近日,臺積電在北美技術論壇上首次宣布,將推出下一代先進工藝制程2nm芯片,將采用GAAFET全環繞柵極晶體管技術,2nm工藝全球即將首發,臺積電公開承諾到2025年生產先進的2nm芯片。
據悉,三星公司也在上周對外正式官宣,已經開始大規模生產 3 納米半導體芯片,3納米工藝可以降低 45% 的功耗,性能提高 23%,并減少 16% 的面積,三星已經宣布計劃在2025年之前交付2nm處理器。
2021年,臺積電公司就已經獲得了建造專門用于2nm工藝的新設施的批準,與目前的5nm工藝相比,這是一種完全不同的技術,需要相當大的投資。另外在2022下半年即將量產的3nm制程中,臺積電或將仍然沿用FinFET架構。
不僅僅是2nm芯片,臺積電還將引入ASML最強光刻機,2025年就會開始用來制造2nm工藝芯片。
本文綜合整理自Tech情報局 IT之家 比特網
審核編輯:彭靜
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