ACPL-P349/W349評估板特性 IGBT或SiC/GaN MOSFET柵極驅動器配置分析

本手冊概述了 ACPL-P349/W349 評估板的特性以及評估隔離式 IGBT 或 SiC/GaN MOSFET 柵極驅動器所需的配置。需要目視檢查以確保收到的評估板處于良好狀態。

Q1 和 Q2 未安裝。IGBT 或 SiC/GaN MOSFET 可以安裝在 Q1（對于 TO-220 封裝）或 Q2（對于 TO-247 封裝）或通過短線連接從 Q1 或 Q2 提供的孔連接到驅動器板

D4 和 R7 未安裝（在焊接側）。提供 D4 處的 15V 齊納封裝，以允許在需要時跨 Vcc2 和 Vee 施加 15V~30V 的單個直流電源。然后可以生成虛擬接地 Ve（在 Q1 或 Q2 的源極引腳），它充當每個 SiC/GaN MOSFET 源極引腳（或每個 IGBT 的發射極引腳）的參考點。然后 Vcc2 將保持在比虛擬地 Ve 高 15V 的位置。需要 R7 來生成 D4 上的偏置電流

S2 和 S3 跳線默認短路以將 Ve 連接到 Vee，假設不需要負電源。注意：如果需要負電源，則需要移除 S2 和 S3 跳線

自舉二極管 D3b 和電阻器 R6 默認連接。假設 Vcc2a 電源可用，提供這 2 個組件以幫助通過自舉生成 Vcc2b 電源。注意：自舉電源僅在 Q1 或 Q2 安裝在半橋配置中并通過適當的 PWM 驅動信號打開和??關閉時才起作用

當 Vcc1 供電時，S1 默認短路以將 IN-（或 LED-，LED 的陰極）引腳接地。如果 IN- 不能接地，可以消除此短路

逆變器的上下臂將具有公共Vcc1（&Gnd1），允許Vcc1通過焊料連接在逆變器PCB的上下部分（和焊料側的Gnd1）之間；

還規定允許通過 IC2 上的 DC/DC 轉換器從 Vcc1 生成 Vcc2（和 Vee）。使用此 DC/DC 轉換器時，應斷開 S2、S3 （& R6）

ACPL-P349/W349 評估板顯示默認連接

執行檢查后，評估板可用于在仿真模式下測試頂部和底部半橋逆變器臂之一，而無需 IGBT 或 SiC/GaN MOSFET。要執行測試，只需遵循下面概述的五個步驟（參見圖 2）。

測試半橋逆變器驅動器的雙臂（無 IGBT 或 SiC/GaN MOSFET）

評估板模擬測試設置

• 在 Q1 或 Q2 的柵極和發射極/集電極端子之間焊接一個 10nF 電容器（以模擬 IGBT 或 SiC/GaN MOSFET 的實際柵極電容）
• 在 CON1 的 +5V 和 GND 端子之間連接一個 +5V 直流電源（直流電源 1）
• 分別在 IC2a 的 Vcc2（IC2 的第 7 腳）和 Vee（IC2 的第 5 腳）端子上連接另一個直流電源（電壓范圍為 15V~30V 的直流電源 2）。出于測試目的，這可以是非隔離的
• 連接驅動信號
• 使用多通道數字示波器捕獲以下點的波形