企業打造出了90%透射率以上的防護膜了。比如Canatu打造的碳納米管EUV防護膜,就可以做到97%的透射率。
![](https://file.elecfans.com/web2/M00/54/BA/poYBAGLZBduADClDAAD6MP6R8fM327.jpg)
全尺寸EUV防護膜 / imec
既然如此,這些晶圓廠已經早已經跟進了才對,為何防護膜至今仍然沒有受到臺積電、三星等廠商的青睞,難不成他們在等更低成本的方案不成?其實不然,光刻過程中還有一個問題也在影響EUV防護膜的普及,那就是材料壽命。
雖然這些防護膜已經實現了90%的透射率,但隨著新一代EUV光刻機的光源功率已經超過了250W,未來的高NA EUV光刻機的功率還將進一步提升,光源帶來的熱應力會破壞這些防護膜,所以在選擇防護膜的同時還得考慮耐熱性,否則不會有晶圓廠想要頻繁替換防護膜的。所以大部分防護膜廠商即便實現了90%以上的透射率,也還在推進具有可觀壽命防護膜的大規模量產,至于這些EUV防護膜的廣泛使用,還需要等待材料和工藝上后續創新。
然而,當這些來自荷蘭造價上億的龐大機器到位并組裝好后,并不意味著EUV光刻機的生產工作完全準備就緒。隨著先進工藝晶圓制造中圖案化策略和分辨率重視程度的攀升,為了滿足這些需求,與EUV光刻技術相關的材料同樣需要納入考量,尤其是光刻膠和防護膜。
EUV光刻膠
大家最為熟知的一大光刻材料自然就是光刻膠了,光刻膠為晶圓生產帶來的不僅是高分辨率,同樣也是控制隨機缺陷的關鍵。極紫光透過光掩膜透明的部分在光刻膠上曝光,接著去掉曝光的光刻膠,蝕刻曝光的材料,最終去掉所有光刻膠留下光刻后的圖案,而我們常說的分辨率也就是光刻膠所能產生的最小尺寸了。
與此同時,在ASML看來,下一代高NA EUV光刻機為光刻膠再度帶來了挑戰,更少的隨機效應、更高的分辨率和更薄的厚度。首先傳統的正膠和負膠肯定是沒法用了,DUV光刻機上常用的化學放大光刻膠(CAR)也開始在5nm之后的分辨率和敏感度上出現瓶頸,所以光刻膠上的創新已經成了2023年/2024年后高NA EUV光刻機的必要條件。
2020年,泛林集團宣布在ASML和imec的戰略合作下,已經研究出了用于EUV光刻機圖案化的干式光刻膠技術,這種干式光刻膠技術可以顯著提高EUV的敏感度和分辨率優勢,而且其生產工藝耗能更少,所用的原材料也比傳統光刻膠工藝少上5到10倍,從而改善了每次處理EUV晶圓所需的總成本。近日,泛林集團宣布將與三菱化學旗下Gelest以及Entegris這兩大材料公司合作,共同推進EUV干式光刻膠的量產。
![](https://file.elecfans.com/web2/M00/55/58/pYYBAGLZBciAdiueAAECA_keOWI032.jpg)
線寬粗糙度增加下厚度減少的金屬氧化物光刻膠 / imec
而imec和JSR這樣的廠商則選擇了在金屬氧化物光刻膠(MOR)上下注,在他們的研究評估中,MOR光刻膠擁有更好的圖案轉移能力,能夠實現更高的分辨率,并把光刻膠做得更薄。不過雖然這類光刻膠已經被一票光刻膠廠商、晶圓廠看好,但目前在量產上還是存在一些問題的,比如在制備過程中需要將金屬污染等級降低至傳統行業等級之下。
EUV防護膜
對于利用EUV光刻機制造芯片來說,其實EUV防護膜的使用并不是必要的,這個材料的存在更多是為了保證光掩膜的清潔。盡管如今龐大的EUV都被放置在遵循嚴格標準的無塵潔凈室里,基本杜絕了外部顆粒的污染,然而在EUV光刻機的曝光過程中,要想做到零顆粒是不可能的,依照ASML的說法,約摸1萬次曝光就會有一個雜質顆粒的出現。
部分廠商對此或許并不在意,比如三星就一直在推遲防護膜的使用,以至于最后干脆自己投資并開發EUV防護膜。因為這些雜質的存在或許會對良率產生一定影響,但如果為光掩膜貼上透射率不高的防護膜,那么就會吸收部分13.5nm波長的極紫光,屆時影響了的就是產量了。EUV光刻機開始普及使用的那段時期,恰好遇上了全球半導體產能短缺,自然保產量才是各大晶圓廠的首要目標。
不過如今產能情況逐漸轉好,EUV防護膜的開發與普及也是時候提上議程了。要想不對EUV光刻機的產能輸出造成太大的影響,晶圓廠都希望防護膜的透射率能做到90%以上。從去年開始,已經有一批企業打造出了90%透射率以上的防護膜了。比如Canatu打造的碳納米管EUV防護膜,就可以做到97%的透射率。
![](https://file.elecfans.com/web2/M00/54/BA/poYBAGLZBduADClDAAD6MP6R8fM327.jpg)
全尺寸EUV防護膜 / imec
雖然這些防護膜已經實現了90%的透射率,但隨著新一代EUV光刻機的光源功率已經超過了250W,未來的高NA EUV光刻機的功率還將進一步提升,光源帶來的熱應力會破壞這些防護膜,所以在選擇防護膜的同時還得考慮耐熱性,否則不會有晶圓廠想要頻繁替換防護膜的。所以大部分防護膜廠商即便實現了90%以上的透射率,也還在推進具有可觀壽命防護膜的大規模量產,至于這些EUV防護膜的廣泛使用,還需要等待材料和工藝上后續創新。
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